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公开(公告)号：WO2016035925A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/KR2014/010153
申请日：2014-10-28
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02639 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L29/0673 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/78696
Abstract: 본 발명은 수평 방향의 단결정 나노선을 형성하는 공정의 기술 난이도 및 제조비용을 낮추기 위한 반도체 장치의 제조방법을 위하여, 제 1 영역 및 제 2 영역을 포함하는 기판을 준비하는 단계, 상기 제 1 영역의 기판 위에 나노선이 형성될 위치를 정하고 나노선이 채워질 빈 공간을 마련하는 단계, 상기 제 1 영역에 인접한 부위의 기판 표면을 노출시키는 단계, 노출된 기판 표면으로부터 선택적 단결정 성장이 일어나는 단계, 식각공정을 통해 상기 제 1 영역 내에서는 자가정렬(Self-aligned)방식으로 나노선을 형성하고 제 1 영역 밖에서는 제 2 영역의 배선에 필요한 부위를 제외한 나머지 영역의 단결정 성장층을 제거하는 단계를 포함하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明提供一种用于降低形成水平单晶纳米线的工艺的技术难点和制造成本的半导体器件制造方法，所述半导体器件制造方法包括以下步骤：制备包括第一区域和第二区域的衬底; 确定在所述第一区域的所述基板上形成纳米线的位置，并且设置要填充所述纳米线的空白空间; 暴露与第一区域相邻的部分的基板表面; 从暴露的基底表面引起选择性单晶生长; 以及通过在第一区域内的蚀刻工艺通过自对准方法形成纳米线，并且从第一区域的外部除去除了第二区域的布线所需的部分之外的剩余区域的单晶生长层。
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3.发明公开플렉서블 반도체 방사선 검출기의 제조방법, 이를 이용한 플렉서블 반도체 방사선 검출기 및 이를 포함하는 방사선 영상장치 有权使用该柔性半导体辐射探测器的柔性半导体辐射探测器的制造方法以及包括该柔性半导体辐射探测器
公开(公告)号：KR1020170001074A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：KR1020150090508
申请日：2015-06-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은 SOI(semiconductor-on-insulator) 기판을준비하는단계; 스티칭(stitching) 공정을이용하여상기 SOI 기판상에복수개의픽셀형이미지센서를형성하는단계; 상기복수개의픽셀형이미지센서상에 PDMS(polydimethylsiloxane)층을형성하고, 선택적식각(dicing-by-trench) 공정을이용하여상기 SOI 기판의적어도일부를제거함으로써스탬프를형성하는단계; 상기스탬프의적어도일면상에유연기판을결합하는단계; 및상기스탬프의일부인상기 PDMS층을제거하고, 상기 PDMS층과대응되는영역에섬광체를형성하는단계;를포함하는, 플렉서블반도체방사선검출기의제조방법, 이를이용하여구현한플렉서블반도체방사선검출기및 이를포함하는방사선영상장치를제공한다.
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公开(公告)号：KR101865889B1
公开(公告)日：2018-06-11
申请号：KR1020160161575
申请日：2016-11-30
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은비냉각형적외선센서픽셀의 3차원구조에관한것으로, 비냉각형적외선센서를구성하는픽셀의구조에있어서, 기판; 상기기판상에설치된지지기둥; 상기지지기둥에일단이연결된연결레그; 및상기연결레그의타단이연결되어상기기판으로부터공중으로이격되어위치하는적외선감지부를포함하여구성되며, 상기연결레그는상기적외선감지부의양쪽에 2개가연결되고, 상기 2개의연결레그는각각다른지지기둥에연결되며, 상기연결레그가연결된 2개의지지기둥중에적어도하나는인접한다른픽셀의적외선감지부에일단이연결된연결레그의타단이함께연결된것을특징으로한다. 본발명은, 지지기둥을인접한픽셀에서공유하여사용함으로써, 지지기둥의면적을좁히지않아서지지기둥의기계적안정성은유지하는상태로각 픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄일수 있는효과가있다. 또한, 각픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄여적외선감지부의면적을넓힘으로써, 적외선센서의분해능과성능이향상되고, 나아가웨이퍼당 칩의개수를더 많이획득하게되어제품의가격경쟁력을높일수 있는효과가있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101487746B1
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：KR1020140014399
申请日：2014-02-07
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11551
Abstract: 본 발명의 일 형태에 따른 3차원 구조의 비휘발성 메모리 소자는 기판 및 상기 기판 상으로 상향 신장되며 제 1 도전형의 불순물이 도핑된 적어도 하나의 반도체 기둥 및 상기 적어도 하나의 반도체 기둥을 따라 직렬로 연결된 복수의 메모리셀들을 구비하는, 상기 적어도 하나의 낸드 스트링을 포함한다. 상기 기판은, 상기 적어도 하나의 반도체 기둥과 접하며, 상기 제 1 도전형과 반대되는 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, LDD 영역; 및 상기 반도체 기둥과 접하지 않도록 상기 반도체 기둥과 이격되면서, 상기 LDD 영역의 일부를 둘러싸며, 제 2 도전형의 불순물이 도핑된, 소오스 영역;을 포함하며, 상기 LDD 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도는 상기 소오스 영역에서의 상기 제 2 도전형의 불순물의 농도보다 더 낮다.
