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公开(公告)号：KR102059658B1
公开(公告)日：2019-12-26
申请号：KR1020170134434
申请日：2017-10-17
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
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公开(公告)号：KR101723846B1
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150084906
申请日：2015-06-16
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G01Q60/24
Abstract: 본발명에따르는열탄성팽창을이용한초고해상도광음향원자현미경장치는, 제1레이저빔을생성하는제1레이저; 제2레이저빔을생성하는제2레이저; 상기제1레이저빔을대물대에위치하는대상물의소정영역에조사하는레이저빔 전달부; 상기대상물의표면과맞닿는팁; 상기팁과결착됨과아울러상기제2레이저빔을제공받아반사시켜출사시키는캔틸레버; 및상기캔틸레버에의해반사되는제2레이저빔을검출하는광 검출기;를구비함을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明的使用热弹性膨胀的超高分辨率光声原子显微镜设备包括：用于产生第一激光束的第一激光器; 第二激光器，用于产生第二激光束; 激光束传输单元，用于将第一激光束照射到位于目标物体处的物体的预定区域上; 与物体表面接触的尖端; 悬臂，其接合到所述尖端并接收所述第二激光束并反射所述激光束并发射所述第二激光束; 以及用于检测由悬臂反射的第二激光束的光电探测器。
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公开(公告)号：KR1020160148750A
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：KR1020150084906
申请日：2015-06-16
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G01Q60/24
Abstract: 본발명에따르는열탄성팽창을이용한초고해상도광음향원자현미경장치는, 제1레이저빔을생성하는제1레이저; 제2레이저빔을생성하는제2레이저; 상기제1레이저빔을대물대에위치하는대상물의소정영역에조사하는레이저빔 전달부; 상기대상물의표면과맞닿는팁; 상기팁과결착됨과아울러상기제2레이저빔을제공받아반사시켜출사시키는캔틸레버; 및상기캔틸레버에의해반사되는제2레이저빔을검출하는광 검출기;를구비함을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020200145236A
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：KR1020190073959
申请日：2019-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본원은특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질및 상기특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질상에형성된점 결함(point defect)을포함하는것인, 압전물질에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020170130784A
公开(公告)日：2017-11-29
申请号：KR1020160061422
申请日：2016-05-19
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/16 , C01B31/04 , H01L21/768 , H01L21/02 , H01L21/28 , H01L29/772
Abstract: 그래핀층이형성되는기판을점착력(adhesion force)이큰 물질을사용하여, 그래핀층상에형성되는유전체층을균일하게형성할수 있는그래핀기판과그 제조방법및 그래핀기판을포함하는트랜지스터가개시된다. 개시된그래핀기판은 0.08nN/nm 이상의점착력(adhesion force)을갖는기판, 상기기판에구비된그래핀층및 상기그래핀층에구비된유전체층;을포함하며, 상기기판의점착력은실리콘팁(Si tip)을이용하여측정된다.
Abstract translation: 包括其上形成有石墨烯层的基板的石墨烯基板的晶体管可以由使用具有粘附力的材料在石墨烯层上形成的介电层均匀地形成，其制造方法和石墨烯基板。 所公开的石墨烯衬底包括具有0.08nN / nm或更大的粘附力的衬底，设置在衬底上的石墨烯层和设置在石墨烯层上的介电层， 它是通过使用所测量的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102220805B1
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：KR1020190073959
申请日：2019-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 부산대학교 산학협력단
Abstract: 본원은특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질및 상기특정방향에대해서압전성이발현되지않는물질상에형성된점 결함(point defect)을포함하는것인, 압전물질에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160138620A
公开(公告)日：2016-12-06
申请号：KR1020150072666
申请日：2015-05-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L21/3063 , H01L21/324
Abstract: 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법이개시된다. 원자적으로평평한다결정(polycrystalline) STO 기판제조방법은다결정(polycrystalline) STO(SrTiO) 기판을에칭하는단계; 및상기다결정 STO 기판을어닐링하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101862072B1
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020180005835A
公开(公告)日：2018-01-17
申请号：KR1020160085989
申请日：2016-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0392 , H01L21/288 , H01L21/02 , H01L31/18 , H01L31/0224
CPC classification number: H01L21/02 , H01L21/288 , H01L31/0224 , H01L31/0392 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L21/02205 , H01L21/02549 , H01L21/2885 , H01L31/022441 , H01L31/1884 , H01L2924/01051 , H01L2924/10672
Abstract: 본발명은기판위에비진공상태의전기증착을이용하여반투명막층이형성되는 S1 단계; 및반투명막층위에비진공상태의전기증착을이용하여활성층이형성되는 S2 단계를포함하며, 반투명막층에서특정방향의우선배향성이정해지고, 활성층은반투명막층에서정해진특정방향으로성장하는것을특징으로하는가시광영역의흡수성특성을갖는산화물반도체제조방법에관한것이다. 저온전기증착공정으로성장된 p형산화물반도체의단점인높은비저항문제를, 금속계면활성제를통해전기화학적성장거동을제어하여해결하는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在可见光区域中具有吸收特性的氧化物半导体的方法，所述方法包括：S1步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态的基板上形成半透明膜层; 以及S2步骤，用于通过使用电沉积在非真空状态下在半透明膜层上形成有源层，其中半透明膜层的优选取向在特定方向上确定，并且有源层在确定的特定方向上生长 在半透明膜层中。 通过用金属表面活性剂控制电化学生长行为，本发明显示了解决高电阻率问题的效果，即，在低温电沉积工艺中生长的p型氧化物半导体的缺点。
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