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公开(公告)号：KR1020050093752A
公开(公告)日：2005-09-23
申请号：KR1020050081887
申请日：2005-09-02
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이의 제조방법에 관한 것으로써, 특히 자외선 차단 코팅 층이 형성된 글라스가 폴리머 격벽에 의해 이미지 센서 칩에 부착되어 있고 이미지 센서 칩의 각 입/출력 전극에 형성된 관통홀을 통해 연결된 칩의 뒷면 전극에 솔더 범프가 형성되어 있는 구조를 특징으로 하는 초소형 이미지 센서 모듈 및 이를 구현하기 위한 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 공정에 관한 것이다. 본 발명은 이미지 센서 웨이퍼와 글라스 웨이퍼를 본딩한 후 상기 이미지 센서 웨이퍼에 관통홀을 형성하는 단계; 상기 이미지 센서 웨이퍼에 형성된 관통홀을 전기적 통전물질로 채우는 단계; 및 상기 통전물질 말단에 솔더 범프를 형성하고 회로 형성된 PCB기판과 연결하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면 기존의 웨이퍼 가공 및 금속 증착 공정 장비를 그대로 이용하므로 저가형 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지를 구현할 수 있으며, 기존의 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지보다 두께 방향으로 최소 두께를 가지고, 면적 면에서 이미지 센서 칩과 동일한 면적을 가지는 이미지 센서 모듈을 구현할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于图像传感器模块的晶片级芯片尺寸封装及其制造方法，更具体地涉及一种小型图像传感器模块，其特征在于其中组装有I / R截止滤光器（层）的玻璃被组装 通过聚合物分隔壁将图像传感器芯片放置在图像传感器芯片上，并且在通过形成在图像传感器芯片的每个I / O电极上的通孔连接的芯片的后侧的电极和晶片级芯片尺寸上形成焊料凸块 实现模块的包过程。 一种用于制造用于图像传感器模块的晶片级芯片尺寸封装的方法，所述方法包括：将图像传感器晶片玻璃和玻璃晶片接合以在所述图像传感器晶片上形成通孔; 用激励材料填充形成在图像传感器晶片上的通孔; 并在激励材料的端部形成焊料凸点以与所形成的PCB基板连接。 根据本发明，使用现有的晶片处理和金属沉积设备。 因此，可以实现具有成本效益的晶片级芯片尺寸封装和图像传感器模块，其厚度方向比图像传感器的现有晶片级芯片尺寸封装和与图像传感器芯片相同的区域具有最小厚度。
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公开(公告)号：KR1020050087737A
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：KR1020050028649
申请日：2005-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 칩 웨이퍼와 IR 코팅 층이 증착된 글라스 웨이퍼 간의 직접적인 접착 및 전극 재배열, 다이싱 공정을 통해 구현하는 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이를 이용한 극소형 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 칩 웨이퍼의 각 I/O에 비솔더 범프를 형성한 후 격자 구조의 격벽을 형성한 뒤, 금속 전극 및 배선이 형성된 글라스 기판과 이방성 전도성 필름을 이용해 웨이퍼끼리의 접속을 한 뒤, 글라스 기판 웨이퍼 뒷면에 V자형 노치(Notch)를 형성하고 이 부분에도 역시 금속 배선층을 형성하여 이미지 센서 웨이퍼에서의 전기적 신호가 글라스 기판 전극을 통해 글라스 기판 웨이퍼 뒷면으로 재배열될 수 있도록 배선 및 전극을 형성하고, 이 전극에 솔더 및 비솔더 범프를 형성한 뒤, 개별 이미지 센서 모듈로 다이싱하고 연성 P CB나 플렉서블 기판에 2차 접속을 할 수 있도록 설계된 것을 특징으로 한다. IR 코팅 층이 형성된 글라스 웨이퍼를 IR 코팅 층과 플립 칩 기판으로 동시에 사용하므로 두께 방향 모듈 크기의 최소화와, 면적 방향 모듈 크기의 최소화를 이룰 수 있다.
Abstract translation: 提供一种图像传感器模块，通过使用涂覆有IR滤光器的玻璃作为基底使得图像传感器模块的厚度最小化，使得玻璃具有与图像传感器芯片相同的尺寸。 在每个输入/输出端子处形成非焊料凸块。 除了图像感测区域通过倒装芯片接合工艺电连接到具有IR（红外线）涂层和金属电极的玻璃基板之外，在图像传感器芯片的图像感测表面上形成格子结构的分隔壁 同时进行芯片密封处理。 在将金属互连重新分配到玻璃基板的下表面之后，形成焊料和非焊料凸块。
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公开(公告)号：KR1020030004741A
公开(公告)日：2003-01-15
申请号：KR1020010040386
申请日：2001-07-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: G02F1/1345
CPC classification number: H01B1/22 , H01L24/13 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L2224/13099 , H01L2224/16238 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29387 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/73204 , H01L2224/81903 , H01L2224/83101 , H01L2224/8319 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2224/9211 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H05K3/323 , H05K2201/0212 , H05K2201/0239 , H05K2201/10674 , Y10T428/26 , H01L2224/2919 , H01L2924/00 , H01L2224/16225
Abstract: PURPOSE: An anisotropic conductive film for ultra-fine pitch COG technology and a method for fabricating the same are provided to prevent the electric short between bumps of a semiconductor chip and prevent the drop in the number of conductive particles between the bump of a driving IC and an LCD panel due to the flow of the anisotropic conductive film. CONSTITUTION: An anisotropic conductive film for ultra-fine pitch COG technology includes a thermosetting epoxy resin, conductive particles(224) such as metal particles or metal-plated polymer particles of a predetermined diameter dispersed in the epoxy resin, and non-conductive particles(226) such as polymer balls dispersed in the epoxy resin by a content of 1-30volume% and having a diameter 1/20-1/5 of the diameter of the conductive particles.
