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公开(公告)号：WO2017078504A2
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：PCT/KR2016/012756
申请日：2016-11-07
Applicant: 한국표준과학연구원 , 코리아스펙트랄프로덕츠㈜
Abstract: 본 발명에 따른 공정가스 분석장치(100)는, 공정가스가 수집되도록 설치되는 가스셀(130); 가스셀(130) 내에 광을 조사하도록 가스셀(130)의 외부에 설치되는 광원부(110); 광원부(110)를 통하여 가스셀(130) 내에 조사되는 광을 가스셀(130) 내에 다중 반사시킨 후 가스셀(130) 외부로 인출하도록 설치되는 다반사 광학부(140); 및 다반사 광학부(140)에 의해 다중 반사된 후 가스셀(130) 외부로 인출되는 광을 수광받도록 가스셀(130)의 외부에 설치되는 광검출부(120); 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 다반사 광학부(140)에 의해 광경로가 충분히 확보될 수 있기 때문에 소량의 공정가스에 대해서도 정밀한 정량 및 정성 분석이 가능하다. 또한, 광원부(110)와 광검출부(120)가 가스셀(130)의 외부에 분해조립 가능하게 설치되기 때문에 원하는 광분석 기법에 맞게 해당 광원부(110)와 광검출부(120)를 적절한 것으로 교체할 수 있어 다양한 분석기법을 활용할 수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的过程气体分析仪100包括：安装用于收集过程气体的气室130; 光源110，其安装在气室130的外部以照射气室130内的光; 多反射光学单元140，其被安装以便多次反射通过气室130中的光源单元110照射到气室130中的光并将气体吸入气室130外部; 光电探测器120，其安装在气室130的外部，以便在由多反射光学单元140多次反射之后接收发射到气室130的外部的光; 和一个控制单元。 根据本发明，因为可以通过多响应光学单元140充分确保光路，所以即使使用少量工艺气体也可以进行精确的定量和定性分析。 由于光源单元110和光检测单元120在气室130的外部被拆卸和组装，光源单元110和光学检测单元120可以根据期望的光学分析技术用适当的替换 您可以使用各种分析技术。
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公开(公告)号：KR101735300B1
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：KR1020150154988
申请日：2015-11-05
Applicant: 한국표준과학연구원 , 코리아스펙트랄프로덕츠(주)
Abstract: 본발명에따른공정가스분석장치(100)는, 공정가스가수집되도록설치되는가스셀(130); 가스셀(130) 내에광을조사하도록가스셀(130)의외부에설치되는광원부(110); 광원부(110)를통하여가스셀(130) 내에조사되는광을가스셀(130) 내에다중반사시킨후 가스셀(130) 외부로인출하도록설치되는다반사광학부(140); 및다반사광학부(140)에의해다중반사된후 가스셀(130) 외부로인출되는광을수광받도록가스셀(130)의외부에설치되는광검출부(120); 를포함하여이루어지는것을특징으로한다. 본발명에의하면, 다반사광학부(140)에의해광경로가충분히확보될수 있기때문에소량의공정가스에대해서도정밀한정량및 정성분석이가능하다. 또한, 광원부(110)와광검출부(120)가가스셀(130)의외부에분해조립가능하게설치되기때문에원하는광분석기법에맞게해당광원부(110)와광검출부(120)를적절한것으로교체할수 있어다양한분석기법을활용할수 있다.
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公开(公告)号：WO2019107718A1
公开(公告)日：2019-06-06
申请号：PCT/KR2018/010932
申请日：2018-09-17
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 이중접합 태양전지는, 하부 전극층을 포함하는 유연성 기판; 상기 유연성 기판의 상기 하부 전극층과 접촉하는 InGaAs 태양 전지; 및 상기 InGaAs 태양 전지 상에 배치되고 상기 InGaAs 태양 전지와 직렬 연결된 GaAs 태양 전지;를 포함한다. 상기 GaAs 태양 전지는 그 하부면에 형성된 금속 나노디스크 어레이를 포함하고, 상기 금속 나노디스크 어레이의 하부에는 상기 금속 나노디스크 어레이와 정렬된 빈공간 어레이가 배치된다.
