Abstract:
본 발명은 용탕이송장치에 관한 것으로, 펌프케이스(12)를 용해로(11)의 외부에 위치되도록 설치하고, 용해로(11)에서 용탕이 용해되면 진공발생수단(18)으로 펌프케이스(12)의 공기를 펌핑하여 용해로(11)에서 펌프케이스(12)로 용탕을 이송한 다음, 펌프케이스(12)로 이송된 용탕은 가압수단(19)으로 펌프케이스(12)에 가스를 주입하여 펌프케이스(12)의 용탕을 주조용 모울드로 급탕되도록 함으로써, 종래와 같이 펌프케이스가 용해로의 내측에 위치되지 않으므로 용해로에서 용해되는 용탕의 양을 증가시킬 수 있고, 펌프케이스가 용해되어 불순물로 작용하는 것도 방지된다.
Abstract:
본 발명은 에너지를 가지는 반응성 이온입자를 기판표면에 조사함으로써, 산화물 기판표면을 질화물로 개질시키는 방법이며, 이렇게 표면개질된 기판에 성장하는 박막의 성질을 변화시킬 수 있으며, 결정성등 그 특성이 뛰어난 박막을 형성할 수 있다. 특별히 예를 들면, 종래의 열처리로 이루어지는 기판처리에 의해서는 고품위 GaN박막을 형성하기에는 Al 2 O 3 기판이 한계를 가지고 있었으나, Al 2 O 3 기판에 본 발명에 의한 이온빔 표면처리를 하여 우선 기판상에 AlN을 형성시키고, 그 위에 GaN을 증착시키므로써 물성이 우수한 고품위 GaN박막을 형성시킬 수 있다.
Abstract:
The supply pump, used in transporting molten metal from a furnace to a continuous casting device or a mould for ingot, includes a pump container(1) equipped with a gas supply pipe(2) and a discharge pipe(3) for molten metal, and an automatic suction valve(V) having a valve housing(4) which is mounted on the bottom of the pump container and has a suction opening(5) on its bottom surface, and a valve member(6) which is floatable and sinkable due to the buoyancy of molten metal and the pressure of gas. The valve member(6) may be formed in a spherical shape, a conical shape or a pyramidal shape.
Abstract:
PURPOSE: An organometallic compound chemical vapor deposition method is provided which grows a group III metallic nitride thin film on a substrate by using a nitrogen atom in the active state instead of ammonia as a nitrogen supplying source. CONSTITUTION: The method for growing a single crystalline group III metallic nitride thin film on a substrate comprises the process of chemical vapor deposition reacting the substrate at 700 to 1000 deg.C of a temperature of the substrate inside a chemical vapor deposition reactor using an organometallic compound precursors or a mixture thereof as a supplying source of group III elements, and using a nitrogen atom in the active state (nitrogen atom-active type) as a nitrogen supplying source, wherein the substrate is a crystalline sapphire (α-Al2O3), silicon (Si), gallium arsenic (GaAs) or quartz wafer, or silica glass.
Abstract translation:目的:提供一种有机金属化合物化学气相沉积方法,其通过使用活性氮原子代替氮作为氮源,在基板上生长III族金属氮化物薄膜。 构成:在衬底上生长单晶III族金属氮化物薄膜的方法包括在化学气相沉积反应器内的化学气相沉积反应器中使用有机金属化合物使化学气相沉积在700至1000℃下使衬底的温度反应 化合物前体或其混合物作为III族元素的供应源,并且使用活性态的氮原子(氮原子活性型)作为氮供应源,其中所述基底是结晶蓝宝石(α-Al 2 O 3), 硅(Si),砷化镓(GaAs)或石英晶片,或石英玻璃。