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公开(公告)号：KR1020110033976A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020107017039
申请日：2009-07-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 아키타가츠시 , 우에노마사키 , 스미토모다카미치 , 도쿠야마신지 , 가타야마고지 , 나카무라다카오 , 이케가미다카토시
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.
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公开(公告)号：KR101238464B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020107017039
申请日：2009-07-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 아키타가츠시 , 우에노마사키 , 스미토모다카미치 , 도쿠야마신지 , 가타야마고지 , 나카무라다카오 , 이케가미다카토시
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/3202 , H01S2301/14
Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.
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公开(公告)号：KR1020120075473A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020127010670
申请日：2010-09-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 도쿠야마신지 , 스미토모다카미치 , 우에노마사키 , 이케가미다카토시 , 가타야마코지 , 나카무라다카오
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3213 , H01S5/34333 , H01S2301/14
Abstract: COD에 대한 큰 내성을 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 뻗어나가는 레이저 도파로를 갖는다. 레이저 도파로의 양끝에는, 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단부면(26, 28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 단부면(26, 28)은 mn면(또는 an면)에 교차한다. c+축 벡터는 도파로 벡터(WV)와 예각을 이룬다. 이 도파로 벡터(WV)는 제2 단부면(28)에서 제1 단부면(26)으로의 방향에 대응한다. 제1 단부면(C+측)(26) 상의 제1 유전체 다층막(43a)의 두께가 제2 단부면(C-측)(28) 상의 제2 유전체 다층막(43b)의 두께보다 얇다.
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公开(公告)号：KR101285049B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020117010709
申请日：2010-11-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이고, 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 에지(13c)로부터 제2 면(13b)의 에지(13d)까지 연장된다. 또한 예컨대 제1 할단면(27)의 일단에는, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 스크라이브 마크(SM1)를 가지며, 스크라이브 마크(SM1) 등은, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 오목 형상을 갖는다. 할단면(27, 29)은 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다. 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120099138A
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020127019587
申请日：2010-11-15
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/3202 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/22 , H01S2301/14
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에 있어서, 피드백 광에 의한 교란의 저감을 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이 mn면에 교차한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, 저임계치 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용하기 위해서, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장하는 레이저 도파로를 갖는다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 에지(13c)로부터 제2 면(13b)의 에지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다. 각도 α는 각도 β와 상이하고, 각도 α와 각도 β의 차이가 0.1도 이상이다.
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Patent Agency Ranking6.发明公开Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자, Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제작하는 방법, 및 스크라이브 홈의 형성에 의한 손상을 평가하는 방법 无效III族氮化物半导体激光元件，用于生产III族氮化物半导体激光元件的方法以及通过形成SCRIPE GROOVE评估损伤的方法
公开(公告)号：KR1020120105043A
公开(公告)日：2012-09-24
申请号：KR1020127019973
申请日：2010-11-17
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , G01N21/62 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/1085 , H01S5/20 , H01S5/2009 , H01S5/34333
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에 있어서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기와 이 레이저 공진기를 위한 소자 단부에 칩 폭을 축소할 수 있는 단부의 구조를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 구조체(13)는, 한쪽의 할단면(27)에 있어서 제1 면(13a)의 엣지(13c)의 일부분에 형성된 오목부(28, 30)를 갖는다. 오목부(28, 30)는 각각, 스크라이브 홈에 안내된 할단에 의해 분리된 반도체 소자 각각에 남겨진 스크라이브 마크를 포함한다. 오목부(28)는 제1 면(13a)에 위치하는 단부(28b)를 갖고, 오목부(30)는 제1 면(13a)에 위치하는 단부(30b)를 갖는다. 제1 오목부(28)의 단부(28b)와 레이저 스트라이프 사이의 제1 간격(W1)은 제2 오목부(30)의 단부(30b)와 레이저 스트라이프 사이의 제2 간격(W2)보다 작다.