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公开(公告)号：WO2019009456A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/KR2017/007455
申请日：2017-07-13
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 연세대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원
IPC: A61B5/05
Abstract: 암 수술용 테라헤르츠 프로브 도파로가 제시된다. 일 실시예에 따른 테라헤르츠 프로브 도파로는, 내부 공간부가 형성되는 튜브; 상기 튜브의 내부 공간부에 수용되며, 상기 튜브와 소정간격 이격되어 축 방향으로 배치되는 코어부; 및 상기 코어부의 후측에 구성되며, 기판 상에 THz파 송신기(Transmitter; Tx) 및 수신기(Receiver; Rx)가 형성되어 THz파를 전송하고 검출하는 트랜시버 칩을 포함하고, 상기 코어부의 전단은, 상기 튜브의 전단의 외측으로 안내되며 상기 트랜시버 칩으로부터 전송된 THz파가 전달될 수 있다.
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公开(公告)号：WO2018097531A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：PCT/KR2017/012824
申请日：2017-11-14
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/046 , H01L31/05 , H01L31/054 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/0392 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 적층형 태양전지 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 적층형 태양전지는, 기판; 상기 기판 상에 서로 적층되어 배치되고 순차적으로 서로 다른 파장 대역을 가지고 광전 변환을 수행하는 수행하는 복수의 서브 셀들; 및 서로 이웃한 서브 셀들 사이 계면 중에서 적어도 하나에 배치된 금속 디스크 어레이을 포함한다. 상기 서브 셀들에 대응하는 파장 대역들의 중심 파장은 최상위층을 기준으로 점차 하부로 진행함에 따라 순차적으로 감소한다. 상기 금속 디스크 어레이는 상기 금속 디스크 어레이의 상부에 배치된 서브 셀에서 흡수되지 못하고 투과한 광을 반사시킨다. 상기 금속 디스크 어레이는 웨이퍼 본딩 기법에 의하여 삽입된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016013898A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/KR2015/007709
申请日：2015-07-24
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본 발명은 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버에 대한 것이다. 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기 활성층의 일측 상부에 위치하는 광전도 안테나; 상기 광전도 안테나 상에 형성된 나노격자안테나(NGA); 상기 활성층의 타측 하부에 위치하는 반도체 기판; 및 상기 기판 상부면과 활성층 사이의 경계면에 위치하는 표면 플라즈몬 결합기(SPC)를 포함하되, 상기 활성층은 인듐 갈륨비소(InGaAs) 박막 또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을 포함하는 이종적층박막으로 형성되고, 상기 광전도 안테나는, 일정 길이 평행하게 연장 형성된 금속 평행 전송선로; 상기 금속 평행 전송선로의 중앙 영역에서 내측으로 마주보도록 대칭되게 돌출된 중앙돌출부; 및 상기 금속 평행 전송선로의 양단에 대칭되게 연장 형성된 전극패드를 포함하여 형성된다. 상기 NGA는 상기 광전도 안테나의 중앙돌출부에 위치하고, 적어도 하나 이상의 패턴이 패터닝되어 연속적으로 배열될 수 있다. 상기 SPC는 상기 활성층 하부면에 위치할 수도 있으며 다수개의 패턴들이 동심원을 이루도록 주기적으로 패터닝하여 형성될 수 있으며, 다른 형태로도 가능하며, 금속재질로 형성될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 개별 소자로 구성된 THz파 송신기(Tx) 또는 수신기(Rx)에 적용하거나, 단일기판 상의 하나의 광전도 안테나로 THz파를 발생 및 검출하는 THz 트랜스시버에 적용할 수 있으며 단일기판 상에 일정간격 이격되어 집적된 Tx 및 Rx에 적용될 수 있도록 구성함으로써, 개별소자 또는 단일소자 내에서 THz파를 전송하고 검출할 수 있다. 