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1.发明授权
公开(公告)号：KR101583225B1
公开(公告)日：2016-01-07
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
Abstract: 열에의해분해될수 있는보호기로보호되어있는열염기발생제를포함하는실리카계절연층형성용조성물을제공한다. 상기실리카계절연층형성용조성물은고온에서산화반응에의해치밀한실리카글래스로전환되었을때, 기재의수축률및 실리카계절연층의수축률을감소시키고, 보관안정성을개선시킬수 있다.
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2.发明公开하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020150002929A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130073947
申请日：2013-06-26
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07D401/14 , C07D407/10 , G03F7/11
CPC classification number: C07D401/14 , C07D407/10 , G03F7/11
Abstract: According to an embodiment, in the present invention, provided is a monomer for a hardmask composition, which secures gap-fill and flatness properties while having etch resistance. The present invention relates to a monomer for a hardmask composition denoted by chemical formula 1, a hardmask composition including the monomer, and a forming method of patterns using the same. In chemical formula 1, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m and n are described as defined in the specification.
Abstract translation: 根据一个实施方案，在本发明中，提供了用于硬掩模组合物的单体，其确保了间隙填充性和平坦性，同时具有耐蚀刻性。 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用其的形成方法。 在化学式1中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n如说明书中所定义。
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3.发明公开하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权HARDMASK组合物，使用HARDMASK组合物形成图案的方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR1020150001446A
公开(公告)日：2015-01-06
申请号：KR1020130074689
申请日：2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , G03F7/004 , G03F7/265 , H01L21/0273 , H05K3/46
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
[화학식 2]
상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m, n, Ar 및 B는 명세서에서 정의한 바와 같다.Abstract translation: 在一个实施方案中提供了具有在溶剂中的溶解性和间隙填充和平坦化性能，同时具有令人满意的耐热性和耐蚀刻性的硬掩模组合物。 提供由化学式1表示的单体，具有由化学式2表示的部分的聚合物和包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1] [化学式2]在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，Ar和B与 规范。
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4.发明公开갭필용 충전제의 제조 방법, 상기 제조 방법에 따라 제조되는 갭필용 충전제, 및 상기 충전제를 사용한 반도체 커패시터의 제조 방법 无效制备GAP填料剂的方法，使用其制备的GAP填料剂以及使用GAP填料剂制造半导体电容器的方法
公开(公告)号：KR1020140087978A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130074682
申请日：2013-06-27
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: H01L21/31 , H01L21/8242 , H01L27/108
Abstract: Provided are a manufacturing method of a filler for filling a gap, comprising manufacturing hydrogenation polysilazane by putting 50-70 parts by weight of ammonia based on 100 parts by weight of halo-silane at a rate of 1 to 15 g/hr after injecting the halo-silane into an alkaline solvent, a filler for filling a gap manufactured by the manufacturing method, and a manufacturing method of a semiconductor capacitor using the same.
Abstract translation: 本发明提供填充间隙填料的制造方法，其特征在于，在注入所述间隙后，以1〜15g / hr的速度，以100重量份的卤代硅烷为基准，添加50〜70重量份的氨，制造氢化聚硅氮烷 卤代硅烷变成碱性溶剂，用于填充由该制造方法制造的间隙的填料和使用其的半导体电容器的制造方法。
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公开(公告)号：KR1020140087644A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020120158167
申请日：2012-12-31
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: H01B3/46 , C08L83/08 , H01L21/02123
Abstract: Provided is a composition for forming a silica-based insulating layer which comprises a thermal base generator protected by a protective group decomposed by heat. The composition for forming a silica-based insulating layer reduces a shrinkage factor of a base material and reduces a shrinkage factor of the silica-base insulating layer, and improves the storage stability, when substituted to a dense silica glass by an oxidation reaction at a high temperature.
