公开(公告)号：KR100572853B1

公开(公告)日：2006-04-24

申请号：KR1020030097048

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박건식 ,  유성욱 ,  박종문 ,  윤용선 ,  김상기 ,  김보우 ,  배윤구 ,  임병원 ,  구진근

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 계면전하 또는 포획전하를 가지는 투광성의 비전도성 물질을 증착하여, 반도체 표면을 공핍시키고, 이 공핍영역을 빛의 감지영역으로 사용하는 광센서를 제작함으로서, 자외선 및 푸른색 영역 파장의 빛에 대한 감지 능력을 향상시키고, 가시광 및 적외선 영역의 광을 여과할 수 있으며, 일반적인 실리콘 CMOS 공정과도 양립할수 있는 광센서를 제작하는 것이다.
광센서, 포획전하, 계면전하, 공핍영역

公开(公告)号：KR1020050065888A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097048

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박건식 ,  유성욱 ,  박종문 ,  윤용선 ,  김상기 ,  김보우 ,  배윤구 ,  임병원 ,  구진근

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/02161 ,  H01L31/02019 ,  H01L31/022408

Abstract: 본 발명은 반도체 위에 계면전하 또는 포획전하를 가지는 투광성의 비전도성 물질을 증착하여, 반도체 표면을 공핍시키고, 이 공핍영역을 빛의 감지영역으로 사용하는 광센서를 제작함으로서, 자외선 및 푸른색 영역 파장의 빛에 대한 감지 능력을 향상시키고, 가시광 및 적외선 영역의 광을 여과할 수 있으며, 일반적인 실리콘 CMOS 공정과도 양립할수 있는 광센서를 제작하는 것이다.