상기한 구성에 의해 본 발명에 따른 주파수 변조가 가능한 고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를 집적하여 THz파의 생성 출력과 측정 감도를 높일 수 있고, 동시에 일정한 밴드폭으로 발생된 THz파가 표면 플라즈몬 공명 구조를 통과하면서 주파수가 변조될 수 있도록 구성함으로써 주파수 선택성을 가질 수 있는 효과가 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够进行频率调制的高效率THz接收机。 根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机包括：有源层; 位于有源层一侧的上部的感光天线; 在光电导天线上形成的纳米光栅天线（NGA）; 位于有源层的另一侧的下部的半导体衬底; 以及位于基板上表面和有源层之间的边界表面上的表面等离子体激元耦合器（SPC），其中有源层形成为铟镓砷（InGaAs）薄膜或包含InGaAs / InAlAs的不同层叠薄膜 多量子阱（MQW）层，光电导天线包括：以一定长度平行延伸的平行金属传输线; 对称地突出以在平行金属传输线的中心区域面向内的中心突起; 以及在平行金属传输线的两端对称延伸的电极焊盘。 NGA定位在光电导天线的中心突起上，并且可以具有图案化并连续地布置在其上的至少一个图案。 SPC可以位于有源层的下表面上，可以通过周期性地图案化形成其中的多个图案以形成同心圆，可以具有其它形式的图案，并且可以由金属材料形成。 此外，根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机被配置为被应用于包括分立器件的THz波接收器（Tx）或接收器（Rx），或被应用于THz收发器 用于在单个衬底上使用单个光电导天线产生和检测THz波，并将其施加到以一定间隔间隔并集成在单个衬底上的Tx和Rx，从而能够传输和检测在 分立设备或单个设备。 由于所述结构，根据本发明的能够进行频率调制的高效率THz接收机可以通过集成NGA和SPC来增加THz波的产生和输出和测量灵敏度。 同时，高效率的THz接收机被配置为使得可以调制频率，同时在一定带宽上产生的太赫兹波通过表面等离子体共振结构，从而能够具有频率选择性。
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公开(公告)号：KR101957801B1
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：KR1020170159784
申请日：2017-11-28
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: H01L31/0392 , H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/0304 , H01L31/18
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公开(公告)号：KR101626806B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020140094768
申请日：2014-07-25
Applicant: 한국해양대학교 산학협력단 , 한국표준과학연구원 , 연세대학교 산학협력단
IPC: H01S3/10
CPC classification number: H01S3/10
Abstract: 본발명은주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버에대한것이다. 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는, 활성층(active layer); 상기활성층의일측상부에위치하는광전도안테나; 상기광전도안테나상에형성된나노격자안테나(NGA); 상기활성층의타측하부에위치하는반도체기판; 및상기기판상부면과활성층사이의경계면에위치하는표면플라즈몬결합기(SPC)를포함하되, 상기활성층은인듐갈륨비소(InGaAs) 박막또는 InGaAs/InAlAs 다층양자우물층(MQW layer)을포함하는이종적층박막으로형성되고, 상기광전도안테나는, 일정길이평행하게연장형성된금속평행전송선로; 상기금속평행전송선로의중앙영역에서내측으로마주보도록대칭되게돌출된중앙돌출부; 및상기금속평행전송선로의양단에대칭되게연장형성된전극패드를포함하여형성된다. 상기 NGA는상기광전도안테나의중앙돌출부에위치하고, 적어도하나이상의패턴이패터닝되어연속적으로배열될수 있다. 상기 SPC는상기활성층하부면에위치할수도있으며다수개의패턴들이동심원을이루도록주기적으로패터닝하여형성될수 있으며, 다른형태로도가능하며, 금속재질로형성될수 있다. 