Abstract translation: 提供了一种用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物，其包含由热分解的保护基保护的热碱发生体。 用于形成二氧化硅基绝缘层的组合物降低了基材的收缩率并降低了二氧化硅基绝缘层的收缩率，并且当通过氧化反应代替致密二氧化硅玻璃时，提高了储存稳定性 高温。
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Patent Agency Ranking6.发明公开하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR1020150002928A
公开(公告)日：2015-01-08
申请号：KR1020130073946
申请日：2013-06-26
Applicant: 제일모직주식회사
CPC classification number: G03F7/2041 , B41C2210/24 , C07C43/257 , C07C211/57 , C08G61/10 , G03F7/004 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, k, l, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 在化学式1中，A，A'，L，X，X'，k，l，m和n与专利说明书中的相同。
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7.发明公开개질 수소화 폴리실록사잔을 포함하는 실리카계 절연층 형성용 조성물, 실리카계 절연층 형성용 조성물의 제조방법, 실리카계 절연층 및 실리카계 절연층의 제조방법 有权改性氢化聚硅氧烷，其中包含其的基于二氧化硅的绝缘层的组合物，用于形成基于二氧化硅的绝缘层的组合物的制造方法，基于二氧化硅的绝缘层以及用于制造基于二氧化硅的绝缘层的方法
公开(公告)号：KR1020140087998A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: Provided is a modified hydrogenated polysiloxazane prepared by reacting hydrogenated polysiloxazane with a silane compound selected from the group consisting of polysilane, polycyclosilane and a silane oligomer. The modified hydrogenated polysiloxazane has small molar ratio of nitrogen atoms with respect to silicon atoms, and can markedly decrease layer shrinkage ratio during manufacturing a silica-based insulating layer when applied in a composition for manufacturing the silica-based insulating layer.
Abstract translation: 本发明提供了一种通过氢化聚硅氧氮烷与选自聚硅烷，聚环硅烷和硅烷低聚物的硅烷化合物反应制备的改性氢化聚硅氧氮烷。 改性氢化聚硅氧氮烷相对于硅原子具有小的氮原子摩尔比，并且当在用于制造二氧化硅基绝缘层的组合物中时，在制造二氧化硅基绝缘层期间可以显着降低层收缩率。
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公开(公告)号：KR101767083B1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：KR1020130133605
申请日：2013-11-05
Applicant: 제일모직주식회사
Inventor： 송현지 , 박은수 , 임상학 , 곽택수 , 김고은 , 김미영 , 김보선 , 김봉환 , 나융희 , 배진희 , 서진우 , 윤희찬 , 이한송 , 전종대 , 한권우 , 홍승희 , 황병규
CPC classification number: C08G77/54 , C08G77/60 , C08G77/62 , C09D183/02 , C09D183/14 , C09D183/16 , H01B3/02 , H01B3/303 , H01B3/46 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/0229 , H01L21/02326
Abstract: 수소화폴리실록사잔에폴리실란, 폴리사이클로실란및 실란올리고머로이루어진군에서선택되는실란화합물을반응시켜제조되는개질수소화폴리실록사잔을제공한다. 상기개질수소화폴리실록사잔은, 실리콘원자에대한질소원자의몰비가작기때문에실리카계절연층형성용조성물에적용되어실리카계절연층형성시막 수축률을현저히감소시킬수 있다.
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9.发明授权하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용하는 패턴형성방법 有权HARDMASK组合物和HARDMASK组合物的单体包括单体和使用HARDMASK组合物形成图案的方法
公开(公告)号：KR101705756B1
公开(公告)日：2017-02-13
申请号：KR1020130073948
申请日：2013-06-26
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: C07C39/12 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 化学式1的A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n具有与专利说明书相同的定义。
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10.发明授权하드마스크 조성물, 이를 사용한 패턴 형성 방법 및 상기 패턴을 포함하는 반도체 집적회로 디바이스 有权使用HARDMASK组合物形成图案的HARDMASK组合物方法和包括图案的图案的半导体集成电路装置
公开(公告)号：KR101684977B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020130075886
申请日：2013-06-28
Applicant: 제일모직주식회사
IPC: G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 하기화학식 1로표현되는모노머, 하기화학식 2로표현되는모노머, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물을제공한다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L′, X, X′, m, n, B, Y, R및 R은명세서에서정의한바와같다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种确保溶剂的溶解性，间隙填充和平坦化性能的硬掩模组合物，并且可以满足耐蚀刻性和光学性能。 提供含有由化学式1表示的单体，由化学式2表示的单体和溶剂的硬掩模组合物。 在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，B，Y，R 1和R 2如说明书中所述定义。
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