公开(公告)号：KR1020150096016A

公开(公告)日：2015-08-24

申请号：KR1020140016779

申请日：2014-02-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  최원진 ,  정윤장 ,  이영국 ,  박정규 ,  정종진 ,  고혁완 ,  이수진

IPC: C12M3/00 ,  C12N5/00 ,  C12N1/00

CPC classification number: C12M23/20 ,  C12N5/0602

Abstract: 본 발명은 원자층 증착방식(atomic layer deposition, ALD)에 의해 형성된 산화아연(ZnO) 박막을 구비한 세포 배양 기재; 상기 세포 배양 기재를 이용한 액틴 발현을 향상시키는 세포 배양방법; 상기 세포 배양 기재 상에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는, 세포의 액틴 재배열을 조절하는 방법 및 세포 형태 변화를 유도하는 방법; 및 상기 산화아연 박막을 구비한 세포 배양 기재를 포함한 이식체 또는 피부부착용 패치에 관한 것이다.
본 발명의 세포 배양 기재에 구비된 산화아연(ZnO) 박막은 원자층 증착방식(ALD)에 의해 제조된 것으로서, 나노미터 단위로 미세하게 조절할 수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의 표면 상에서 세포를 배양함으로써 인위적으로 세포 증식 속도를 조절할 수 있으므로, 증식이 필요한 세포의 증식 증가와 증식이 불필요한 세포의 증식 억제를 통한 치료적 활용이 가능하다.

Abstract translation: 本发明涉及具有通过原子层沉积（ALD）形成的氧化锌（ZnO）薄膜的细胞培养基板; 能够通过使用细胞培养基来改善肌动蛋白的表达的细胞培养方法; 一种控制细胞肌动蛋白重排的方法; 以及诱导细胞形态变化的方法，其包括在细胞培养基质上培养细胞的步骤; 以及包含具有ZnO薄膜的细胞培养基板的皮肤贴剂或植入物。 设置在细胞培养基板中的ZnO薄膜由能够通过纳米微调的ALD制造。 此外，通过在ZnO薄膜的表面上培养细胞，可以人工地控制细胞增殖率，通过增加必需的细胞并抑制不必要的细胞，可以获得治疗优势。

公开(公告)号：KR101652427B1

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：KR1020140016779

申请日：2014-02-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  최원진 ,  정윤장 ,  이영국 ,  박정규 ,  정종진 ,  고혁완 ,  이수진

IPC: C12M3/00 ,  C12N5/00 ,  C12N1/00

Abstract: 본발명은원자층증착방식(atomic layer deposition, ALD)에의해형성된산화아연(ZnO) 박막을구비한세포배양기재; 상기세포배양기재를이용한액틴발현을향상시키는세포배양방법; 상기세포배양기재상에서세포를배양하는단계를포함하는, 세포의액틴재배열을조절하는방법및 세포형태변화를유도하는방법; 및상기산화아연박막을구비한세포배양기재를포함한이식체또는피부부착용패치에관한것이다. 본발명의세포배양기재에구비된산화아연(ZnO) 박막은원자층증착방식(ALD)에의해제조된것으로서, 나노미터단위로미세하게조절할수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의표면상에서세포를배양함으로써인위적으로세포증식속도를조절할수 있으므로, 증식이필요한세포의증식증가와증식이불필요한세포의증식억제를통한치료적활용이가능하다.