公开(公告)号：KR1020130014488A

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：KR1020127013178

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 시오미히로무 ,  센다야스히코 ,  이토사토미 ,  후지카와가즈히로 ,  시마다시게키 ,  겐바준 ,  데라오다케미 ,  후루쇼마사루

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC classification number: C23C16/4584 ,  C23C16/45504 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/481 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/872

Abstract: 복수의 서셉터(20～22) 각각에 기판(10～12)이 탑재된다. 각각에 기판이 탑재된 복수의 서셉터가 서로 상하 방향으로 정해진 간격이 마련되도록 회전 기구에 배치된다. 복수의 서셉터가 배치된 회전 기구가 회전한다. 각각에 기판이 탑재된 복수의 서셉터가 가열된다. 회전하면서 가열되는 서셉터의 각각에, 경로 길이가 대략 같은 가스 유로를 경유하면서 가열된 원료 가스를 공급함으로써, 반도체 박막이 퇴적된다.

公开(公告)号：KR100445275B1

公开(公告)日：2004-10-14

申请号：KR1019980709583

申请日：1997-05-26

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 야마모또가쯔꼬 ,  이구찌다까히사 ,  구마자와요시아끼 ,  다나까가쯔유끼 ,  시오미히로무 ,  쯔노다까시 ,  후지모리나오지

IPC: H01L21/68

CPC classification number: H01L21/67138 ,  B23K26/382 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/20 ,  B23K2201/35 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/52 ,  Y10T428/24355 ,  Y10T428/24628 ,  Y10T428/24802 ,  Y10T428/24917 ,  Y10T428/24926 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/30

Abstract: 본 발명은 베이스 상의 압착에 이용되는 면, 이 면과 반대되는 면 또는 이들 면과 교차하는 2면 이상의 측면에, 1 ×10
-4 Ω㎝ 이상 1 ×10
3 Ω㎝ 미만의 비저항을 갖고, 그 막 두께가 0.1 ㎛ 이상 500 ㎛ 이하의 범위인 도전성 다결정 다이아몬드막이 기상 합성에 의해 막 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 一种导电多晶金刚石薄膜，其电阻率至少为1×10 -4〜 OMEGA m并且小于1×10 3。 通过气相合成在用于压接的表面上，与该表面相对的表面或至少在0.1μm至不大于500μm的范围内的OMEGA m或至少 两个侧面与基板上的这些表面相交。 ＆lt;图像＆GT;

公开(公告)号：KR1020130116161A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：KR1020127029324

申请日：2011-11-04

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야자키도미히토 ,  시오미히로무 ,  다마소히데토 ,  마스다다케요시

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28238 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: 본 발명에 따른 SiC 반도체 장치의 제조 방법은, SiC 기판(1)의 표면에 산화막(3)을 형성하는 공정(스텝 S3)과, 산화막(3)을 제거하는 공정(스텝 S5)을 포함하고, 산화막(3)을 형성하는 공정(스텝 S3)에서는, 오존 가스를 이용한다. 산화막(3)을 제거하는 공정(스텝 S5)에서는, 할로겐 플라즈마 또는 수소 플라즈마를 이용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 약액에 관한 문제를 저감하며, 세정 효과를 높이는 SiC 반도체 장치의 제조 방법 및 SiC 반도체 장치의 제조 장치를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130076791A

公开(公告)日：2013-07-08

申请号：KR1020127012240

申请日：2011-02-23

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이토사토미 ,  시오미히로무 ,  나미카와야스오 ,  와다게이지 ,  시마즈미츠루 ,  히요시도루

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02301 ,  H01L21/046 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068

Abstract: SiC 반도체 장치(200)를 제조하는 방법은, 적어도 일부에 불순물이 주입된 제1 표면(100a)을 포함하는 탄화규소 반도체(100)를 준비하는 공정과, 탄화규소 반도체(100)의 제1 표면(100a)을, 수소 가스를 포함하는 가스를 이용하여 드라이 에칭함으로써, 제2 표면(100b)을 형성하는 공정과, 제2 표면(100b) 상에, SiC 반도체 장치(200)를 구성하는 산화막(126)을 형성하는 공정을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130031182A

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：KR1020117030353

申请日：2011-02-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 시오미히로무 ,  다마소히데토 ,  하라다신 ,  츠노다카시 ,  나미카와야스오

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0495 ,  H01L29/04 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 본 발명은, 온 저항의 저감을 도모하는 것이 가능한 탄화규소 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 반도체 장치 및 탄화규소 기판의 제조 방법을 제공한다. 탄화규소 기판(10)은, 주표면을 갖는 탄화규소 기판(10)으로서, 주표면의 적어도 일부에 형성된 SiC 단결정 기판(1)과, SiC 단결정 기판(1)의 주위를 둘러싸도록 배치된 베이스 부재(20)를 포함한다. 베이스 부재(20)는, 경계 영역(11)과 하지 영역(12)을 포함한다. 경계 영역(11)은, 주표면을 따른 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, 내부에 결정립계를 갖는다. 하지 영역(12)은, 주표면에 대하여 수직인 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, SiC 단결정 기판(1)에서의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를 갖는다.

