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公开(公告)号：KR1020170084405A
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：KR1020160003289
申请日：2016-01-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/082 , H03K17/687 , H03K17/10
CPC classification number: H03K17/08104 , H03K17/0822 , H03K17/74
Abstract: 본발명의실시예에따른캐스코드스위치회로는제 1 트랜지스터, 제 2 트랜지스터및 보호회로를포함할수 있다. 제 1 트랜지스터는제 1 제어신호에따라제 1 단자로부터의신호를일 단으로입력받아타 단으로전달할수 있다. 제 2 트랜지스터는제 2 제어신호에응답하여제 1 트랜지스터가전달하는신호를제 2 단자로전달할수 있다. 보호회로는제 1 트랜지스터의게이트와제 2 단자사이에연결될수 있다. 제 1 제어신호는제 2 트랜지스터가통상온 상태로동작하도록제공될수 있다. 제 2 제어신호는제 2 트랜지스터가통상오프상태로동작하도록제공될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的共源共栅开关电路可以包括第一晶体管，第二晶体管和保护电路。 第一晶体管可以根据第一控制信号在一级中接收来自第一端子的信号并将该信号发送到另一端子。 响应于第二控制信号，第二晶体管可以传输第一晶体管传输到第二端子的信号。 保护电路可以连接在第一晶体管的栅极和第二端子之间。 可以提供第一控制信号以使第二晶体管正常工作。 并且可以提供第二控制信号，使得第二晶体管正常地在断开状态下操作。
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公开(公告)号：KR1020170057114A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：KR1020160067678
申请日：2016-05-31
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/778 , H01L41/08
Abstract: 본발명의실시예에따른하이브리드다이오드소자를제공한다. 하이브리드다이오드소자는기판상에배치되고, 제 1 전자가스층(2-Dimesional Electron Gas: 2DEG)을포함하는제 1 하부질화막, 상기제 1 하부질화막에서상기기판의외각으로연장되고, 제 2 전자가스층을포함하는제 2 하부질화막, 상기제 1 하부질화막상에배치되는제 1 상부질화막, 상기제 2 하부질화막상에배치되는제 2 상부질화막, 상기제 1 상부질화막상에배치되는제 1 캡(cap)층, 상기제 2 상부질화막상에배치되는제 2 캡층, 상기제 1 하부질화막및 상기제 1 캡층과연결되는제 1 전극구조체, 상기제 2 하부질화막과연결되고, 상기제 1 전극구조체와연결되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 2 하부질화막은동적인움직임에의해전기를생성한다.
Abstract translation: 提供了根据本发明实施例的混合二极管器件。 混合二极管器件布置在所述基板，第一电子气体层上：在第一下部氮化物膜延伸，含有（2-时二维电子气2DEG）在基板外壳第一下部氮化物膜中，两个电子气 设置在第一下氮化膜上的第一上氮化膜，设置在第二下氮化膜上的第二上氮化膜，设置在第一上氮化膜上的第一帽， 层，所述第二被连接到所述第二帽，第一下氮化物膜，并与第一盖层连接在所述第一电极结构，设置在所述第二上氮化物层上，并连接到第一电极结构中的第二下部氮化物膜， 并且第二电极结构，并且第二下氮化物膜通过动态运动而发电。
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公开(公告)号：KR1020150083310A
公开(公告)日：2015-07-17
申请号：KR1020140002913
申请日：2014-01-09
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L23/473 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/32051 , H01L23/367 , H01L23/467 , H01L23/473 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 본발명은반도체소자및 그제조방법을제공한다. 이반도체소자는기판상에제공된활성영역, 상기기판의일측에매립된단일공동으로구성된유입채널, 상기기판의타측에매립된단일공동으로구성된유출채널, 상기기판에매립된다수의공동들로구성되며일단은상기유입채널의측면에연결되고타단은상기유출채널의측면에연결되는복수개의마이크로채널들을포함하는마이크로채널어레이, 및상기마이크로채널들을이격시켜구분하는마이크로히트싱크어레이를포함할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。 半导体器件包括：设置在基板上的激活区域; 流入通道在基体的一侧上积累有单个公共腔; 在具有单个公共空腔的衬底的另一侧上积累的流出通道; 通常在基板上堆积的微通道阵列，其一端连接到流入通道的一侧，另一侧连接到流出通道的一侧; 和微型散热器阵列，以分隔待分离的微通道。
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公开(公告)号：KR1020130085224A
公开(公告)日：2013-07-29
申请号：KR1020120006224
申请日：2012-01-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L21/28255 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L29/1608 , H01L29/42316 , H01L29/42376 , H01L29/66068 , H01L29/7787
Abstract: PURPOSE: A high electron mobility transistor and a manufacturing method thereof are provided to improve the stability of a T-type gate electrode by providing the high electron mobility transistor including an insulating film having a fine critical dimension. CONSTITUTION: A source electrode (202a) and a drain electrode (202b) are formed on a substrate (201). Insulating layers (203,206,208) including an opening part (209) between the source electrode and drain electrode are formed. The insulating layer comprises silicon nitride film or silicon oxide film. A T-type gate electrode (213) is formed at the upper part of the insulating layer. The body part of the T-type gate electrode is formed at the opening part of the insulating film.
