경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법
    1.
    发明公开
    경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법 有权
    固化多孔组合物及其制备方法及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020150062595A

    公开(公告)日:2015-06-08

    申请号:KR1020130147415

    申请日:2013-11-29

    CPC classification number: C09D193/00 B05D3/00 C09D7/40 C09D175/06

    Abstract: 본발명은황금빛을나타내는천연수지인황칠을광 (전자빔, 감마선) 또는열 경화성단량체와배합하여, 라디칼반응이가능한황칠성분을가교된고분자사슬에화학적으로결합시키거나, 화학반응에참여가불가능한성분은물리적으로고분자그물망사이에고립시켜황칠의성질을유지하면서도, 경화시간단축, 내스크래치성, 내열성, 내용매성, 내염기성, 내산성등이우수한황칠고분자재료에관한것이다. 개발된광경화황칠고분자는우수한도막의성질뿐만아니라, 황칠색의농도를조율할수 있고, 경화시간을수분까지단축시킴으로공정의경제성을갖는다. 또한, 코팅공정이간단하여, 손잡이, 핸드폰, 아크릴제품, 유리용기, 손톱강화코팅소재, 화장품용기, 다기, 전자제품, 포장재, 식품및 보관용재료등에사용이가능하며, 은은한황금색은제품의고급화가요구되는곳에사용될수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及具有优异的硬化时间降低,耐擦伤性,耐热性,耐溶剂性,耐碱性和耐酸性的Dendropanax morbifera聚合物材料。 作为表达金色光的天然树脂的树枝状芽孢杆菌与光(电子束或γ射线)或热硬化单体结合以化学结合能够具有自由基反应的Dendropanax morbifera组分和交联聚合物链或物理 在聚合物网中分离不可能参与化学反应的组分,从而保持Dendropanax morbifera的性质。 开发的光硬化树胶提取物聚合物具有优异的膜性能,可以调节Dendropanax morbifera颜色的浓度,并将硬化时间缩短到一小段,从而确保经济可行性。 此外,涂布方法简单,因此可以用于手柄,蜂窝电话,丙烯酸制品,玻璃容器,指甲增强涂层材料,化妆品容器,茶杯,电子产品,包装材料,食品和储存材料, 并且当产品需要高档化时,可以使用其淡黄金色。

    경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법
    2.
    发明授权
    경화 황칠화학조성물, 이의 제조방법 및 황칠도막의 제조방법 有权
    固化剂HWANGCHIL组合物的制备方法及其制备方法

    公开(公告)号:KR101549468B1

    公开(公告)日:2015-09-03

    申请号:KR1020130147415

    申请日:2013-11-29

    Abstract: 본발명은황금빛을나타내는천연수지인황칠을광 (전자빔, 감마선) 또는열 경화성단량체와배합하여, 라디칼반응이가능한황칠성분을가교된고분자사슬에화학적으로결합시키거나, 화학반응에참여가불가능한성분은물리적으로고분자그물망사이에고립시켜황칠의성질을유지하면서도, 경화시간단축, 내스크래치성, 내열성, 내용매성, 내염기성, 내산성등이우수한황칠고분자재료에관한것이다. 개발된광경화황칠고분자는우수한도막의성질뿐만아니라, 황칠색의농도를조율할수 있고, 경화시간을수분까지단축시킴으로공정의경제성을갖는다. 또한, 코팅공정이간단하여, 손잡이, 핸드폰, 아크릴제품, 유리용기, 손톱강화코팅소재, 화장품용기, 다기, 전자제품, 포장재, 식품및 보관용재료등에사용이가능하며, 은은한황금색은제품의고급화가요구되는곳에사용될수 있다.

    용탕이송장치
    4.
    发明授权
    용탕이송장치 失效
    熔体转移装置

    公开(公告)号:KR100302456B1

    公开(公告)日:2002-01-15

    申请号:KR1019980055707

    申请日:1998-12-17

    Abstract: 본 발명은 용탕이송장치에 관한 것으로, 펌프케이스(12)를 용해로(11)의 외부에 위치되도록 설치하고, 용해로(11)에서 용탕이 용해되면 진공발생수단(18)으로 펌프케이스(12)의 공기를 펌핑하여 용해로(11)에서 펌프케이스(12)로 용탕을 이송한 다음, 펌프케이스(12)로 이송된 용탕은 가압수단(19)으로 펌프케이스(12)에 가스를 주입하여 펌프케이스(12)의 용탕을 주조용 모울드로 급탕되도록 함으로써, 종래와 같이 펌프케이스가 용해로의 내측에 위치되지 않으므로 용해로에서 용해되는 용탕의 양을 증가시킬 수 있고, 펌프케이스가 용해되어 불순물로 작용하는 것도 방지된다.

    천연 오일도료
    5.
    发明公开
    천연 오일도료 审中-实审
    天然油画颜料

    公开(公告)号:KR1020170052904A

    公开(公告)日:2017-05-15

    申请号:KR1020150154997

    申请日:2015-11-05

    Abstract: 본발명은천연오일도료에관한것으로서, 더욱상세하게는천연건성유(drying oil)를원료로사용하여산소기체분위기및 코발트담지촉매존재하에서중합시켜제조된오일중합체(polymer oil)가포함된천연오일도료에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明中,更具体地,自然干燥(干性油)用作通过聚合氧气气氛和钴 - 负载型催化剂下制备的原料五天聚合物(聚合物油)饱和也天然油涂层涉及一种天然油漆 Lt。

