公开(公告)号：KR100276688B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019980052528

申请日：1998-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명은 반도체 및 디스플레이 소자를 제작하는 노광장비의 오프-액시스형 변형조명에 사용되는 조리개에 있어서, 상기 조리개의 중앙부위는 광 투과도가 0이 되도록 하고, 중앙부위를 제외한 상기 조리개의 가장자리에 형성되는 4개의 극 부분은 광 투과도가 100 % 되게 하고, 그 이외의 조리개 부위는 광 투과도가 3 ~ 40 % 되도록 형성되며, 조리개의 중앙 부위로 투과되는 광을 차단하되 그 이외의 부위를 선택적으로 차단, 조절하여 광 투과도를 증가시킬 수 있는 노광장비용 조리개 및 그 제조 방법을 제공하는데 있다

公开(公告)号：KR1019990052160A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970071609

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: 본 발명은 균일한 폭을 가지는 금속막의 패터닝 방법을 제공한다.
본 발명은 단차를 가지는 금속배선 형성용 금속막상에 반사방지막으로서 산화막과 금속막을 적층하고, 금속막상에 포토레지스트를 도포한 상태에서 노광공정을 수행하여, 포토 레지스트 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 이용하여 금속막을 패터닝한다.
본 발명은 금속막상에 반사 방지막을 형성하고 포토리소그래피 공정을 수행하는 것에 의해 균일한 폭을 가지는 금속배선을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020000037779A

公开(公告)日：2000-07-05

申请号：KR1019980052528

申请日：1998-12-02

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  이각현 ,  김도훈 ,  정해빈 ,  조경익

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a diaphragm for an exposure equipment is provided to maintain the resolution and improve the light transmitting degree. CONSTITUTION: A first resist pattern is formed in a selected area on a substrate. A first optical shielding material is formed on the substrate, which includes the first resist pattern. After the first resist pattern is removed, a second resist is formed on the structure. Then, the central portion of the second resist is removed. After a second optical shielding material is formed on the structure, the second resist is removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造用于曝光设备的隔膜的方法以保持分辨率并提高透光度。 构成：在衬底上的选定区域中形成第一抗蚀剂图案。 第一光屏蔽材料形成在包括第一抗蚀剂图案的基板上。 在去除第一抗蚀剂图案之后，在结构上形成第二抗蚀剂。 然后，除去第二抗蚀剂的中心部分。 在结构上形成第二光屏蔽材料之后，去除第二抗蚀剂。

公开(公告)号：KR100274149B1

公开(公告)日：2000-12-15

申请号：KR1019970071609

申请日：1997-12-22

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 최상수 ,  차한선 ,  김종수 ,  정해빈 ,  김보우

IPC: H01L21/027

Abstract: PURPOSE: A method for patterning a metal layer is provided to form a metal layer of a uniform width by forming and patterning an anti-reflective layer on the metal layer. CONSTITUTION: A metal layer(4) is formed on a semiconductor substrate(5). The metal layer(4) is formed by one of TiW, Al, W, W-Si, Cr, and Ml. An anti-reflective oxide layer(6) and an anti-reflective metal layer(7) are formed sequentially on the metal layer(4). A photoresist(2) is applied on the anti-reflective metal layer(7). A photolithography process is performed. The anti-reflective oxide layer(6) has a thickness of 850 to 1050 angstroms. The anti-reflective oxide layer(7) has a thickness of 20 to 220 angstroms.

Abstract translation: 目的：提供图形化金属层的方法，以通过在金属层上形成和图案化抗反射层来形成均匀宽度的金属层。 构成：在半导体衬底（5）上形成金属层（4）。 金属层（4）由TiW，Al，W，W-Si，Cr和M1中的一种形成。 在金属层（4）上依次形成抗反射氧化物层（6）和抗反射金属层（7）。 在抗反射金属层（7）上施加光致抗蚀剂（2）。 进行光刻处理。 抗反射氧化物层（6）的厚度为850〜1050。 抗反射氧化物层（7）的厚度为20至220埃。