公开(公告)号：KR101213860B1

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：KR1020107027739

申请日：2010-06-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  아키타가츠시 ,  스미토모다카미치 ,  우에노마사키

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: 우물층에대한캐리어의주입효율이향상된질화물계반도체발광소자를제공한다. 육방정계질화갈륨계반도체로이루어지는기판(5)과, 기판(5)의주요면(S1)에설치된 n형질화갈륨계반도체영역(7)과, 이 n형질화갈륨계반도체영역(7) 위에설치된단일양자우물구조의발광층(11)과, 발광층(11) 위에설치된 p형질화갈륨계반도체영역(19)을구비한다. 발광층(11)은 n형질화갈륨계반도체영역(7)과 p형질화갈륨계반도체영역(19) 사이에설치되어있고, 발광층(11)은우물층(15)과장벽층(13) 및장벽층(17)을포함하며, 우물층(15)은 InGaN이고, 주요면(S1)은육방정계질화갈륨계반도체의 c축방향에직교하는면으로부터 63도이상 80도이하또는 100도이상 117도이하의범위내의경사각으로경사진기준평면(S5)을따라연장되어있다.

公开(公告)号：KR101164349B1

公开(公告)日：2012-07-09

申请号：KR1020107013933

申请日：2009-08-03

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  우에노마사키 ,  아키타가츠시 ,  교노다카시 ,  스미토모다카미치 ,  나카무라다카오

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L21/02458 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/34333

Abstract: GaN계 반도체 광소자(11a)에서는, 기판(13)의 주면(13a)은, 제1 GaN계 반도체의 c축을 따라 연장되는 기준축(Cx)에 직교하는 면으로부터 상기 제1 GaN계 반도체의 m축 방향으로 63도 이상 80도 미만의 범위의 경사각으로 경사져 있다. GaN계 반도체 에피택셜 영역(15)은, 주면(13a) 위에 마련되어 있다. GaN계 반도체 에피택셜 영역(15) 위에는, 활성층(17)이 마련되어 있다. 활성층(17)은, 하나 이상의 반도체 에피택셜층(19)을 포함한다. 반도체 에피택셜층(19)은, InGaN으로 이루어진다. 반도체 에피택셜층(19)의 막 두께 방향은, 기준축(Cx)에 대하여 경사져 있다. 이 기준축(Cx)은, 제1 GaN계 반도체의 [0001]축의 방향을 향하고 있다. 이것에 의해, 활성층에서의 In 편석에 따른 발광 특성의 저하가 억제된 GaN계 반도체 발광 소자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020110020246A

公开(公告)日：2011-03-02

申请号：KR1020107027739

申请日：2010-06-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  아키타가츠시 ,  스미토모다카미치 ,  우에노마사키

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/04 ,  H01L33/16

CPC classification number: H01L33/04 ,  H01L33/12

Abstract: 우물층에 대한 캐리어의 주입 효율이 향상된 질화물계 반도체 발광 소자를 제공한다. 육방정계 질화갈륨계 반도체로 이루어지는 기판(5)과, 기판(5)의 주요면(S1)에 설치된 n형 질화갈륨계 반도체 영역(7)과, 이 n형 질화갈륨계 반도체 영역(7) 위에 설치된 단일 양자우물 구조의 발광층(11)과, 발광층(11) 위에 설치된 p형 질화갈륨계 반도체 영역(19)을 구비한다. 발광층(11)은 n형 질화갈륨계 반도체 영역(7)과 p형 질화갈륨계 반도체 영역(19) 사이에 설치되어 있고, 발광층(11)은 우물층(15)과 배리어층(13) 및 배리어층(17)을 포함하며, 우물층(15)은 InGaN이고, 주요면(S1)은 육방정계 질화갈륨계 반도체의 c축 방향에 직교하는 면으로부터 63도 이상 80도 이하 또는 100도 이상 117도 이하의 범위내의 경사각으로 경사진 기준 평면(S5)을 따라 연장되어 있다.

Abstract translation: 氮化物基半导体发光器件相对于阱层具有改进的载流子注入效率。 设置在衬底5的主表面S1上的n型氮化镓基半导体区域7和形成在n型氮化镓基半导体区域7上的p型包覆层7 提供具有单量子阱结构的发光层11和设置在发光层11上的p型氮化镓基半导体区域19。 发光层11具有n型氮化镓基半导体区域7和p型氮化镓半导体区域19之间提供，并发光层11的光具有阱层15和势垒层13和阻挡 并且，阱层15是InGaN，主表面S1与六方晶系氮化镓层15的与c轴方向正交的平面为63度以上且80度以下。 并且以倾斜角度在下述范围的范围内沿着倾斜基准面S5延伸。

公开(公告)号：KR1020110007060A

公开(公告)日：2011-01-21

申请号：KR1020100067904

申请日：2010-07-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 스미토모다카미치 ,  엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  우에노마사키 ,  아키타가츠시 ,  교노다카시

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S2302/00

Abstract: PURPOSE: A gallium nitride-based semiconductor laser diode is provided to generate optical laser having wavelength over 50nm by using a semi-polar plane. CONSTITUTION: An active layer(29) is installed to generate optical laser having wavelength over 50nm. Light held in a core semiconductor region(19) has long wavelength. A first optical guide layer(27) and a second optical guide layer(27) have a double structure. A clad layer(21) is formed by at least one of AlGaN and InAlGaN. The thickness of a first epitaxial semiconductor region(15) is thicker than the that of the core semiconductor region.

