公开(公告)号：KR100170536B1

公开(公告)日：1999-03-30

申请号：KR1019950016990

申请日：1995-06-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베게이이치로 ,  세키유이치로 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지 ,  츠노다카시

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C30B25/02 ,  C30B29/04

Abstract: No wide bulk diamond wafer exists at present. A wide diamond-coated wafer is proposed instead of the bulk diamond wafer. Diamond is heteroepitaxially deposited on a convex-distorted non-diamond single crystal substrate by a vapor phase deposition method. In an early step, a negative bias is applied to the substrate. In the case of a Si substrate, an intermediate layer of beta -SiC is first deposited on the Si substrate by supplying a low carbon concentration material gas. Then the carbon concentration is raised for making a diamond film. The convex-distorted wafer is stuck to a holder having a shaft which is capable of inclining to the holder. The wafer is pushed to a turn-table of a polishing machine. The convex diamond wafer can fully be polished by inclining the holder to the shaft. A wide distorted mirror wafer of diamond is produced. Fine wire patterns can be made on the diamond mirror wafer by the photolithography.

公开(公告)号：KR1020130031182A

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020117030353

申请日：2011-02-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 시오미히로무 ,  다마소히데토 ,  하라다신 ,  츠노다카시 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 본 발명은, 온 저항의 저감을 도모하는 것이 가능한 탄화규소 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 반도체 장치 및 탄화규소 기판의 제조 방법을 제공한다. 탄화규소 기판(10)은, 주표면을 갖는 탄화규소 기판(10)으로서, 주표면의 적어도 일부에 형성된 SiC 단결정 기판(1)과, SiC 단결정 기판(1)의 주위를 둘러싸도록 배치된 베이스 부재(20)를 포함한다. 베이스 부재(20)는, 경계 영역(11)과 하지 영역(12)을 포함한다. 경계 영역(11)은, 주표면을 따른 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, 내부에 결정립계를 갖는다. 하지 영역(12)은, 주표면에 대하여 수직인 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, SiC 단결정 기판(1)에서의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019960002530A

公开(公告)日：1996-01-26

申请号：KR1019950016990

申请日：1995-06-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 다나베게이이치로 ,  세키유이치로 ,  이케가야아키히코 ,  후지모리나오지 ,  츠노다카시

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 SAW(탄성표면파 소자), 서미스터, 반도체 바이스용 기판 또는 내압디스크, 디스크보호막, X선 창 등에 이용할 수 있는 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 넓은 면적을 갖는 기존의 웨이퍼상에 다이아몬드막을 막측이 볼록해지도록 기상성장시키고, 막측이 볼록인 복합재료를 홀더면이 경사질 수 있도록 한 연마장치에 의하여 연마하고 박막의 앞면을 연마하며, 이에 따라 휘어짐이 있는 큰 면적의 평탄한 다이아몬드 경면 웨이퍼를 얻을 수 있는 것을 특징으로 한다.