Abstract translation: 目的：提供用于超细间距COG技术的各向异性导电膜及其制造方法，以防止半导体芯片的凸块之间的电短路，并防止驱动IC的凸块之间的导电颗粒数量的下降 以及由于各向异性导电膜的流动引起的LCD面板。 构成：用于超细间距COG技术的各向异性导电膜包括热固性环氧树脂，分散在环氧树脂中的预定直径的金属颗粒或金属镀覆聚合物颗粒的导电颗粒（224）和非导电颗粒（ 226），例如分散在环氧树脂中的聚合物球的含量为1-30体积％，并且具有导电颗粒直径的1 / 20-1 / 5的直径。
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公开(公告)号：KR100305750B1
公开(公告)日：2001-09-24
申请号：KR1019990007942
申请日：1999-03-10
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C09J9/02 , C09J163/00 , H01L21/58
CPC classification number: H05K3/323 , H01B1/20 , H01B1/22 , H01L24/27 , H01L24/81 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83192 , H01L2924/07811 , H05K2201/0209 , H05K2201/0239 , H05K2201/10674 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은에폭시수지를주성분으로하고전도성물질, 비전도성물질, 커플링제및 경화제를혼합하여일정한열팽창계수를갖는플라스틱기판의플립칩접속용고신뢰성이방성전도성접착제의제조방법에관한것이다. 본발명은종전의이방성전도성필름이갖고있는전기적전도성과솔더플립칩의하부충전재료 (underfill)의기계적신뢰성향상기능을동시에갖는다. 본발명은플라스틱으로된 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB) 위에이방성전도성접착제 (Anisotropic Conductive Adhesive; ACA)를도포하고플립칩을플라스틱기판에접속한후 열과압력에의해플립칩과플라스틱기판을접속시킴으로써간단한접속공정과높은생산성, 저렴한가격을구현할수 있는새로운 ACA를제공하는것을목적으로한다.
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公开(公告)号：KR100834804B1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：KR1020060132118
申请日：2006-12-21
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L2224/81801 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: A flip-chip interconnecting method using a metal stud stack or a column, and an electric circuit board is provided to reduce a manufacturing cost by reducing the number of processes in comparison with a manufacturing process using an electrolytic bump. A stud stack bump is formed on a chip pad. The stack bump is electrically connected to an electrode pad on a substrate by using one of an isotropic conductive adhesive, an anisotropic conductive adhesive or a non-conductive adhesive or a solder. The stack bump is electrically connected to the electrode pad on the substrate by using a flip-chip connecting method. The length of the bump is 1.5 times and more in comparison with a diameter of a metal electrode exposed to the outside. The length of the bump is 50-200 micrometers.
Abstract translation: 提供使用金属柱堆叠或柱的倒装芯片互连方法和电路板，以与使用电解凸块的制造工艺相比，通过减少工艺数量来降低制造成本。 在芯片焊盘上形成螺柱堆叠凸点。 通过使用各向同性导电粘合剂，各向异性导电粘合剂或非导电粘合剂或焊料中的一种，将堆叠凸块电连接到基板上的电极焊盘。 叠层凸块通过倒装芯片连接方法电连接到衬底上的电极焊盘。 与暴露于外部的金属电极的直径相比，凸块的长度为1.5倍以上。 凸块的长度为50-200微米。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100785488B1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：KR1020050028649
申请日：2005-04-06
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02162 , H01L27/14618 , H01L27/1462 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14687 , H01L31/0203 , H01L31/02325 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 이미지 센서 칩 웨이퍼와 IR 코팅 층이 증착된 글라스 웨이퍼 간의 직접적인 접착 및 전극 재배열, 다이싱 공정을 통해 구현하는 웨이퍼 레벨 칩 사이즈 패키지 및 이를 이용한 극소형 이미지 센서 모듈에 관한 것으로, 이미지 센서 칩 웨이퍼의 각 I/O에 비솔더 범프를 형성한 후 격자 구조의 격벽을 형성한 뒤, 금속 전극 및 배선이 형성된 글라스 기판과 이방성 전도성 필름을 이용해 웨이퍼끼리의 접속을 한 뒤, 글라스 기판 웨이퍼 뒷면에 V자형 노치(Notch)를 형성하고 이 부분에도 역시 금속 배선층을 형성하여 이미지 센서 웨이퍼에서의 전기적 신호가 글라스 기판 전극을 통해 글라스 기판 웨이퍼 뒷면으로 재배열될 수 있도록 배선 및 전극을 형성하고, 이 전극에 솔더 및 비솔더 범프를 형성한 뒤, 개별 이미지 센서 모듈로 다이싱하고 연성 PCB나 플렉서블 기판에 2차 접속을 할 수 있도록 설계된 것을 특징으로 한다. IR 코팅 층이 형성된 글라스 웨이퍼를 IR 코팅 층과 플립 칩 기판으로 동시에 사용하므로 두께 방향 모듈 크기의 최소화와, 면적 방향 모듈 크기의 최소화를 이룰 수 있다.
