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公开(公告)号：WO2020101101A1
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：PCT/KR2018/014845
申请日：2018-11-28
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명의 실시예에 따른 나이오븀 함유 오스테나이트계 스테인리스강 은 크롬 (Cr ) 16 ~ 26중량 %, 니켈 (Ni ) 8 ~ 22중량 탄소 (C) 0.02 ~ 0. 1중량 %, 나이오븀 (Nb) 0.2 ~ 1중량 %, 티타늄 (Ti ) 0.015 ~ 0.025 중량 %, 질소 (N) 0.004 ~ 0.01 중량 %, 그리고 망간 (Mn) 0.5 - 2 중량 %을 포함하고, 오스테나이트계 기지 조직을 가지며, 오스테나이트계 기지 조직 내에 미세 나이오븀 탄화물 및 미세 티타늄 질화물이 석출되어 있으며, 미세 나이오븀 탄화물이 오스테나이트계 기지 조직 내에 균일하게 분산되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020120130027A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：KR1020110048104
申请日：2011-05-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a superconductor thin film is provided to shorten a time for depositing superconductor materials and to improve deposition efficiency of superconductor. CONSTITUTION: A substrate placing unit(10) is heated. The tape type substrate(12) is wound around the outer surface of the substrate placing unit. Reactant is evaporated while the substrate placing unit is rotated. The reactant is deposited in the tape type substrate to form a superconductor thin film. The substrate placing unit is wound with the tape type substrate and then an intermediate layer is formed on the tape type substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种制造超导薄膜的方法，以缩短沉积超导材料的时间并提高超导体的沉积效率。 构成：加热衬底放置单元（10）。 带状基板（12）缠绕在基板放置单元的外表面上。 当基板放置单元旋转时，反应物蒸发。 将反应物沉积在带式衬底中以形成超导体薄膜。 将基片放置单元缠绕在带状基片上，然后在带状基片上形成中间层。
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公开(公告)号：KR1020010055735A
公开(公告)日：2001-07-04
申请号：KR1019990057015
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L39/2454 , B21B3/00 , C30B1/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/22 , C30B29/225
Abstract: PURPOSE: A tape type metal substrate is provided to have the crystal form of a single crystal level and maintain the direction and alignment of a crystal even when an YBCO film is thickly grown in more than several micrometers. CONSTITUTION: A tape type metal substrate rolls nickel metal having the purity of 99.9% or more into a tape type. The tape type substrate(20) is partially heated. The partially heated substrate is slowly passed through a heating furnace(10) so that its £100| axis can be parallel to the tape surface and its £001| axis can be inclined by an angle of 20-30 degree against the tape surface, in the crystal direction of nickel.
Abstract translation: 目的：提供带状金属基板以具有单晶层的晶体形式，并且即使当YBCO膜在几个微米厚度生长时也保持晶体的方向和取向。 构成：带状金属基材将纯度为99.9％以上的镍金属卷成带状。 带状基材（20）被部分加热。 部分加热的基底缓慢通过加热炉（10），使其£100 | 轴可以平行于磁带表面和其£001 | 在镍的晶体方向上，轴可以相对于带表面倾斜20-30度的角度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101238710B1
公开(公告)日：2013-03-04
申请号：KR1020110048104
申请日：2011-05-20
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 본 발명은 초전도체 박막의 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 테이프형 기판에 초전도체 물질을 증착하여 초전도체 박막을 제조할 때 테이프형 기판이 감기는 기판 안착 수단을 먼저 가열한 후 테이프형 기판을 감는 단계를 포함함으로써, 박막 증착 시간을 단축시키고, 고열로 인한 테이프형 기판의 손상 문제를 해결할 수 있는 초전도체 박막의 제조 방법을 제공하는 것이다.
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公开(公告)号：KR1020040074694A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：KR1020030010071
申请日：2003-02-18
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3497 , H01J37/3417
Abstract: PURPOSE: A sputtering apparatus is provided which is appropriate for prompt evaporation of high temperature superconductor by improving evaporation rate and capable of reducing influence of plasma on substrate. CONSTITUTION: The sputtering apparatus comprises two outer cylinders(20) equipped with rotation central shafts(22) with being parallel to each other and positioned with being spaced apart from each other in a certain distance; sputtering targets(30) installed to go around the outer surface of the outer cylinders and positioned so that the sputtering targets are always oppositely directed to each other; cooling means installed inside the outer cylinders respectively to cool the sputtering targets; a sputtering gas injection pipe for supplying the sputtering gas so that sputtering gas passes through a part adjacent to center of the sputtering targets oppositely directed to each other; a tape type substrate(70) positioned with being oppositely directed to the sputtering gas injection pipe and supplied so that the substrate is moved with being approximately parallel to the respective rotation central shafts of the outer cylinders; and a plasma power supply means for producing plasma(52) by ionizing sputtering gas.
Abstract translation: 目的：提供溅射装置，适用于通过提高蒸发速率及降低等离子体对基板的影响，迅速蒸发高温超导体。 构成：溅射装置包括配备有旋转中心轴（22）的两个外筒（20），它们彼此平行并且以一定距离彼此间隔开定位; 溅射靶（30）安装成围绕外筒的外表面并定位成使得溅射靶总是相互指向的; 冷却装置分别安装在外筒内部以冷却溅射靶; 溅射气体注入管，其用于供给溅射气体，使得溅射气体通过与溅射靶的相反方向相对的中心附近的部分; 位于与溅射气体注入管相反方向定位的带状基底（70），以使得基板与外筒的旋转中心轴大致平行地移动; 以及用于通过电离溅射气体产生等离子体（52）的等离子体供电装置。
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公开(公告)号：KR100340784B1
公开(公告)日：2002-06-20
申请号：KR1019990057015
申请日：1999-12-13
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L39/2454 , B21B3/00 , C30B1/00 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/02 , C30B29/22 , C30B29/225
Abstract: 고온초전도체테이프를제작하기위한테이프형금속기판및 그제조방법에관해개시하고있다. 본발명의기판은 99.9% 이상의순도를가진니켈의결정방향이그 [100]축은테이프면과평행이고, 그 [001]축은상기테이프면에대해일정각도로기울어진것을특징으로한다. 이러한기판을제작하기위해, 순도 99.9% 이상의테이프형니켈을압연-스폿용접-이동식열처리한다. 본발명에따르면, 매우긴 길이의테이프형니켈기판을단결정수준으로제작할수 있다. 이러한니켈기판상에코팅된완충막및 고온초전도막의결정축배열은테이프전체길이에대해서완전성을보이고큰 막두께에대해서도안정성을보인다. 따라서, 이러한결정성에의해테이프전체길이에대한임계전류밀도를매우크게할 수있고, YBCO 고온초전도막의두께를두껍게함으로서총 임계전류도크게할 수있다.
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