Abstract translation: 目的：提供一种高电子迁移率晶体管及其制造方法，通过提供包括具有细小临界尺寸的绝缘膜的高电子迁移率晶体管来提高T型栅电极的稳定性。 构成：在基板（201）上形成源电极（202a）和漏电极（202b）。 形成包括源电极和漏电极之间的开口部分（209）的绝缘层（203,206,208）。 绝缘层包括氮化硅膜或氧化硅膜。 在绝缘层的上部形成T型栅电极（213）。 T型栅极的主体部分形成在绝缘膜的开口部分。
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公开(公告)号：KR1020130010823A
公开(公告)日：2013-01-29
申请号：KR1020120018591
申请日：2012-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812 , H01L21/338
Abstract: PURPOSE: A nitride electronic device and a manufacturing method thereof are provided to implement an integrated circuit with various properties on a single substrate by using design technology and unit process with a structure of a different channel layer and a barrier layer. CONSTITUTION: A low temperature buffer layer(102) is formed on a sapphire substrate(101). A first semi-insulating GaN layer(103) is formed on the low temperature buffer layer. A first channel layer(104) for an electron transfer is formed on the first semi-insulating GaN layer. A first barrier layer(105) is formed on the first channel layer. A second semi-insulating GaN layer(107) is formed on the sidewall of the first barrier layer and the first channel layer. A second channel layer(108) and a second barrier layer(109) are formed on the second semi-insulating GaN layer.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物电子器件及其制造方法，通过使用具有不同沟道层和阻挡层的结构的设计技术和单元工艺，在单个衬底上实现具有各种性能的集成电路。 构成：在蓝宝石衬底（101）上形成低温缓冲层（102）。 在低温缓冲层上形成第一半绝缘GaN层（103）。 用于电子转移的第一沟道层（104）形成在第一半绝缘GaN层上。 第一阻挡层（105）形成在第一沟道层上。 在第一阻挡层和第一沟道层的侧壁上形成第二半绝缘GaN层（107）。 在第二半绝缘GaN层上形成第二沟道层（108）和第二势垒层（109）。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101878934B1
公开(公告)日：2018-08-20
申请号：KR1020160008222
申请日：2016-01-22
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/66
Abstract: 전자소자를제공한다. 전자소자는, 기판상에순차적으로적층된제1 반도체층및 제2 반도체층과, 제2 반도체층상에배치된소스전극, 게이트전극및 드레인전극을포함한다. 전자소자는소스전극과전기적으로연결되며드레인전극방향으로연장하며드레인전극으로갈수록기판으로부터멀어지는필드플레이트를더 포함한다.
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公开(公告)号：KR101729653B1
公开(公告)日：2017-04-25
申请号：KR1020130166513
申请日：2013-12-30
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/778 , H01L29/417 , H01L29/49 , H01L29/66 , H01L29/737 , H01L29/20 , H01L29/205
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/2003 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/66431 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/7786
Abstract: 본발명은질화물반도체소자에관한것으로관통비아홀들을갖는기판, 상기기판상에차례로적층되는제 1 및제 2 질화물반도체층들, 상기제 2 질화물반도체층상에제공되는드레인전극들및 소스전극들및 상기제 2 질화물반도체층상에제공되고, 상기드레인전극들상에제공되는상부비아홀들을갖는절연패턴을포함하고, 상기관통비아홀들은상기제 1 및제 2 질화물반도체층들내로연장되어상기소스전극들의하면을노출하는질화물반도체소자가제공된다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氮化物半导体器件，其包括具有通孔的衬底，顺序地堆叠在衬底上的第一和第二氮化物半导体层，设置在第二氮化物半导体层上的漏极和源极， 2氮化物半导体层并且具有设置在漏电极上的上通路孔，通路孔延伸到第一和第二氮化物半导体层中以暴露源电极的下表面 提供氮化物半导体器件。
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公开(公告)号：KR1020170027257A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020160020723
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101616156B1
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：KR1020120018591
申请日：2012-02-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/812 , H01L21/338
Abstract: 본발명은질화물전자소자및 그제조방법에관한것으로서, 상세하게는갈륨(Gallium: Ga), 알루미늄(Aluminum: Al), 인듐(Indium: In) 등의 3족원소및 질소를포함하는 3족질화물(III-Nitride) 반도체전자소자에서사용되는반절연성질화갈륨(GaN)층의재성장기술(Epitaxially Lateral Over-Growth: ELOG)을통해다양한형태의질화물집적구조를동일기판위에구현할수 있는질화물전자소자및그 제조방법에관한것이다.
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