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1.发明授权촉매 금속 식각 방법을 이용한 수직 나노 구조체의 제작방법, 이를 이용하여 제조된 수직 실리콘 나노 구조체, 및 이를 포함하는 소자 有权通过金属辅助化学蚀刻方法使用的垂直对准的硅纳米结构的制造方法，本方法制成的垂直配位的硅纳米结构，以及包含垂直置换的硅纳米结构的器件。
公开(公告)号：KR101353373B1
公开(公告)日：2014-01-21
申请号：KR1020120134272
申请日：2012-11-26
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/306 , H01L27/16
Abstract: Provided are a method for fabricating vertical-type silicon nanowires using a metal assisted chemical etching method, a nanostructure fabricated by the method, and a device including the same. The method for fabricating vertical-type silicon nanowires using a metal assisted chemical etching method according to the present invention fabricates nanowires which are densely arranged and long in order to utilize the nanowires efficiently. When silicon nanowires having a large aspect ratio are fabricated, leaning of the nanowires may occur and as a result, adjacent nanowires may agglomerate together. In order to prevent the adjacent nanowires from agglomerating during a metal assisted chemical etching process, the method for fabricating vertical-type silicon nanowires according to the present invention fabricates a mechanically stable structure to prevent the nanowires from leaning.
Abstract translation: 提供了使用金属辅助化学蚀刻方法制造垂直型硅纳米线的方法，通过该方法制造的纳米结构以及包括该纳米结构的装置。 使用根据本发明的金属辅助化学蚀刻方法制造垂直型硅纳米线的方法制造密集排列并且长时间以有效利用纳米线的纳米线。 当制造具有大纵横比的硅纳米线时，可能发生纳米线的倾斜，结果，相邻的纳米线可以聚集在一起。 为了防止在金属辅助化学蚀刻工艺中相邻的纳米线聚集，根据本发明的用于制造垂直型硅纳米线的方法制造机械稳定的结构以防止纳米线倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101530545B1
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：KR1020140028968
申请日：2014-03-12
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01S5/20
CPC classification number: H01S5/24 , H01L21/3065 , H01S5/1221 , H01S2304/04
Abstract: 본발명은금속의도파관, 상기도파관내부에형성되고테라헤르츠파투과성을갖는유전체지지층, 상기유전체지지층의중앙돌출부에형성되어테라헤르츠파를발생시키는그래핀채널 FET 소자및 상기그래핀에자기장을인가하는자기장인가부를포함하고, 상기유전체지지층은상기테라헤르츠파를가이드하는것을특징으로하는란다우레벨레이저원리를이용한테라헤르츠파발생장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用Landau级激光产生太赫兹波的装置，它包括：金属波导; 形成在波导内的穿透太赫兹波的电介质支撑层; 形成在电介质支撑层的中心突出部分上用于产生太赫兹波的石墨烯通道FET器件; 以及用于向石墨烯施加磁场的磁场施加单元。 电介质支撑层引导太赫兹波。
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公开(公告)号：KR101805515B1
公开(公告)日：2017-12-07
申请号：KR1020160124612
申请日：2016-09-28
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03C7/027 , H03C7/04 , H03C2200/0008
Abstract: 고주파변조기는공진기, 제1 버랙터(varactor) 및제2 버랙터를포함한다. 상기공진기는반송파신호를수신하는제1 단자및 변조신호를출력하는제2 단자를포함한다. 상기제1 버랙터는상기공진기의제1 단자와제1 노드사이에연결된다. 상기제2 버랙터는상기공진기의제2 단자와상기제1 노드사이에연결된다. 상기제1 및제2 버랙터들에인가되는데이터신호에기초하여공진주파수가변하며, 상기공진주파수의변화에기초하여상기변조신호를제어한다.
Abstract translation: 高频调制器包括谐振器，第一变容二极管和第二变容二极管。 谐振器包括用于接收载波信号的第一端子和用于输出调制信号的第二端子。 第一变容二极管连接在谐振器的第一端子和第一节点之间。 第二变容二极管连接在谐振器的第二端子和第一节点之间。 基于施加到第一和第二变容二极管的数据信号来改变谐振频率，并且基于谐振频率的变化来控制调制信号。
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公开(公告)号：KR101661907B1
公开(公告)日：2016-10-04
申请号：KR1020140158864
申请日：2014-11-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은클록신호를송신하는분할링 공진기(split ring resonator) 안테나로형성된분할링 공진기송신기및 상기분할링 공진기송신기와소정거리이격되어공진커플링에의해상기클록신호를전송받는분할링 공진기수신기를포함하는것을특징으로하는공진커플링과플라즈마파동에의한비선형효과를이용한송수신기에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150083771A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140158864
申请日：2014-11-14
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은클록신호를송신하는분할링 공진기(split ring resonator) 안테나로형성된분할링 공진기송신기및 상기분할링 공진기송신기와소정거리이격되어공진커플링에의해상기클록신호를전송받는분할링 공진기수신기를포함하는것을특징으로하는공진커플링과플라즈마파동에의한비선형효과를이용한송수신기에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用等离子体波的非线性效应的收发器和包括形成有分离环谐振器以传输时钟信号的分裂环谐振器发射器的谐振耦合器，以及与 分离环谐振器发射器具有预设的距离，并通过谐振耦合接收时钟信号。
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公开(公告)号：KR1020150031900A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：KR1020130111686
申请日：2013-09-17
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/0611 , H01L29/0661 , H01L29/772 , H01L29/7802
Abstract: 본 발명의 실시 형태는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 형태에 따른 전계효과 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치되는 전극; 상기 기판의 일측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드(energy band) 구조가 다른 제1 반도체 층; 및 상기 기판의 타측에 배치되고, 상기 기판과 에너지 밴드 구조가 다른 제2 반도체 층; 을 포함하고, 상기 기판의 에너지 밴드 갭(energy band gap)은 상기 제1 반도체 층 및 상기 제2 반도체 층의 에너지 밴드 갭보다 크다.Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种场效应晶体管及其制造方法。 根据本发明实施例的场效应晶体管包括：衬底，布置在衬底上的绝缘层，布置在绝缘层上的电极，布置在衬底的一侧上的第一半导体层 并且具有与基板的能带结构不同的能带结构，布置在基板的另一侧并且具有与基板的能带结构不同的能带结构的第二半导体层。 衬底的能带隙大于第一和第二半导体层的能带隙。
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