Abstract translation: 根据本发明的一个方面的三维非易失性存储器件包括：至少一个NAND串，其包括衬底，至少一个在衬底上向上延伸并且掺杂有第一导电类型杂质的半导体柱，以及 沿着半导体柱串联连接的多个存储单元。 衬底包括接触半导体柱并且掺杂有与第一导电类型相反的第二导电类型杂质的LDD区; 以及与半导体柱分离以便不接触半导体柱的源极区域，围绕LDD区域的一部分以及掺杂有第二导电型杂质的源极区域。 LDD区中的第二导电型杂质的浓度低于源极区中的第二导电型杂质的浓度。
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公开(公告)号：KR1020180061890A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：KR1020160161575
申请日：2016-11-30
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: G01J5/48 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H04N5/33
Abstract: 본발명은비냉각형적외선센서픽셀의 3차원구조에관한것으로, 비냉각형적외선센서를구성하는픽셀의구조에있어서, 기판; 상기기판상에설치된지지기둥; 상기지지기둥에일단이연결된연결레그; 및상기연결레그의타단이연결되어상기기판으로부터공중으로이격되어위치하는적외선감지부를포함하여구성되며, 상기연결레그는상기적외선감지부의양쪽에 2개가연결되고, 상기 2개의연결레그는각각다른지지기둥에연결되며, 상기연결레그가연결된 2개의지지기둥중에적어도하나는인접한다른픽셀의적외선감지부에일단이연결된연결레그의타단이함께연결된것을특징으로한다. 본발명은, 지지기둥을인접한픽셀에서공유하여사용함으로써, 지지기둥의면적을좁히지않아서지지기둥의기계적안정성은유지하는상태로각 픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄일수 있는효과가있다. 또한, 각픽셀에서지지기둥이차지하는면적을줄여적외선감지부의면적을넓힘으로써, 적외선센서의분해능과성능이향상되고, 나아가웨이퍼당 칩의개수를더 많이획득하게되어제품의가격경쟁력을높일수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR101566313B1
公开(公告)日：2015-11-05
申请号：KR1020140118529
申请日：2014-09-05
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L21/02639 , B82Y10/00 , H01L21/02603 , H01L29/0673 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/42392 , H01L29/66439 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L29/41733 , H01L29/4908
Abstract: 본발명은수평방향의단결정나노선을형성하는공정의기술난이도및 제조비용을낮추기위한반도체장치의제조방법을위하여, 제 1 영역및 제 2 영역을포함하는기판을준비하는단계, 상기제 1 영역의기판위에나노선이형성될위치를정하고나노선이채워질빈 공간을마련하는단계, 상기제 1 영역에인접한부위의기판표면을노출시키는단계, 노출된기판표면으로부터선택적단결정성장이일어나는단계, 식각공정을통해상기제 1 영역내에서는자가정렬(Self-aligned)방식으로나노선을형성하고제 1 영역밖에서는제 2 영역의배선에필요한부위를제외한나머지영역의단결정성장층을제거하는단계를포함하는, 반도체장치의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造半导体器件的方法，以降低在水平方向上形成单晶纳米线的工艺的技术难度和制造成本，并且提供一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤 制备包括第一区域和第二区域的基板; 确定在所述第一区域的所述基板上形成纳米线的位置，以及提供待填充所述纳米线的空白空间; 暴露与第一区域相邻的部分的基板表面; 从暴露的基底表面引起选择性单晶生长; 以及通过蚀刻工艺在所述第一区域中以自对准的方式形成纳米线，以及从所述第一区域中的第二区域的布线所需的部分除外的其它区域去除单晶生长层。
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公开(公告)号：KR101715245B1
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020140077993
申请日：2014-06-25
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본발명은고성능, 고분해능, 대면적및 대면적확장이가능한 CMOS기반의단일칩으로구현가능한 X-선검출기또는영상센서를위하여, 반도체기판, 상기반도체기판의상면상에어레이형태로배치되며, 광신호를감지할수 있는, 복수개의픽셀블록(pixel block), 상기반도체기판의하면상에각각의픽셀블록에대응되도록배치되며, 아날로그-디지털변환(ADC) 회로부와픽셀단위회로부를포함하는, 하부대응회로부및 상기반도체기판을관통하며, 상기픽셀블록과상기하부대응회로부를전기적으로연결할수 있는, 도전성패턴을포함하는, CMOS기반의단일칩으로구현가능한 X-선검출기또는영상센서및 그제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供可以使用基于CMOS的单芯片或图像传感器及其制造方法进行的X射线检测器，其中可以使用基于CMOS的单个芯片和图像执行的X射线检测器 实现高性能，高拆卸性能，广泛面积，扩大面积。 X射线检测器包括：半导体衬底; 在半导体衬底的上表面上排列成阵列形式的多个像素块，并检测光信号; 布置在半导体衬底的下表面上以对应于每个像素块的下部对应电路单元，包括模数转换（ADC）电路单元和像素单元电路单元; 以及通过半导体衬底的导电图案，并且电连接像素块和下部对应电路单元。
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公开(公告)号：KR101585078B1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：KR1020140067711
申请日：2014-06-03
Applicant: 한국과학기술원
IPC: A61B6/00
Abstract: 본발명은고성능, 고분해능, 대면적및 대면적확장이가능한 CMOS기반의단일칩을이용한 X-선검출기또는영상센서및 그제조방법을위하여, CMOS기반의단일칩을이용한 X-선검출기또는영상센서의제조방법에있어서, 기판을준비하는단계, 상기기판의적어도일면상에, ROIC(readout integrated circuits), 오버레이버니어키(overlay vernier key) 및얼라인먼트키(alignment key) 정보를포함하는제 1 레티클을이용하여상기단일칩영역의테두리를스티칭공정에의하여복수의제 1 샷으로노광하는단계및 상기기판의적어도일면상에, 픽셀및 로우드라이버(low driver) 정보를포함하는제 2 레티클을이용하여상기단일칩영역중 테두리를제외한나머지영역을스티칭공정에의하여복수의제 2 샷으로노광하는단계를포함하는, CMOS기반의단일칩을이용한 X-선검출기또는영상센서및 그제조방법을제공한다.
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