이미지, 센서, 모듈, CMOSAbstract translation: 提供一种图像传感器模块，通过使用涂覆有IR滤光器的玻璃作为基底使得图像传感器模块的厚度最小化，使得玻璃具有与图像传感器芯片相同的尺寸。 在每个输入/输出端子处形成非焊料凸块。 除了图像感测区域通过倒装芯片接合工艺电连接到具有IR（红外线）涂层和金属电极的玻璃基板之外，在图像传感器芯片的图像感测表面上形成格子结构的分隔壁 同时进行芯片密封处理。 在将金属互连重新分配到玻璃基板的下表面之后，形成焊料和非焊料凸块。
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公开(公告)号：KR100705757B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050021488
申请日：2005-03-15
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/07802 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 칩; 상기 칩상에 형성된 접속패드; 상기 접속패드의 상부에 형성된 금속시드층; 상기 금속시드층의 상부에 형성된 금속칼럼; 상기 금속칼럼이 형성된 영역 이외의 영역에 형성된 보호층; 및 상기 칩상에 형성된 보호층과 금속칼럼에 도포된 비전도성 접착제층을 포함하는 극미세피치용 플립칩 및 이의 제조방법을 제공한다.
플립칩, 극미세피치, 금속칼럼-
公开(公告)号：KR1020060099936A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：KR1020050021488
申请日：2005-03-15
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2924/07802 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 본 발명은 칩; 상기 칩상에 형성된 접속패드; 상기 접속패드의 상부에 형성된 금속시드층; 상기 금속시드층의 상부에 형성된 금속칼럼; 상기 금속칼럼이 형성된 영역 이외의 영역에 형성된 보호층; 및 상기 칩상에 형성된 보호층과 금속칼럼에 도포된 비전도성 접착제층을 포함하는 극미세피치용 플립칩 및 이의 제조방법을 제공한다.
플립칩, 극미세피치, 금속칼럼-
公开(公告)号：KR100484449B1
公开(公告)日：2005-04-22
申请号：KR1020020009920
申请日：2002-02-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C09J9/02
Abstract: 본 발명은 고출력 모듈 접속용 이방성 전도성 접착제 조성물에 관한 것으로,저 전기 저항 도전입자와, 높은 열전도도와 낮은 열팽창계수를 갖는 비도전 입자가 절연수지에 균일하게 첨가됨을 특징으로 하는 고출력 모듈 접속용 접착제 조성물을 개시한다. 상기 구성에 의한 접착제 조성물은 접속저항이 낮고 열전도도가 높으므로 기존의 이방성 전도접착제에 비해 전기적/기계적으로 우수하며 고 임계 전류밀도용 파워모듈의 접속시 매우 우수한 특성을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020030070394A
公开(公告)日：2003-08-30
申请号：KR1020020009920
申请日：2002-02-25
Applicant: 한국과학기술원
IPC: C09J9/02
Abstract: PURPOSE: An anisotropic conductive adhesive composition for joining a high powder module, and an anisotropic conductive film for joining a flip chip and an anisotropic conductive paste using the adhesive composition are provided, wherein the composition has a low electrical resistance, a high critical current density and excellent mechanical properties. CONSTITUTION: The adhesive composition comprises a low electrical resistance conductive particle and a non-conductive particle having a high thermal conductivity and a low coefficient of thermal expansion uniformly dispersed in an insulating resin. Preferably the conductive particle has a resistivity of 0.1-2 μ·Ohm·cm and is at least one selected from copper or a metal-coated copper; and the non-conductive particle has a thermal conductivity of 150-400 W/m·deg.C and a coefficient of thermal expansion of 2-10 ppm/deg.C, and is at least one selected from the group consisting of SiC, AlN and Al2O3.
Abstract translation: 目的：提供一种用于接合高粉末组件的各向异性导电粘合剂组合物和用于使用粘合剂组合物接合倒装芯片和各向异性导电浆料的各向异性导电膜，其中该组合物具有低电阻，高临界电流密度 和优良的机械性能。 构成：粘合剂组合物包括均匀分散在绝缘树脂中的低电阻导电颗粒和具有高热导率和低热膨胀系数的非导电颗粒。 优选地，导电粒子具有0.1-2μΩ·cm的电阻率，并且是选自铜或金属涂覆的铜中的至少一种; 非导电性粒子的导热系数为150〜400W / m·℃，热膨胀系数为2-10ppm /℃，为SiC， AlN和Al2O3。
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