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公开(公告)号：KR1020170027257A
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020160020723
申请日：2016-02-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은복수의비자성기판들이적층된제1 적층체; 비자성기판들중 적어도어느하나에배치된전자소자들; 상기전자소자가배치된상기비자성기판상에배치되어, 상기전자소자와연결되는제1 도전성패턴들; 상기제1 도전성패턴들의각각을연결되는적어도하나의제1 비아전극; 상기제1 적층체의일측에배치되고, 복수의자성시트들이적층된제2 적층체; 상기자성시트들중 적어도 2개에배치되는제2 도전성패턴들; 및상기제2 도전성패턴들의각각을연결하는적어도하나의제2 비아전극을포함하고, 상기제1 비아전극과상기제2 비아전극은서로연결되는전력변환장치에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1019940009766B1
公开(公告)日：1994-10-17
申请号：KR1019910026028
申请日：1991-12-30
IPC: H04J3/00
Abstract: The system provides a pointer interpreter which is used for transferring signal in the synchronous transmission system. The system comprises a pointer status detector (1) for detecting various status of the inputted pointer a comparator (2) for comparing pointers during 2 frames, a status decision block (3) for distinguishing and concluding one of normal state, null state and NDF generation state, a control decision block (4) for producing increment or decrement control signal, an alarm generator (5) for deciding AIS and LOS status and sending alarm, negative start position generator (6) for forming clock for representing negative signal start position and reproducing negative signal.
Abstract translation: 该系统提供了用于在同步传输系统中传送信号的指针解释器。 该系统包括用于检测输入指针的各种状态的指针状态检测器（1），用于在2帧期间比较指针的比较器（2），用于区分和结束正常状态，空状态和NDF之一的状态判定块（3） 生成状态，用于产生增量或减量控制信号的控制判定块（4），用于判定AIS和LOS状态的报警发生器（5）以及发送报警负起始位置发生器（6），用于形成用于表示负信号起始位置的时钟 并再现负信号。
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公开(公告)号：KR1019930015416A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019910026028
申请日：1991-12-30
IPC: H04J3/00
Abstract: 본 발명은 동기식 전송 시스템에서 동기 신호 전달을 위해 사용하고 있는 포인터 동기 방식에 적용되는 포인터 해석기에 관한 것으로, 수신된 포인터를 해석하여 상태 및 경보의 검출 및 포인터 조정 기능을 수행하며, 수신 부신호의 시작 위치 표시클럭을 포인터를 해석하여 만들어 내기 위한 것이다.
따라서, 본 발명은 포인터 상태 검출수단(1), 포인터 상태 비교수단(2), 포인터 상태 판단수단(3), 포인터 조정 판단수단(4), 경보 발생수단(5), 및 부신호 시작위치 발생수단(6)으로 구성되는 것을 특징으로 한다.-
公开(公告)号：KR1020170055394A
公开(公告)日：2017-05-19
申请号：KR1020160028960
申请日：2016-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H03K17/567 , H03K17/687 , H03K17/081
Abstract: 본발명의실시예에따른캐스코드스위치는입력전압을수신하는제1 드레인단자, 제1 게이트단자, 및제1 소스단자를포함하는제1 트랜지스터, 제1 소스단자와연결된제2 드레인단자, 제1 게이트단자와연결된제2 소스단자, 및외부장치로부터제어신호를수신하도록구성되는제2 게이트단자를포함하는제2 트랜지스터, 및제2 트랜지스터와병렬연결되고, 적어도하나의제너다이오드및 적어도하나의저항소자를포함하는보호회로를포함한다.
Abstract translation: 在根据本发明的一个实施方式的串叠开关，耦合到所述第一晶体管的第二漏极端子，其包括第一漏极端子，第一栅极端子的第一源极端子，mitje第一源端，用以接收一输入电压，第一 第二个是并联连接至所述晶体管，mitje第二晶体管，至少一个齐纳二极管和至少一个电阻元件和被配置为从第二源终端接收控制信号的第二栅极端，和外部设备连接到栅极端子 还有一个保护电路。
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公开(公告)号：KR1020170012861A
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020160007195
申请日：2016-01-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/861 , H01L29/778 , H01L29/66
Abstract: 본발명의실시예에따른브릿지다이오드를제공한다. 브릿지다이오드는기판상에순차적으로적층되는제 1 하부질화막및 제 1 상부질화막을포함하는제 1 구조, 상기기판상에순차적으로적층되는제 2 하부질화막및 제 2 상부질화막을포함하는제 2 구조, 상기제 1 구조상에배치되는제 1 전극구조체및 상기제 2 구조상에배치되는제 2 전극구조체를포함하고, 상기제 1 전극구조체는시계방향으로배열되는제 1 전극, 제 2 전극및 제 3 전극을포함하고, 상기제 2 전극구조체는시계방향으로배열되는제 4 전극, 제 5 전극및 제 6 전극을포함하고, 상기제 1 전극과상기제 6 전극및 상기제 3 전극과상기제 4 전극은서로연결되어외부회로와연결되고, 제 2 전극과제 5 전극은각각외부회로와연결된다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101878931B1
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：KR1020150088941
申请日：2015-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L23/3178 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.
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公开(公告)号：KR1020170000423A
公开(公告)日：2017-01-03
申请号：KR1020150088941
申请日：2015-06-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/872 , H01L29/47
CPC classification number: H01L21/0228 , H01L23/291 , H01L23/3178 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/66212 , H01L29/872
Abstract: 반도체소자의제1 질화물반도체층은기판상에제공되고, 제2 질화물반도체층은제1 질화물반도체층상에제공되고, 제1 오믹메탈및 제2 오믹메탈은제2 질화물반도체층상에제공되고, 리세스영역은제1 오믹메탈과제2 오믹메탈사이의제2 질화물반도체층내에제공되고, 패시베이션층은제1 오믹메탈의측면및 리세스영역의하부면과측면을덮고, 쇼트키전극은제1 오믹메탈상에제공되고, 리세스영역의내부로연장된다.
Abstract translation: 半导体器件的第一氮化物半导体层设置在衬底上，第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，第一欧姆金属和第二欧姆金属设置在第二氮化物半导体层上，凹部 在所述第一欧姆金属和所述第二欧姆金属之间的所述第二氮化物半导体层中设置钝化层，所述钝化层覆盖所述第一欧姆金属的一侧，并且所述钝化层覆盖所述凹部区域的底表面和侧面，并且所述第一欧姆金属 金属并延伸到凹陷区域中。
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