公开(公告)号：KR1020130092377A

公开(公告)日：2013-08-20

申请号：KR1020127019037

申请日：2011-06-29

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 히요시도루 ,  와다게이지 ,  마스다다케요시 ,  시오미히로무

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7395

Abstract: MOSFET(100)는, {0001}면에 대한 오프각이 50° 이상 65° 이하인 주면(1A)을 갖는 탄화규소 기판(1)과, 이 주면(1A) 상에 형성된 버퍼층(2) 및 드리프트층(3)과, 드리프트층(3) 상에 접촉하여 형성된 게이트 산화막(91)과, 드리프트층(3)에 있어서 게이트 산화막(91)과 접촉하는 영역을 포함하도록 형성되고, 도전형이 p형인 p형 보디 영역(4)을 구비하고 있다. 그리고, p형 보디 영역(4)에 있어서의 p형 불순물 밀도는 5×10
16 cm
-3 이상이다.

公开(公告)号：KR1020130083821A

公开(公告)日：2013-07-23

申请号：KR1020127011250

申请日：2011-02-25

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 이토사토미 ,  시오미히로무 ,  나미카와야스오 ,  와다게이지 ,  시마즈미츠루 ,  히요시도루

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02057 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: There is provided a method for manufacturing a SiC semiconductor device achieving improved performance. The method for manufacturing the SiC semiconductor device includes the following steps. That is, a SiC semiconductor is prepared which has a first surface having at least a portion into which impurities are implanted (S1-S3). By cleaning the first surface of the SiC semiconductor, a second surface is formed (S4). On the second surface, a Si-containing film is formed (S5). By oxidizing the Si-containing film, an oxide film constituting the SiC semiconductor device is formed (S6).

公开(公告)号：KR1020130075715A

公开(公告)日：2013-07-05

申请号：KR1020127013313

申请日：2011-05-02

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 시오미히로무 ,  다마소히데토

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/02 ,  H01L29/47 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/2007 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/808 ,  H01L29/872

Abstract: 저비용으로 고품질의 반도체 장치, 및 이 반도체 장치의 제조에 이용하는 접합 기판, 및 이들의 제조 방법을 얻을 수 있다. 반도체 소자의 제조 방법은, 단결정 반도체 부재를 준비하는 공정(S10)과, 지지 기재를 준비하는 공정(S20)과, 지지 기재와 단결정 반도체 부재를, 탄소를 포함하는 접합층을 개재시켜 접합하는 공정(S30)과, 단결정 반도체 부재의 표면에 에피택셜층을 형성하는 공정(S40)과, 에피택셜층을 이용하여 반도체 소자를 형성하는 공정(S50)과, 반도체 소자를 형성하는 공정(S50) 후, 접합층을 산화시킴으로써 분해하여 지지 기재로부터 단결정 반도체 부재를 분리하는 공정(S60)과, 지지 기재로부터 분리된 단결정 반도체 부재를 분할하는 공정(S80)을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130141338A

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR1020127015391

申请日：2011-08-09

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오오이나오키 ,  시오미히로무

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/047 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802

Abstract: 마스크층(31)에 형성된 제1 개구부를 경유한 이온 주입에 의해서 제1 불순물 영역(123)이 형성된다. 마스크층(31)이 마련된 에칭 스톱층상에 스페이서층(32)을 퇴적함으로써, 마스크층(31) 및 스페이서층(32)을 갖는 마스크부(30)가 형성된다. 스페이서층(32)을 이방적으로 에칭함으로써, 마스크부(30)에, 제2 측벽에 의해서 둘러싸인 제2 개구부(P2)가 형성된다. 제2 개구부(P2)를 경유한 이온 주입에 의해서 제2 불순물 영역(124)이 형성된다. 제2 측벽은, 제2 깊이(D2)와 동일한 높이(HT)에 걸쳐서, 표면(SO)에 대한 각도(AW)가 90°±10°이다. 이에 따라, 불순물 영역의 확대 정밀도를 높일 수 있다.

公开(公告)号：KR1020130139738A

公开(公告)日：2013-12-23

申请号：KR1020127017416

申请日：2011-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 오오이나오키 ,  시오미히로무

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/0465 ,  H01L21/31116 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/66712

Abstract: A method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device (100) includes the step of forming a mask pattern of a silicon oxide film (31) by removing a portion of the silicon oxide film (31) by means of etching employing a gas containing oxygen gas and at least one fluorine compound gas selected from a group consisting of CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , and SF 6 .