公开(公告)号：KR1020150002929A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130073947

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유정 ,  김윤준 ,  박유신 ,  송현지 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07D401/14 ,  C07D407/10 ,  G03F7/11

CPC classification number: C07D401/14 ,  C07D407/10 ,  G03F7/11

Abstract: According to an embodiment, in the present invention, provided is a monomer for a hardmask composition, which secures gap-fill and flatness properties while having etch resistance. The present invention relates to a monomer for a hardmask composition denoted by chemical formula 1, a hardmask composition including the monomer, and a forming method of patterns using the same. In chemical formula 1, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m and n are described as defined in the specification.

Abstract translation: 根据一个实施方案，在本发明中，提供了用于硬掩模组合物的单体，其确保了间隙填充性和平坦性，同时具有耐蚀刻性。 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物以及使用其的形成方法。 在化学式1中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n如说明书中所定义。

公开(公告)号：KR1020150001446A

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：KR1020130074689

申请日：2013-06-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 김혜정 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유신 ,  박유정 ,  송현지 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H05K3/46

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 가지는 중합체, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m, n, Ar 및 B는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 在一个实施方案中提供了具有在溶剂中的溶解性和间隙填充和平坦化性能，同时具有令人满意的耐热性和耐蚀刻性的硬掩模组合物。 提供由化学式1表示的单体，具有由化学式2表示的部分的聚合物和包含溶剂的硬掩模组合物。 [化学式1] [化学式2]在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，Ar和B与 规范。

公开(公告)号：KR1020140085120A

公开(公告)日：2014-07-07

申请号：KR1020120155328

申请日：2012-12-27

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 이성재 ,  문준영 ,  박유정 ,  전환승 ,  조연진 ,  이철호

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F1/10 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0273

Abstract: Provided is a hard mask composition which includes an aromatic ring-containing compound and a solvent including a structure unit represented by chemical formula 1. [Chemical formula 1] In chemical formula 1, L, X and n are defined as in the specification. In addition, a method for forming patterns using the hard mask composition and a semiconductor integrated circuit device including multiple patterns formed by the method are provided.

Abstract translation: 提供包含含芳环的化合物和包含由化学式1表示的结构单元的溶剂的硬掩模组合物。[化学式1]在化学式1中，L，X和n如说明书中所定义。 此外，提供了使用该硬掩模组合物形成图案的方法以及包括通过该方法形成的多个图案的半导体集成电路器件。

公开(公告)号：KR1020140083696A

公开(公告)日：2014-07-04

申请号：KR1020120153753

申请日：2012-12-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 문준영 ,  조연진 ,  이성재 ,  박유정 ,  윤용운 ,  이철호 ,  이충헌

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76804 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Provided is a method for forming a dual damascene structure of a semiconductor element which is as follows: (a) first and second insulation layers are sequentially formed on a substrate; (b) a resist mask with a pattern for forming a via-hole is formed on the second insulation layer; (c) a via-hole is formed to a bottom of the first insulation layer; (d) a hard mask layer is formed on the via-hole and the second insulation layer by using a spin-on-coating method; (e) a resist mask with a pattern for forming a trench hole is formed on the hard mask layer; (f) a first trench hole is formed to a bottom of the second insulation layer through the resist mask; (g) each of portions of a hard mask layer, which are formed on the via-hole and the second insulation layer, are removed; (h) a portion of the second insulation layer between a top corner of the via-hole (via top corner) and a bottom corner of the first trench hole (trench bottom corner) is removed to form a second trench hole; (i) a remaining hard mask layer, which is formed on the via-hole and the second insulation layer, is removed; and (j) the via-hole and the second trench hole are buried with a conductive material, such that an upper interconnection is formed.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体元件的双镶嵌结构的方法，其如下：（a）第一和第二绝缘层依次形成在基板上; （b）在第二绝缘层上形成具有用于形成通孔的图案的抗蚀剂掩模; （c）在第一绝缘层的底部形成通孔; （d）使用旋涂法在通孔和第二绝缘层上形成硬掩模层; （e）在硬掩模层上形成具有用于形成沟槽的图案的抗蚀剂掩模; （f）通过抗蚀剂掩模，在第二绝缘层的底部形成第一沟槽; （g）去除形成在通孔和第二绝缘层上的硬掩模层的各部分; （h）去除所述通孔的顶角（经由顶角）和所述第一沟槽的底角（沟槽底角）之间的所述第二绝缘层的一部分，以形成第二沟槽; （i）除去形成在通孔和第二绝缘层上的剩余硬掩模层; 和（j）通孔和第二沟槽用导电材料掩埋，从而形成上互连。

