公开(公告)号：KR1019950021148A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027628

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중환 ,  남산 ,  이대우 ,  조경익

IPC: H01L21/30

Abstract: 본 발명은 고체의 표면에 수 내지 수십 nm크기의 미세패턴을 형성하는 것에 관한 것으로서, 특히 결정격자를 통과한 전자선의 위상차이에 의해서 격자상이 형성되는 현상을 이용하여 일정한 크기와 간격을 가지는 규칙적인 미세구조 가공장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명은 전자광학 장치를 사용하여 기준단결정의 격자상을 형성하는 방법과 표면개질후 선택적 화학증착반응, 초 박막의 감광재표를 이용한 현상-식각공정 및 표면산화막의 부분 분해방법등의 표면가공 공정을 결합함으로써, 단파장 실리콘 발광소자의 제작, 자외선 단색화장치 및 초 미세필터등의 제작에 필요한 수 내지 수 nm크기의 균일한 크기와 형상을 가지는 표면미세구조를 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970010662B1

公开(公告)日：1997-06-30

申请号：KR1019930026304

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  이희태 ,  박형호 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: A method for manufacturing a transmission electronic microscope plane sample of a semiconductor material capable of preventing dregs produced from being deposited on a sample plane during plating an ion of a sample is disclosed. In the method, a circle sample having a diameter of 3 mm is attached to a cylindrical glass and is sequentially plated until a thickness of the sample becomes 100um and until a thickness of the sample becomes 15um by a dimple plating machine. A portion of the circle sample to be observed is cut. A sample support plate 110 is separated from a sample support member 100. A metal thin plate 120 seals a hole 111 of the sample support plate 110. The sample support plate 110 is fixed to the sample support member 100. The plated sample is transferred to a lower portion of a sample thin film and attached on the sample support plate 110. The sample is plated by using an argon or iodine ion until a thickness thereof becomes less than 100nm.

Abstract translation: 公开了一种用于制造半导体材料的透射电子显微镜平面样品的方法，其能够防止在镀覆样品的离子期间在样品平面上沉积所产生的渣。 在该方法中，将直径为3mm的圆形样品附着到圆柱形玻璃上，并且顺序地电镀，直到样品的厚度变为100um，直到样品的厚度通过凹版电镀机为15um。 切割要观察的圆形样品的一部分。 样品支撑板110与样品支撑构件100分离。金属薄板120密封样品支撑板110的孔111.样品支撑板110固定到样品支撑构件100上。将镀覆的样品转移到 样品薄膜的下部并附着在样品支撑板110上。使用氩或碘离子对样品进行电镀，直到其厚度变得小于100nm。

公开(公告)号：KR1019960026065A

公开(公告)日：1996-07-20

申请号：KR1019940032653

申请日：1994-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  조경익 ,  김경수

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 주사전자 현미경(Scanning Electron Microscope)을 이용하여 시료내 특정부위의 단면을 관찰하기 위한 특정부위 단면시료 제작방법에 관한 것이다.
종래의 단면시료 제작방법은 관찰하고자 하는 부위가 작을 경우 정확히 전달하기가 불가능하였으며, 특정부위의 단면시료는 원하는 부위까지 기계적으로 연마할때 시료의 연마된 부위가 손상되는 문제점들이 있었다,
본 발명은 상술한 문제점들을 극복하기 위한 것으로 주사전자 현미경으로 관찰하고자 하는 부위를 4×5㎜로 절단하여 슬라이드 유리로 보호한 후 트리포드로 연마하는 수동적 기계연마 공정과, 상기 공정 후 트리포드 시료지지대를 딤플기의 시료지지대에 장착하여 딤플연마하는 공정과, 상기 공정 후 트리포드 시료지지대를 이온연마기의 시료지지대에 장착하여 이온연마하는 공정을 포함하여 손상되지 않는 단면시료를 제작하도록 하였다.

公开(公告)号：KR100125409B1

公开(公告)日：1997-10-06

申请号：KR1019930026304

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  이희태 ,  박형호 ,  조경익

IPC: H01L21/66

公开(公告)号：KR100125056B1

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：KR1019930027628

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중환 ,  남산 ,  이대우 ,  조경익

IPC: H01L21/30

公开(公告)号：KR1019970009856B1

公开(公告)日：1997-06-18

申请号：KR1019930027628

申请日：1993-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이중환 ,  남산 ,  이대우 ,  조경익

IPC: H01L21/30

Abstract: A micro-structure manufacturing device by an electronic line grid and method thereof is disclosed. The micro-structure manufacturing method comprises the steps of forming a grid having phase difference by using a electro-optic device(3), and forming the same micro-structure as the grid by manufacturing a surface by using one of a selective chemical deposition reaction, a developing and etching process by using a super thin film photoresist and a partial solution method of surface oxide film after irradiates the formed grid on the surface of the substrate(4) for manufacturing. Thereby, a regular micro-structure having a constant size and space is formed.

Abstract translation: 公开了一种电子线栅的微结构制造装置及其方法。 微结构制造方法包括以下步骤：通过使用电光装置（3）形成具有相位差的栅格，并通过使用选择性化学沉积反应中的一种制造表面来形成与栅格相同的微结构 ，通过使用超薄膜光致抗蚀剂的显影和蚀刻工艺，以及在形成的栅格辐射基板（4）的表面上进行制造之后的表面氧化膜的局部溶解方法。 由此，形成具有恒定尺寸和空间的规则微结构。

公开(公告)号：KR1019950021304A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026304

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 남산 ,  이희태 ,  박형호 ,  조경익

IPC: H01L21/66

Abstract: 본 발명 투과전자 현미경을 통해 평면시료를 관찰하기 위한 반도체 재료의 평면시료 제작방법에 관한 것으로 특히 시료의 이온연마도중 생성된 찌꺼기들이 시료평면에 증착되는 것을 방지한 반도체 재료의 투과현미경 평면시료 제작방법에 관한 것으로, 관찰하고자하는 부위를 절단한 지름 3㎜의 원형시료를 유리원통에 부착한후 시료 두께가 100㎛에 이를때까지 연마하고 딤플(dimple)연마기를 사용하여 시료 두께 15㎛에 이를때까지 연마하는 기계적 연마공정과, 시료지지에서 시료지지판을 분리한후 시료지지판의 뒷면에 이 지지판의 구명을 접착제를 사용하여 소정크기의 금속박관으로 봉한후 이 시료지지판을 다시 시료지지대에 고정하는 시료지지판의 봉합공정과, 상기 기계적 연마공정을 마친 시료를 시료표면(박막)이 밑으로 가도록하여 상기 실 료지지판의 봉합공정을 거친 시료지지판(110)위에 부착하고 아르곤이나 요요드 이온을 이용항여 시료의 두께를 100㎚이하로 연마하는 이온연마 공정을 포함한다.