    이온빔을이용한산화물기판표면의전처리방법및이를이용한질화물박막형성방법

    公开(公告)号:KR1019990041209A

    公开(公告)日:1999-06-15

    申请号:KR1019970061766

    申请日:1997-11-21

    Abstract: 본 발명은 에너지를 가지는 반응성 이온입자를 기판표면에 조사함으로써, 산화물 기판표면을 질화물로 개질시키는 방법이며, 이렇게 표면개질된 기판에 성장하는 박막의 성질을 변화시킬 수 있으며, 결정성등 그 특성이 뛰어난 박막을 형성할 수 있다. 특별히 예를 들면, 종래의 열처리로 이루어지는 기판처리에 의해서는 고품위 GaN박막을 형성하기에는 Al
    2 O
    3 기판이 한계를 가지고 있었으나, Al
    2 O
    3 기판에 본 발명에 의한 이온빔 표면처리를 하여 우선 기판상에 AlN을 형성시키고, 그 위에 GaN을 증착시키므로써 물성이 우수한 고품위 GaN박막을 형성시킬 수 있다.

    부력과 가스압력을 이용한 용융금속의 급탕펌프
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:KR1019960008875B1

    公开(公告)日:1996-07-05

    申请号:KR1019940005129

    申请日:1994-03-15

    Abstract: The supply pump, used in transporting molten metal from a furnace to a continuous casting device or a mould for ingot, includes a pump container(1) equipped with a gas supply pipe(2) and a discharge pipe(3) for molten metal, and an automatic suction valve(V) having a valve housing(4) which is mounted on the bottom of the pump container and has a suction opening(5) on its bottom surface, and a valve member(6) which is floatable and sinkable due to the buoyancy of molten metal and the pressure of gas. The valve member(6) may be formed in a spherical shape, a conical shape or a pyramidal shape.

    Abstract translation: 用于将熔融金属从炉运送到连续铸造装置的供应泵或用于锭的模具包括:具有气体供给管(2)和用于熔融金属的排出管(3)的泵容器(1) 和具有阀壳体(4)的自动吸入阀(V),所述阀壳体安装在所述泵容器的底部,并且在其底面上具有吸入口(5),以及可浮动和沉降的阀构件(6) 由于熔融金属的浮力和气体的压力。 阀构件(6)可以形成为球形,圆锥形或锥体形。

    질소 공급원으로서 질소 원자-활성종을 사용하는 유기금속화학증착에 의한 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:KR100346015B1

    公开(公告)日:2002-08-01

    申请号:KR1019990053735

    申请日:1999-11-30

    Abstract: 본발명은유기금속화학증착법에의한단결정, 비정질또는다결정의 III족금속질화물박막의성장방법에있어서질소의공급원으로서활성상태의질소원자 (N, 질소원자-활성종)를사용하는것에관한것이다. 본발명에따르면, 종래의 III족금속질화물의유기금속화학증착법에서질소공급원으로사용되는암모니아기체 (NH) 대신, 질소원자-활성종, 특히유전체장벽방전에의한질소원자-활성종을사용함으로써, 약 700 ℃내지 1000 ℃의저온에서단결정사파이어 (α-AlO) 뿐만아니라, 실리콘 (Si), 갈륨비소 (GaAs) 또는석영웨이퍼, 또는다결정의실리카유리 (SiO-유리) 기판위에도단결정, 비정질또는다결정의 III족금속질화물박막을성장시킬수 있다. 또한, 암모니아를사용하는경우처럼질소원자-활성종을불필요하게많은양으로공급하지않아도될 뿐아니라, 필요에따라충분한양의질소원자-활성종을공급할수 있기때문에 III족금속질화물박막의성장속도가빨라진다.

    질소 공급원으로서 질소 원자-활성종을 사용하는 유기금속화학증착에 의한 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법
    9.
    发明公开
    질소 공급원으로서 질소 원자-활성종을 사용하는 유기금속화학증착에 의한 III족 금속 질화물 박막의 성장 방법 失效
    通过有机化合物化学气相沉积方法生长第III族金属氮化物薄膜的方法使用活性氮中的氮原子作为氮源供应源

    公开(公告)号:KR1020010048874A

    公开(公告)日:2001-06-15

    申请号:KR1019990053735

    申请日:1999-11-30

    CPC classification number: C23C16/452 C07F5/063 C23C16/303

    Abstract: PURPOSE: An organometallic compound chemical vapor deposition method is provided which grows a group III metallic nitride thin film on a substrate by using a nitrogen atom in the active state instead of ammonia as a nitrogen supplying source. CONSTITUTION: The method for growing a single crystalline group III metallic nitride thin film on a substrate comprises the process of chemical vapor deposition reacting the substrate at 700 to 1000 deg.C of a temperature of the substrate inside a chemical vapor deposition reactor using an organometallic compound precursors or a mixture thereof as a supplying source of group III elements, and using a nitrogen atom in the active state (nitrogen atom-active type) as a nitrogen supplying source, wherein the substrate is a crystalline sapphire (α-Al2O3), silicon (Si), gallium arsenic (GaAs) or quartz wafer, or silica glass.

    Abstract translation: 目的:提供一种有机金属化合物化学气相沉积方法,其通过使用活性氮原子代替氮作为氮源,在基板上生长III族金属氮化物薄膜。 构成:在衬底上生长单晶III族金属氮化物薄膜的方法包括在化学气相沉积反应器内的化学气相沉积反应器中使用有机金属化合物使化学气相沉积在700至1000℃下使衬底的温度反应 化合物前体或其混合物作为III族元素的供应源,并且使用活性态的氮原子(氮原子活性型)作为氮供应源,其中所述基底是结晶蓝宝石(α-Al 2 O 3), 硅(Si),砷化镓(GaAs)或石英晶片,或石英玻璃。

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