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公开(公告)号：KR1020180078037A
公开(公告)日：2018-07-09
申请号：KR1020160182994
申请日：2016-12-29
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01T1/2985 , A61B6/037
Abstract: 대면적센서, 상기대면적센서위측면에픽셀화되어배치된복수개의섬광체를포함하는섬광체어레이, 및상기복수개의섬광체각각의일 면에상기섬광체당 한개씩부착되는소면적센서를포함하며, 상기섬광체어레이에접촉되는상기대면적센서의면적은상기섬광체어레이의면적보다작도록되어있는, 양전자방출단층영상장치용검출기를공개한다.
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公开(公告)号：KR101762430B1
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：KR1020150184026
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 광검출효율을향상시킬수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는 p층위에 n웰이형성되는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판;을구비하는실리콘광전자증배센서이며, 센싱하고자하는광은상기 p층에서상기 IC 기판방향으로조사되는광을포함하는이면조사형실리콘광전자증배센서이다.
Abstract translation: 提供了一种能够提高光检测效率的硅光电子倍增传感器。 根据本发明的实施例的硅光伏倍增传感器包括：其中在p层上形成n阱的多个盖革模式雪崩光电二极管（GAPD）结构; 以及盖革模式雪崩光电二极管结构上的IC基板，其中待感测的光是包括从p层向IC基板发射的光的背照式硅光伏放大传感器， 一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170074579A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
Abstract translation: 提供了可以防止串扰现象的硅光电子倍增传感器。 硅光电传感器是多个根据本发明的一个实施例中乘法盖革模式雪崩光电二极管的（盖革模式雪崩光电二极管; GAPD）结构; 盖革模式Avalanche光电二极管结构上的IC基板; 并且在该结构中自盖革模式雪崩啊，所述多个盖革模式的，所产生的盖革模式雪崩光电二极管相邻的次级光阻止的运动作为各和IC基板之间的光电二极管结构的雪崩光电二极管结构 并且在阻挡层之间插入阻挡层。
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公开(公告)号：KR101780489B1
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：KR1020160035439
申请日：2016-03-24
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명에서는실리콘광증배센서의양단출력을이용하여하나의광 검출기어레이를단일증폭기로구동하는기술을제공하고자한다.
Abstract translation: 在本发明中，提供了使用硅饱和度传感器的两个输出来驱动具有单个放大器的一个光电探测器阵列的技术。
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公开(公告)号：KR101897606B1
公开(公告)日：2018-09-12
申请号：KR1020160182994
申请日：2016-12-29
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 대면적센서, 상기대면적센서위측면에픽셀화되어배치된복수개의섬광체를포함하는섬광체어레이, 및상기복수개의섬광체각각의일 면에상기섬광체당 한개씩부착되는소면적센서를포함하며, 상기섬광체어레이에접촉되는상기대면적센서의면적은상기섬광체어레이의면적보다작도록되어있는, 양전자방출단층영상장치용검출기를공개한다.
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公开(公告)号：KR101762431B1
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：KR1020150184020
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , G01J1/04 , G01J1/44
Abstract: 크로스톡현상을방지할수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판; 및하나의가이거모드아발란치포토다이오드구조체에서발생하는 2차광자가인접한가이거모드아발란치포토다이오드구조체로이동하는것을차단하도록, 상기복수개의가이거모드아발란치포토다이오드구조체각각과상기 IC 기판사이에개재되는차단막;을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020170074582A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：KR1020150184026
申请日：2015-12-22
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L31/107 , H01L31/109 , H01L31/0216
Abstract: 광검출효율을향상시킬수 있는실리콘광전자증배센서가제공된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘광전자증배센서는 p층위에 n웰이형성되는복수개의가이거모드아발란치포토다이오드(Geiger mode avalanche photodiode; GAPD) 구조체; 및상기가이거모드아발란치포토다이오드구조체상의 IC 기판;을구비하는실리콘광전자증배센서이며, 센싱하고자하는광은상기 p층에서상기 IC 기판방향으로조사되는광을포함하는이면조사형실리콘광전자증배센서이다.
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