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    질화물 반도체 발광 소자
    6.
    发明公开
    질화물 반도체 발광 소자 无效

    公开(公告)号：KR1020120024678A

    公开(公告)日：2012-03-14

    申请号：KR1020117028529

    申请日：2010-03-29

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 교노다카시 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치

    IPC: H01S5/323

    CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/3201 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211

    Abstract: 본 발명은 비극성면 상에 형성되는 발광 소자에 있어서 광 가둠성을 향상시킬 수 있고, 전위에 의한 광학 손실을 저감시킬 수 있는 질화물 반도체 발광 소자를 제공한다. 코어 반도체 영역(15), 제1 클래드 영역(17) 및 제2 클래드 영역(19)은, GaN의 지지 기체(13)의 비극성의 주면(13a) 상에 탑재된다. 코어 반도체 영역(15)은 활성층(21) 및 캐리어 블록층(23)을 포함한다. 제1 클래드 영역(17)은 n형 AlGaN 클래드층(25) 및 n형 InAlGaN 클래드층(26)을 포함한다. n형 InAlGaN 클래드층(26)은 n형 AlGaN 클래드층(25)과 활성층(21) 사이에 설치된다. 계면(27b)에서의 미스피트 전위 밀도는 계면(27a)에서의 미스피트 전위 밀도보다 크다. AlGaN 클래드층(25)은 GaN 지지 기체(13)에 대하여 격자 완화하고, InAlGaN 클래드층(26)은 AlGaN 클래드층(25)에 대하여 격자 완화하고 있다.

    질화물계 반도체 발광 소자, 질화물계 반도체 발광 소자를 제작하는 방법, 및 발광 장치
    7.
    发明公开
    질화물계 반도체 발광 소자, 질화물계 반도체 발광 소자를 제작하는 방법, 및 발광 장치 失效
    基于氮化物的半导体发光元件，制造基于氮化物的半导体发光元件的方法和发光器件

    公开(公告)号：KR1020110056429A

    公开(公告)日：2011-05-27

    申请号：KR1020117009687

    申请日：2009-10-14

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  교노다카시 ,  우에노마사키 ,  나카무라다카오

    IPC: H01L33/16

    CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 본 발명은 우수한 광의 추출 효율을 갖는 질화물계 반도체 발광 소자를 제공한다. 발광 소자(11)에서는, 지지 기체(13) 및 반도체 적층(15)을 포함한다. 반도체 적층(15)은, n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)을 포함한다. n형 GaN계 반도체 영역(17), 활성층(19) 및 p형 GaN계 반도체 영역(21)은, 주면(13a) 위에 탑재되어 있고, 또한 주면(13a)에 직교하는 정해진 축(Ax)의 방향으로 배치되어 있다. 지지 기체(13)의 이면(13b)은, 지지 기체(13)의 육방정계 질화 갈륨 반도체의 c축 방향으로 연장되는 기준축에 직교하는 평면에 대하여 경사진다. 벡터(VC)는 c축 방향을 나타낸다. 이면(13b)의 표면 모폴로지(M)는, 축의 방향을 향하여 돌출하는 복수의 돌기(23)를 갖는다. 정해진 축(Ax)의 방향은 기준축의 방향(벡터(VC)의 방향)과 다르다.

    Abstract translation: 公开了一种具有优异的光提取效率的氮化物基半导体发光器件。 发光器件11包括支撑基底13和半导体层叠体15.半导体层叠体15包括n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21。 n型GaN基半导体区域17，有源层19和p型GaN基半导体区域21安装在主表面13a上，并且沿与主表面正交的预定轴线Ax的方向 13A。 支撑基座13的后表面13b相对于与支撑基座13的六方晶系氮化镓半导体的c轴方向延伸的基准轴正交的平面倾斜。矢量VC表示c轴方向。 后表面13b的表面形态M具有沿<000-1>轴方向突出的多个突起23。 预定轴Ax的方向与参考轴的方向（矢量VC的方向）不同。

    질화물계 반도체 광소자를 제작하는 방법
    9.
    发明公开
    질화물계 반도체 광소자를 제작하는 방법 无效
    制造基于氮化物的半导体光学器件的方法

    公开(公告)号：KR1020100086958A

    公开(公告)日：2010-08-02

    申请号：KR1020100006071

    申请日：2010-01-22

    Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

    Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  우에노마사키 ,  교노다카시 ,  아키타가츠시

    IPC: H01L33/06

    CPC classification number: H01L21/0262 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride semiconductor optical device is provided to improve non-uniformity of an indium composition about the thickness direction of a well layer by reducing a piezo electric field in the well layer. CONSTITUTION: An InGaN thin layer(24a,26a) is grown by supplying gallium materials and indium materials to a growth crucible as group III materials in a first period(P1) of the well layer growth. The gallium material is not supplied and the indium material is supplied in a second period(P2). The second period is continuous with the first period. The first period is a time(t3-t4) and a time(t5-t6). In the time(t3-t4), an InGaN thin layer(24a) is grown and an InGaN thin layer is grown in the time(t5-t6). The second period is a time(t4-t5). A well layer(25a) of an active layer(21) is comprised of a plurality of InGaN thin layers.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造氮化物半导体光学器件的方法，通过减少阱层中的压电场来改善围绕阱层厚度方向的铟组分的不均匀性。 构成：通过在阱层生长的第一周期（P1）中将镓材料和铟材料作为III族材料提供给生长坩埚，生长InGaN薄层（24a，26a）。 不提供镓材料，并且在第二时段（P2）中供应铟材料。 第二期与第一期持续。 第一个时间段是时间（t3-t4）和时间（t5-t6）。 在时间（t3-t4）中，在时间（t5-t6）中生长InGaN薄层（24a）并生长InGaN薄层。 第二个时间段是时间（t4-t5）。 有源层（21）的阱层（25a）由多个InGaN薄层构成。

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