公开(公告)号：KR1020170057114A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：KR1020160067678

申请日：2016-05-31

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 전치훈 ,  고상춘 ,  김민기 ,  나제호 ,  박영락 ,  박준보 ,  이현수 ,  이형석 ,  장현규 ,  정동윤

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/778 ,  H01L41/08

Abstract: 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.

Abstract translation: 提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。 混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气 设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽， 层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜， 并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。

公开(公告)号：KR1020170012861A

公开(公告)日：2017-02-03

申请号：KR1020160007195

申请日：2016-01-20

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정동윤 ,  이현수 ,  고상춘 ,  김민기 ,  나제호 ,  남은수 ,  박영락 ,  박준보 ,  이형석 ,  장현규 ,  전치훈

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L29/66

Abstract: 본발명의실시예에따른브릿지다이오드를제공한다. 브릿지다이오드는기판상에순차적으로적층되는제 1 하부질화막및 제 1 상부질화막을포함하는제 1 구조, 상기기판상에순차적으로적층되는제 2 하부질화막및 제 2 상부질화막을포함하는제 2 구조, 상기제 1 구조상에배치되는제 1 전극구조체및 상기제 2 구조상에배치되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 1 전극구조체는시계방향으로배열되는제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을포함하고, 상기제 2 전극구조체는시계방향으로배열되는제 4 전극, 제 5 전극및 제 6 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기제 6 전극및 상기제 3 전극과상기제 4 전극은서로연결되어외부회로와연결되고, 제 2 전극과제 5 전극은각각외부회로와연결된다.

公开(公告)号：KR1020170033219A

公开(公告)日：2017-03-24

申请号：KR1020160008222

申请日：2016-01-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이형석 ,  김기환 ,  고상춘 ,  김진식 ,  나제호 ,  남은수 ,  박영락 ,  박준보 ,  전치훈 ,  정동윤

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.

Abstract translation: 由此提供电子设备。 该电子器件包括顺序地堆叠在衬底上的第一半导体层和第二半导体层以及布置在第二半导体层上的源电极，栅电极和漏电极。 所述电子器件还包括场板，所述场板与所述源电极电连接并且在所述漏电极的方向上并且远离所述衬底朝向所述漏电极延伸。

公开(公告)号：KR101878934B1

公开(公告)日：2018-08-20

申请号：KR1020160008222

申请日：2016-01-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 이형석 ,  김기환 ,  고상춘 ,  김진식 ,  나제호 ,  남은수 ,  박영락 ,  박준보 ,  전치훈 ,  정동윤

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.

公开(公告)号：KR1020170027257A

公开(公告)日：2017-03-09

申请号：KR1020160020723

申请日：2016-02-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정동윤 ,  고상춘 ,  전치훈 ,  김민기 ,  나제호 ,  남은수 ,  박영락 ,  박준보 ,  이현수 ,  이형석 ,  장현규

IPC: H02M7/00 ,  H05K7/20

Abstract: 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.