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7.发明公开
公开(公告)号：KR1020120099136A
公开(公告)日：2012-09-06
申请号：KR1020127019498
申请日：2010-11-11
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 스미토모다카미치 , 사가노부히로 , 아다치마사히로 , 스미요시가즈히데 , 도쿠야마신지 , 다카기심페이 , 이케가미다카토시 , 우에노마사키 , 가타야마고지
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0207 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 본 발명은 육방정계 III족 질화물의 c 축이 m 축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에 있어서, 저임계치 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖고 발진 수율을 향상시킬 수 있는 구조를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 할단면(27, 29)이, mn 면에 교차한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)에서는, 레이저 도파로 mn 면과 반극성면(17a)과의 교차선의 방향으로 연장되기 때문에, 저임계치 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)로부터 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 할단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c 면, m 면 또는 a 면 등의 지금까지의 벽개면과는 다르다. 도파로 벡터(LGV)와 투영 성분(VCP)이 이루는 어긋남 각(AV)은, -0.5도 이상 +0.5도 이하의 범위에 있을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120075474A
公开(公告)日：2012-07-06
申请号：KR1020127010671
申请日：2010-09-29
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
Inventor： 요시즈미유스케 , 엔야요헤이 , 교노다카시 , 아다치마사히로 , 도쿠야마신지 , 스미토모다카미치 , 우에노마사키 , 이케가미다카토시 , 가타야마코지 , 나카무라다카오
IPC: H01S5/343
CPC classification number: H01S5/3202 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/028 , H01S5/34333
Abstract: 소자 수명이 긴 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자가 제공된다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)과의 교차선 방향으로 뻗어나가는 레이저 도파로를 갖는다. 레이저 도파로의 양끝에는, 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단부면(26, 28)이 형성되어 있다. 제1 및 제2 단부면(26, 28)은 mn면(또는 an면)에 교차한다. c+축 벡터는 도파로 벡터(WV)와 예각을 이룬다. 이 도파로 벡터(WV)는 제2 단부면(28)에서 제1 단부면(26)으로의 방향에 대응한다. 제2 단부면(28) 상의 제2 유전체 다층막(C-측)(43b)의 두께가 제1 단부면(26) 상의 제1 유전체 다층막(C+측)(43a)의 두께보다 얇다.
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公开(公告)号：KR1020110106838A
公开(公告)日：2011-09-29
申请号：KR1020117010709
申请日：2010-11-16
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01S5/0014 , H01S5/0202 , H01S5/1082 , H01S5/3202 , H01S5/3211
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 c축이 m축 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이고, 제1 및 제2 할단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 에지(13c)로부터 제2 면(13b)의 에지(13d)까지 연장된다. 또한 예컨대 제1 할단면(27)의 일단에는, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 스크라이브 마크(SM1)를 가지며, 스크라이브 마크(SM1) 등은, 에지(13c)로부터 에지(13d)까지 연장되는 오목 형상을 갖는다. 할단면(27, 29)은 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 지금까지의 벽개면과는 상이하다. 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种III族氮化物半导体激光元件，其具有能够使六方晶系III族氮化物的c轴向m轴方向倾斜的辅助气体的半极性面上的低阈值电流的激光谐振器。 在激光器结构13中，第一表面13a是与第二表面13b相对的表面，并且第一和第二切割表面27和29与第一表面13a的边缘13c接触 到第二表面13b的边缘13d。 从边缘13c延伸到边缘13d的划线标记SM1等形成在第一切割表面27的一端。划线标记SM1从边缘13c延伸到边缘13d， 如图所示。 端面27和29不是通过干法蚀刻形成的，而是与c面，m面或a面等裂开的面不同。 可以使用能够实现低阈值电流的频带转换的发射。
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公开(公告)号：KR101285005B1
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：KR1020117010098
申请日：2010-11-04
Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/2201 , H01S5/3202
Abstract: 육방정계 III족 질화물의 반극성면 상에서, 저임계치 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 III족 질화물 반도체 레이저 소자와, 이 III족 질화물 반도체 레이저 소자를 안정적으로 제작하는 방법을 제공한다. III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)의 애노드측에 있는 제1 면(13a)의 4개의 모서리에, 각각 절결부(113a) 등의 절결부가 형성되어 있다. 절결부(113a) 등은 소자(11)를 분리하기 위해 형성된 스크라이브 홈의 일부이다. 스크라이브 홈은 레이저 스크라이버로 형성되고, 스크라이브 홈의 형상은 레이저 스크라이버를 제어함으로써 조정된다. 예를 들어, 절결부(113a) 등의 깊이와 III족 질화물 반도체 레이저 소자(11)의 두께의 비는 0.05 이상 0.4 이하, 절결부(113a)의 단부에서의 측벽면의 기울기는 45도 이상 85도 이하, 절결부(113b)의 단부에서의 측벽면의 기울기는 10도 이상 30도 이하이다.
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