公开(公告)号：KR101937319B1

公开(公告)日：2019-01-10

申请号：KR1020160148964

申请日：2016-11-09

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유신 ,  박유정 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07C39/12 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  G03F7/26 ,  G03F7/004 ,  H05K3/46

公开(公告)号：KR101666484B1

公开(公告)日：2016-10-17

申请号：KR1020130073947

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유정 ,  김윤준 ,  박유신 ,  송현지 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07D401/14 ,  C07D407/10 ,  G03F7/11

Abstract: 하기화학식 1로표현되는하드마스크조성물용모노머, 상기모노머를포함하는하드마스크조성물및 이를사용한패턴형성방법에관한것이다. [화학식 1]상기화학식 1에서, A, A', A″, L, L', X, X′, m 및 n은명세서에서정의한바와같다.

公开(公告)号：KR1020150117174A

公开(公告)日：2015-10-19

申请号：KR1020140042631

申请日：2014-04-09

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유정 ,  김미영 ,  김윤준 ,  남연희 ,  송현지 ,  문준영 ,  이충헌 ,  정슬기 ,  정태홍

IPC: G03F7/09 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: G03F7/094 ,  G03F7/091 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0332

Abstract: 하기화학식 1로표현되는구조단위및 하기화학식 2로표현되는구조단위를포함하는중합체, 그리고용매를포함하는하드마스크조성물에관한것이다. [화학식 1][화학식 2]상기화학식 1 및 2에서, Ar, Ar, M및 M는명세서내에서정의한바와같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种硬掩模组合物，其包含：包含化学式1表示的结构单元和化学式2表示的结构单元的聚合物; 和溶剂。 [化学式1] [化学式2]在式11和式2中，Ar 1，Ar 2，M 1和M 2与说明书中所定义相同。

公开(公告)号：KR1020150003034A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130075886

申请日：2013-06-28

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 신승욱 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유신 ,  박유정 ,  송현지 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/26 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/004 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H05K3/46

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 모노머, 하기 화학식 2로 표현되는 모노머, 그리고 용매를 포함하는 하드마스크 조성물을 제공한다.
[화학식 1]

[화학식 2]

상기 화학식 1 및 2에서, A, A', A″, L, L′, X, X′, m, n, B, Y, R
1 및 R
2 은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种确保溶剂的溶解性，间隙填充和平坦化性能的硬掩模组合物，并且可以满足耐蚀刻性和光学性能。 提供含有由化学式1表示的单体，由化学式2表示的单体和溶剂的硬掩模组合物。 在化学式1和2中，A，A'，A“，L，L'，X，X'，m，n，B，Y，R 1和R 2如说明书中所述定义。

公开(公告)号：KR1020150002931A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130073949

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 송현지 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유신 ,  박유정 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07C39/12 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C39/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/11 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H05K3/46

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A, A′, L, X, X′, X″ 및 k, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 化学式1的A，A，A'，L，X，X'，X“，k，m和n具有与专利说明书相同的定义。

公开(公告)号：KR1020150002930A

公开(公告)日：2015-01-08

申请号：KR1020130073948

申请日：2013-06-26

Applicant: 제일모직주식회사

Inventor： 박유신 ,  김상균 ,  김윤준 ,  김고은 ,  김영민 ,  김혜정 ,  문준영 ,  박요철 ,  박유정 ,  송현지 ,  신승욱 ,  윤용운 ,  이충헌 ,  최유정 ,  홍승희

IPC: C07C39/12 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C39/12 ,  G03F7/04 ,  G03F7/11 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0273 ,  H05K3/46

Abstract: 하기 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]

상기 화학식 1에서, A, A′, A″, L, L′, X, X′, m 및 n은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，包含该单体的硬掩模组合物和使用其形成图案的方法。 化学式1的A，A'，A“，L，L'，X，X'，m和n具有与专利说明书相同的定义。