Abstract translation: 目的：提供一种氮化镓基半导体激光二极管，通过使用半极性平面产生波长超过50nm的光学激光器。 构成：安装有源层（29）以产生波长超过50nm的光学激光器。 保持在芯半导体区域（19）中的光具有长波长。 第一光导层（27）和第二光导层（27）具有双重结构。 包层（21）由AlGaN和InAlGaN中的至少一种形成。 第一外延半导体区域（15）的厚度比核心半导体区域的厚度厚。

公开(公告)号：KR1020110006638A

公开(公告)日：2011-01-20

申请号：KR1020100067900

申请日：2010-07-14

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아키타가츠시 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  도쿠야마신지 ,  요시즈미유스케 ,  스미토모다카미치 ,  우에노마사키

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/065

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/2004 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202

Abstract: PURPOSE: A III-family nitride semiconductor laser diode is provided to easily stabilize an oscillation mode in an optical guide layer by forming thick optical guide layer and active layer. CONSTITUTION: A III-family nitride substrate(13) includes a semi-polar major face(13a). An n-type clad layer(15) is composed of a III-family nitride containing aluminum. A p-type clad layer(19) is composed of an active layer(17) and the III-family nitride containing aluminum. A first optical guide layer(21) is installed between the n-type clad layer and the active layer. A second optical guide layer is installed between the p-type clad layer and the active layer.

Abstract translation: 目的：提供III族氮化物半导体激光二极管，通过形成厚的导光层和有源层，容易地使光导层中的振荡模式稳定。 构成：III族氮化物衬底（13）包括半极性主面（13a）。 n型覆盖层（15）由含有铝的III族氮化物组成。 p型覆盖层（19）由有源层（17）和含有铝的III族氮化物组成。 第一光导层（21）安装在n型覆层和有源层之间。 第二光导层安装在p型覆盖层和有源层之间。

公开(公告)号：KR1020100099066A

公开(公告)日：2010-09-10

申请号：KR1020100018589

申请日：2010-03-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 엔야요헤이 ,  요시즈미유스케 ,  오사다히데키 ,  이시바시게이지 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키

IPC: H01L33/16

CPC classification number: H01L33/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/32 ,  H01S5/20 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333

Abstract: PURPOSE: A gallium nitride-based semiconductor optical device, a method for manufacturing the same, and an epitaxial wafer are provided to obtain a low piezo effect by forming an indium gallium nitride well layer. CONSTITUTION: A gallium nitride-based semiconductor optical device(11a) includes a supporter(13), a gallium nitride-based semiconductor region(15), and a semiconductor epitaxial layer(19) for an active layer(17). The gallium nitride-based semiconductor optical device includes a gallium nitride-based semiconductor region(21) which is installed on the active layer. The gallium nitride-based semiconductor region includes an electronic block layer(23), a p-type clad layer(25), and a p-type contact layer(27). The gallium nitride-based semiconductor optical device includes optical trapping layers(29, 31).

Abstract translation: 目的：提供一种氮化镓基半导体光学器件及其制造方法和外延晶片，以通过形成氮化铟镓阱层来获得低压电效应。 构成：氮化镓系半导体光学元件（11a）具备支撑体（13），氮化镓系半导体区域（15）和活性层（17）的半导体外延层（19）。 氮化镓系半导体光学元件包括安装在有源层上的氮化镓系半导体区域（21）。 氮化镓系半导体区域包括电子阻挡层（23），p型覆盖层（25）和p型接触层（27）。 氮化镓系半导体光学元件包括光捕获层（29,31）。

公开(公告)号：KR101308761B1

公开(公告)日：2013-09-17

申请号：KR1020117010094

申请日：2010-07-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아키타가츠시 ,  이시즈카다카시 ,  후지이게이 ,  나가이요우이치

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/035209 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02466 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02546 ,  H01L31/03042 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/109 ,  H01L31/184 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 Ⅴ족 구성 원소로서 Sb을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 갖는 수광층과 n형 InP창층을 갖고 있고 암전류를 저감 가능한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자를 제공한다. 이 수광 소자는, 수광층(21)의 GaAsSb층의 성장시에 공급된 안티몬의 메모리 효과에 의해, 수광층(23) 상에 성장되는 InP층(23)에, 불순물로서 안티몬이 포함된다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자(11)에서, InP층(23)은 불순물로서 안티몬을 포함하고, InP층(23)에는 n형 도펀트로서 실리콘이 첨가되어 있다. InP층(23) 중의 안티몬 불순물은 정공을 생성하도록 작용하지만, 이 생성 캐리어를 InP층(23)중에 첨가된 실리콘이 보상하여, InP층(23)의 제2 부분(23d)은 충분한 n 도전성을 나타낸다.