또한, 본발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는개별소자로구성된 THz파송신기(Tx) 또는수신기(Rx)에적용하거나, 단일기판상의하나의광전도안테나로 THz파를발생및 검출하는 THz 트랜스시버에적용할수 있으며단일기판상에일정간격이격되어집적된 Tx 및 Rx에적용될수 있도록구성함으로써, 개별소자또는단일소자내에서 THz파를전송하고검출할수 있다. 상기한구성에의해본 발명에따른주파수변조가가능한고효율 THz 트랜스시버는 NGA 및 SPC를집적하여 THz파의생성출력과측정감도를높일수 있고, 동시에일정한밴드폭으로발생된 THz파가표면플라즈몬공명구조를통과하면서주파수가변조될수 있도록구성함으로써주파수선택성을가질수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR100941613B1
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：KR1020080006430
申请日：2008-01-22
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01R33/035
CPC classification number: G01R33/0354 , Y10T29/49895
Abstract: 본 발명은 홀을 갖는 자기양자센서용 흡수체 및 그 정렬방법에 관한 것으로, 특히 흡수체에 레이저로 홀을 가공하여 온도센서의 부착시 뿐만 아니라 이 온도센서를 픽업 루프 코일에 부착시 그 중심점으로서 이용할 수 있게 함으로써, 흡수체에 부착된 온도센서를 픽업코일의 중앙 부분에 위치하도록 정렬시킬 수 있게 되어 보다 정밀 측정이 가능하도록 한 홀을 갖는 자기양자센서용 흡수체 및 그 정렬방법을 제공하는데 그 목적이 있다. 이를 해결하기 위한 수단으로서 본 발명에 따르는 자기양자센서용 흡수체는, 자기양자센서용 흡수체(10)에 있어서, 흡수체(10)는 중앙에 정렬용 홀(11)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따르는 홀을 갖는 자기양자센서용 흡수체의 정렬방법, 본 발명에 따르는 흡수체(10)의 상면에 온도센서(20)를 위치시키는 제1단계; 온도센서(20)의 중심과 흡수체(10)의 홀(11) 중심을 일치시키고, 온도센서(20)를 흡수체(10)에 장착하는 제2단계; 온도센서(20)의 하부에 자기선속 검출수단(30)을 위치시키는 제3단계; 및 홀(11)의 상면을 중심을 자기선속 검출수단(30)의 픽업루프 코일에 장착하는 제4단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
홀, 자기양자센서, 레이저-
公开(公告)号：KR1020150085280A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140004975
申请日：2014-01-15
Applicant: 한국표준과학연구원
IPC: G01N21/552
Abstract: 본실시예에따른가스상태의흡착종분석장치는내부가진공으로유지되며, 적외선광이진출입되는입사창과출사창이측벽에동축배치되는반응기; 상기반응기의상부면에결합되며, 내부공간부가진공으로유지되는플라즈마장치; 상기반응기와플라즈마장치사이에개재되며, 상기플라즈마장치와마주보는면을분석대상물질이통과하는크리스털; 상기크리스털이중앙부근에결합되며, 일단은상기반응기의상부면에고정되어주변온도를조절하는크리스털히팅홀더; 상기크리스털히팅홀더와결합되며, 상기크리스털과대응되는위치에요홈이형성되는홀더부재; 상기출사창에서출력되는적외선빔을검출하는검출기; 및검출된빔의세기를이용하여시료의정성및 정량분석을수행하는분석기;를포함하며, 상기분석기는분석대상물질을크리스털측으로유입하였을때의측정값과, 상기분석대상물질의유입을차단한후, 상기크리스털표면에흡착된물질에반응가스를유입시켜반응시켰을때의측정값을비교하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 根据本发明实施方案的气相中吸附物质的分析装置包括其内部可以保持在真空状态的反应器，并且用于使红外光通过的入口窗和出口窗同轴地布置在 侧墙; 连接到反应器的上表面的等离子体装置，其中内部空间单元可以保持在真空状态; 设置在反应器和等离子体装置之间的晶体，其中分析物通过面向等离子体装置的表面; 固定在反应器的上表面并控制环境温度的晶体加热器，其中晶体连接到其中心; 连接到晶体加热保持器的保持器元件，其中在对应于晶体的位置形成有槽; 检测器，检测从出口窗口输出的红外线束; 以及通过使用所检测的光束强度对样品进行定性和定量分析的分析仪，其中所述分析仪的特征在于将当所述分析物被引入所述晶体侧时的测量值与当引入和反应反应性气体时的测量值进行比较 在阻止分析物的引入之后吸附到晶体表面的材料。
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