公开(公告)号：KR1020130017685A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：KR1020110080262

申请日：2011-08-11

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최경진 ,  신재철 ,  김재화 ,  김도양 ,  권초롱 ,  김효진

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00 ,  B82Y40/00

Abstract: PURPOSE: An InGaAs(indium gallium arsenide) nanowire is provided to have excellent optical/electrical property without misfit dislocation by growing with volmer-weber method on silicon board patterned by a large area nano imprint method. CONSTITUTION: A manufacturing method of an InGaAs nanowire comprises the following steps. SiO2 is deposited on silicon substrate(111). On SiO2 layer, the nano hole pattern is formed. InxGa1-xAs nano array is perpendicularly grown along the form of nano hole pattern. The SiO2 layer is 10-300nm thickened by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD). The nano hole pattern is formed by the nano imprint lithography method. The nano hole comprises the diameter of 50-500nm and the distance between the holes is 400-1000nm. The InxGa1-xAs nano wire is grown by the metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) on the patterned silicon substrate. [Reference numerals] (111) Silicon substrate

Abstract translation: 目的：通过在大面积纳米压印方法图案化的硅板上采用伏安法进行生长，提供InGaAs（砷化铟镓）纳米线，具有优异的光学/电学性能，无误差位错。 构成：InGaAs纳米线的制造方法包括以下步骤。 SiO 2沉积在硅衬底（111）上。 在SiO2层上形成纳米孔图案。 In x Ga 1-x As纳米阵列沿着纳米孔图案的形式垂直生长。 通过等离子体增强化学气相沉积（PECVD），SiO 2层增厚10-300nm。 纳米孔图案通过纳米压印光刻法形成。 纳米孔的直径为50-500nm，孔间距为400-1000nm。 InxGa1-xAs纳米线通过金属 - 有机化学气相沉积（MOCVD）在图案化的硅衬底上生长。 （111）硅基板

公开(公告)号：KR100541305B1

公开(公告)日：2006-01-16

申请号：KR1020010088870

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L31/09

Abstract: 본 발명은 양자우물을 적외선 흡수층으로 사용하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 생성하는 단계와, 상기 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판 상부에 SiO
2 유전체를 소정의 두께로 도포하는 단계와, 상기 SiO
2 유전체가 도포된 GaAs/AlGaAs 양자우물구조 기판을 소정의 온도로 열처리하는 단계를 포함하는 양자우물 적외선 검출소자의 제조방법에 관한 것이다.
양자우물, 적외선 흡수층, 양자우물 적외선 검출소자, 양자우물 무질서화, 밴드갭

公开(公告)号：KR100599357B1

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020050002987

申请日：2005-01-12

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  송진동 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L21/20 ,  H01L31/00

Abstract: 본 발명은 양점점 구조를 가지는 반도체 소자 제조시, 낮은 양자점 성장온도에 의해서 생성된 결함을 유전층을 형성한 후 열처리를 실시하여 감소시키기 위한 양자점 구조를 가지는 반도체 소자를 제조하기 위한 발명에 관한 것으로써, a) 기판을 준비하는 단계; b) 상기 기판상에 버퍼층을 형성하는 단계; c) 상기 버퍼층 상에 양자점을 형성하는 단계; d) 상기 양자점 상에 제 1 덮개층을 형성하는 단계; e) 상기 제 1 덮개층 상에 SiO
2 유전막을 형성하는 단계; 및 f) 열처리를 실시하는 단계를 포함하는 양자점 구조를 가지는 반도체 소자의 제조 방법을 제공함으로써 광특성을 향상시킬 수 있다.
양자점, 유전막, 열처리, 결함, 감쇠시간(decay time)

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造具有量子点结构的半导体器件的发明，该半导体器件通过在形成介电层之后进行热处理而在具有双边结构的半导体器件中形成由低量子点生长温度产生的缺陷， a）制备基底; b）在衬底上形成缓冲层; c）在缓冲层上形成量子点; d）在量子点上形成第一覆盖层; e）形成第一层SiO

公开(公告)号：KR1020030058421A

公开(公告)日：2003-07-07

申请号：KR1020010088870

申请日：2001-12-31

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 최원준 ,  한일기 ,  박용주 ,  조운조 ,  김은규 ,  이정일 ,  신재철

IPC: H01L31/09

Abstract: PURPOSE: A method of changing wavelength response of quantum well infrared photo-detectors by using quantum well intermixing technique is provided to change the detected wavelength band of the quantum well infrared photo-detectors by using a substrate having a changed band gap of a quantum well infrared absorption layer. CONSTITUTION: A band gap of a quantum well infrared absorption layer of quantum well infrared photo-detectors is increased by using various quantum well intermixing processes. A quantum well infrared detection device is fabricated by using a substrate having the increased band gap of the quantum well infrared absorption layer. Various dielectric capping layers such as SiO2, SiNx, and SrF2 are coated on the substrate. The band gap of the quantum well infrared absorption layer is increased by performing a thermal process for the substrate.

Abstract translation: 目的：通过使用量子阱混合技术改变量子阱红外光电探测器的波长响应的方法，通过使用量子阱的带隙改变的衬底来改变量子阱红外光电检测器的检测波长带 红外吸收层。 构成：量子阱红外光电探测器的量子阱红外吸收层的带隙通过使用各种量子阱混合过程增加。 通过使用具有增加的量子阱红外线吸收层的带隙的衬底来制造量子阱红外检测装置。 各种电介质覆盖层如SiO 2，SiN x和SrF 2涂覆在基片上。 通过对衬底进行热处理来增加量子阱红外线吸收层的带隙。