公开(公告)号：KR101269315B1

公开(公告)日：2013-05-29

申请号：KR1020117020627

申请日：2009-12-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 후지이게이 ,  우에노마사키 ,  아키타가츠시 ,  교노다카시 ,  요시즈미유스케 ,  스미토모다카미치 ,  엔야요헤이

IPC: H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/3404 ,  H01S2304/04

Abstract: 반극성면을이용하여낮은임계치를제공할수 있는Ⅲ족질화물반도체레이저를제공한다. 반도체기판(13)의주면(13a)은, GaN의 a축방향으로 GaN의 c축방향의기준축(Cx)에직교하는기준면에대하여 50도이상 70도이하범위의경사각 A으로경사진다. 제1 클래드층(15), 활성층(17) 및제2 클래드층(19)이반도체기판(13)의주면(13a) 상에형성되어있다. 활성층(17)의우물층(23a)은 InGaN으로이루어진다. 이반도체레이저가레이저발진에도달하기전에활성층으로부터출사되는 LED 모드에있어서의편광도(P)가 -1 이상 0.1 이하이다. Ⅲ족질화물반도체레이저의편광도(P)는 LED 모드에있어서의광의그 X1 방향의전계성분 I1과그 X2 방향의전계성분 I2를이용하여, P=(I1-I2)/(I1+ I2)에의해서규정된다.

公开(公告)号：KR101238464B1

公开(公告)日：2013-03-04

申请号：KR1020107017039

申请日：2009-07-16

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  교노다카시 ,  아다치마사히로 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  도쿠야마신지 ,  가타야마고지 ,  나카무라다카오 ,  이케가미다카토시

IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/028 ,  H01S5/3202 ,  H01S2301/14

Abstract: 본 발명은 육방정계 Ⅲ족 질화물의 c축이 m축의 방향으로 경사진 지지 기체의 반극성면 상에서, 저임계값 전류를 가능하게 하는 레이저 공진기를 갖는 Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자를 제공한다. 레이저 공진기가 되는 제1 및 제2 단면(27, 29)이, mn면에 교차한다. Ⅲ족 질화물 반도체 레이저 소자(11)는, mn면과 반극성면(17a)의 교차선의 방향으로 연장되는 레이저 도파로를 갖는다. 이에 따라, 저임계값 전류를 가능하게 하는 밴드 천이의 발광을 이용할 수 있다. 레이저 구조체(13)에서는, 제1 면(13a)은 제2 면(13b)의 반대측의 면이다. 제1 및 제2 단면(27, 29)은, 제1 면(13a)의 엣지(13c)에서 제2 면(13b)의 엣지(13d)까지 연장된다. 단면(27, 29)은, 드라이 에칭에 의해 형성되지 않고, c면, m면 또는 a면 등의 이제까지의 벽개면과는 다르다.

公开(公告)号：KR101151953B1

公开(公告)日：2012-06-04

申请号：KR1020097027194

申请日：2009-04-24

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 교노다카시 ,  요시즈미유스케 ,  엔야요헤이 ,  아키타가츠시 ,  우에노마사키 ,  스미토모다카미치 ,  나카무라다카오

IPC: H01S5/343 ,  H01L33/32 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02389 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01S5/305 ,  H01S5/3086 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/3211 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/04

Abstract: 양호한표면모폴로지를갖는질화갈륨계반도체막을포함하는 III족질화물반도체소자를제공한다. III족질화물반도체광소자(11a)는, III족질화물반도체지지체(13), GaN계반도체영역(15), 활성층(17) 및 GaN계반도체영역(19)을구비한다. III족질화물반도체지지체(13)의주요면(13a)은기준축(Cx)에직교하는기준평면(Sc)에대하여경사지며비극성을나타내고, 기준축(Cx)은 III족질화물반도체의 c축방향으로연장된다. GaN계반도체영역(15)은반극성주요면(13a) 위에형성된다. GaN계반도체영역(15)의 GaN계반도체층(21)은예컨대 n형 GaN계반도체로이루어지고, n형 GaN계반도체에는실리콘이첨가된다. GaN계반도체층(23)의산소농도가 5×10㎝이상일때, GaN계반도체층(23)의주요면위에서계속해서성장하는활성층(17)의결정품질이양호해진다.