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1.모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
Title translation: 包含单体,单体和使用该硬掩模组合物的图案形成方法的硬掩模组合物公开(公告)号:KR101788093B1
公开(公告)日:2017-10-19
申请号:KR1020140032392
申请日:2014-03-19
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07C217/84 , C07C217/86 , G03F7/06 , G03F7/004
CPC classification number: C09D7/63 , C07C233/80 , C07C251/24 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07C2603/50 , C09D5/006 , G03F7/0752 , G03F7/094
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 상기하드마스크조성물을사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]A, B, B′, L, L′, X 및 X′의정의는명세서에기재된바와같다.
Abstract translation: 包含该单体的硬掩模组合物,以及使用该硬掩模组合物的图案形成方法。 A,B,B',L,L',X和X'的定义如说明书中所述。
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公开(公告)号:KR101754901B1
公开(公告)日:2017-07-06
申请号:KR1020140059252
申请日:2014-05-16
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/09 , G03F7/075 , H01L21/02 , H01L21/027 , G03F7/40
CPC classification number: G03F7/094 , C08L65/00 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31144 , H01L21/32139
Abstract: 하기화학식 1로표현되는부분을포함하는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A 및 B는명세서내에서정의한바와같다.
Abstract translation: 包含由下式(1)表示的部分的聚合物和溶剂。 其中A和B如说明书中所定义。
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3.하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
Title translation: HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法公开(公告)号:KR101698510B1
公开(公告)日:2017-01-23
申请号:KR1020130073946
申请日:2013-06-26
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, k, l, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体,包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 在化学式1中,A,A',L,X,X',k,l,m和n与专利说明书中的相同。
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4.하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 使用HARDMASK组合物形成图案的HARDMASK组合物方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR101696197B1
公开(公告)日:2017-01-13
申请号:KR1020130074687
申请日:2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 하기화학식 1로표현되는모노머, 하기화학식 2로표현되는부분을포함하는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, X, X, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 在一个实施方案中提供了具有在溶剂中的溶解性和间隙填充和平坦化性能,同时具有令人满意的耐热性和耐蚀刻性的硬掩模组合物。 提供由化学式1表示的单体,具有由化学式2表示的部分的聚合物和包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1] [化学式2]在化学式1和2中,A,A',A“,L,L',X,X',X ^ a,X ^ b,m和n定义为 与说明书相同。
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5.하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 使用HARDMASK组合物形成图案的HARDMASK组合物方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR101684978B1
公开(公告)日:2016-12-09
申请号:KR1020130074689
申请日:2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 하기화학식 1로표현되는모노머, 하기화학식 2로표현되는부분을가지는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m, n, Ar 및 B는명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 在一个实施方案中提供了具有在溶剂中的溶解性和间隙填充和平坦化性能,同时具有令人满意的耐热性和耐蚀刻性的硬掩模组合物。 提供由化学式1表示的单体,具有由化学式2表示的部分的聚合物和包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1] [化学式2]在化学式1和2中,A,A',A“,L,L',X,X',m,n,Ar和B与 规范。
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6.하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: 使用HARDMASK组合物形成图案的HARDMASK组合物方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR101680274B1
公开(公告)日:2016-11-29
申请号:KR1020130074691
申请日:2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 첨가제, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. 또한상기조성물을사용한패턴형성방법및 상기방법에따른반도체집적회로디바이스를제공한다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 在本发明中,提供了一种硬掩模组合物,其包含由化学式1表示的硬掩模组合物的单体,添加剂和溶剂。 此外,提供了通过使用该组合物形成图案的方法和该方法的半导体集成电路器件。 化学式1中的A,A',A“,L,L',X,X',m和n如说明书中所定义。
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7.하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 审中-实审
Title translation: 包含该单体的硬掩模组合物,以及使用该硬掩模组合物的图案形成方法公开(公告)号:KR1020160132803A
公开(公告)日:2016-11-21
申请号:KR1020160148964
申请日:2016-11-09
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, X″및 k, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 包含该单体的硬掩模组合物,以及使用其的图案形成方法。 式1如在式1中,A,A 'L,X,X',X“和K,M和n定义是在说明书中。
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公开(公告)号:KR101590809B1
公开(公告)日:2016-02-02
申请号:KR1020120153751
申请日:2012-12-26
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′및 n은명세서에서정의한바와같다.
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9.하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权
Title translation: HARDMASK组合物,使用HARDMASK组合物形成图案的方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置公开(公告)号:KR1020150002953A
公开(公告)日:2015-01-08
申请号:KR1020130074691
申请日:2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/265 , H01L21/0273 , H05K3/46
Abstract: In the present invention, provided is a hardmask composition, comprising monomers for hardmask composition denoted by chemical formula 1, additives and solvents. Also, provided are a method for forming patterns by using the composition and a semiconductor integrated circuit device of the method. A, A′, A″, L, L′, X, X′, m and n in chemical formula 1 are described as defined in the specification.
Abstract translation: 在本发明中,提供了一种硬掩模组合物,其包含由化学式1表示的硬掩模组合物的单体,添加剂和溶剂。 此外,提供了通过使用该组合物形成图案的方法和该方法的半导体集成电路器件。 化学式1中的A,A',A“,L,L',X,X',m和n如说明书中所定义。
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10.모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权
Title translation: HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法公开(公告)号:KR1020140083621A
公开(公告)日:2014-07-04
申请号:KR1020120153566
申请日:2012-12-26
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07C49/792 , G03F7/004
CPC classification number: G03F7/027 , C07C49/788 , C07C49/792 , C07C49/796 , C07C49/798 , C07C49/83 , C07C49/835 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/30 , G03F7/36 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20 , G03F7/202
Abstract: The present invention relates to a monomer for a hard mask composition represented by the following formula 1, a hard mask composition including the monomer, and a method of forming a pattern using the hard mask composition. In formula 1, the definitions of A^1 to A^3, X^1, X^2, L^1, L^2, Y^1, Y^2, n1 and n2 are the same as described in the specification.
Abstract translation: 本发明涉及由下式1表示的硬掩模组合物单体,包含该单体的硬掩模组合物以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法。 在式1中,A 1至A 3,X 1,X 2,L 1,L 2,Y 1,Y 2,n 1和n 2的定义与说明书中所述相同 。
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