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公开(公告)号：WO2015060636A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/KR2014/009938
申请日：2014-10-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种复合薄膜，其通过原子层沉积（ALD）设置有掺杂区域层和非掺杂区域层，因此在厚度方向上的分量方面是复杂的和不对称的，并且 一种制备方法。 根据本发明的复合薄膜在薄膜的一个区域上具有包括掺杂剂原子层的掺杂区域层，从而在薄膜的厚度方向上的成分方面具有复杂且不对称的性质， 并且允许掺杂区域层和非掺杂区域层具有不同的带结构，从而对薄膜的每个层区域具有不同的电磁特性。 因此，复合薄膜具有改进的功能，可用于显示器，存储器和半导体的所有领域。
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公开(公告)号：WO2014189191A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/KR2013/011732
申请日：2013-12-17
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.
Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由此处理的石墨烯装置。 更具体地说，本发明提供一种石墨烯清洗方法，其包括以下步骤：使用有机溶剂去除在其一面上形成有石墨烯层的石墨烯支撑层; 以及通过将石墨烯支撑层残留物去除石墨烯支撑层已去除的石墨烯层，然后将清洁部件移动到石墨烯层上，将清洁部件定位成允许相互作用的距离，以及包括石墨烯 通过过程清理。 根据本发明，可以在没有额外的工艺或成本的情况下大量地均匀地提高石墨烯的性能。 此外，在本发明中制造的清洁的石墨烯装置具有优异的电性能以及优异的机械和光学性能。
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3.发明申请
公开(公告)号：WO2013165221A1
公开(公告)日：2013-11-07
申请号：PCT/KR2013/003879
申请日：2013-05-03
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C16/305 , C07F1/005 , C07F3/003 , C07F7/003 , C07F7/2284 , C07F9/902
Abstract: 본 발명은 아미노싸이올레이트 리간드를 이용한 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 금속 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점이 있고 열적 안정성과 휘발성이 향상되어 양질의 황화금속 박막을 형성할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用氨基硫醇配体的金属前体，其中金属前体包含硫，并且具有在制造薄膜时不需要单独添加硫的优点，并且由于制备高质量的金属硫化物薄膜而形成 增强的热稳定性和挥发性。
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公开(公告)号：KR101652427B1
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：KR1020140016779
申请日：2014-02-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은원자층증착방식(atomic layer deposition, ALD)에의해형성된산화아연(ZnO) 박막을구비한세포배양기재; 상기세포배양기재를이용한액틴발현을향상시키는세포배양방법; 상기세포배양기재상에서세포를배양하는단계를포함하는, 세포의액틴재배열을조절하는방법및 세포형태변화를유도하는방법; 및상기산화아연박막을구비한세포배양기재를포함한이식체또는피부부착용패치에관한것이다. 본발명의세포배양기재에구비된산화아연(ZnO) 박막은원자층증착방식(ALD)에의해제조된것으로서, 나노미터단위로미세하게조절할수 있다. 또한, 상기 ZnO 박막의표면상에서세포를배양함으로써인위적으로세포증식속도를조절할수 있으므로, 증식이필요한세포의증식증가와증식이불필요한세포의증식억제를통한치료적활용이가능하다.
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公开(公告)号：KR1020160042404A
公开(公告)日：2016-04-19
申请号：KR1020160037008
申请日：2016-03-28
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L27/108 , H01L29/786
Abstract: 본발명은단원자증착(atomic layer deposition, ALD)법을이용하여, 도핑영역층과비도핑영역층을구비하여두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적인복합박막및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른복합박막은박막일부에도판트원자층을포함하는도핑영역층을구비함으로써, 박막두께방향으로성분상에있어서복합및 비대칭적특성을갖게되고, 이는도핑영역층과비도핑영역층간의밴드구조가달라지게됨으로써박막의층 영역별로전자기적특성이달라지게되고, 기능성이향상되어디스플레이, 메모리, 반도체영역전반에걸쳐서사용될수 있다. 나아가복합박막내 도핑영역층의위치및 이의도판트농도에따라다양한전자기적특성에영향을미치며, 따라서도핑영역층의위치및 농도를조절함으로써박막의전자기적특성을목적에따라손쉽게조절할수 있다. 본발명에따른복합박막은단원자증착법으로제조됨으로써, 간단한공정을통하여박막의광학적및 전자기적특성을제어할수 있으며, 별도의추가공정이나복수의막을따로따로제조할필요가없기때문에생산단가측면에서도유리하다.
Abstract translation: 本发明涉及使用原子层沉积方法的非对称复合薄膜及其制造方法，其中不对称复合薄膜在厚度方向上包括掺杂区域层和非掺杂区域层，使用原子 层沉积（ALD）方法。 根据本发明，复合薄膜包括在薄膜的一部分上包括掺杂剂原子层的掺杂区域层，并且在薄膜的厚度方向上的成分上具有复杂且不对称的性质。 掺杂区域层和非掺杂区域层之间的带结构变得不同，因此电性能由薄膜的每个层面积改变。 不对称复合薄膜具有改进的功能，并且可以跨越显示器，存储器和半导体区域使用。 此外，不对称复合薄膜根据掺杂剂的浓度和复合薄膜中的掺杂区域层的位置影响各种电特性。 因此，控制掺杂区域的位置和浓度，因此可以根据目的容易地控制薄膜的电性能。 根据本发明，使用ALD法制造复合薄膜，由此通过简单的工艺控制薄膜的光学和电学性能。 复杂的薄膜对于生产成本是有利的，因为附加工艺或单独制造多个膜的工艺是不必要的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101485519B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046342
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 황을 포함하고 있는 전구체로서 열적 안정성과 휘발성이 개선되고 박막 제조 중에 별도의 황을 첨가시키지 않아도 되는 장점을 가지기 때문에 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)-
公开(公告)号：KR1020140106248A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：KR1020130020560
申请日：2013-02-26
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: Y02P20/544 , C30B7/105
Abstract: The present invention relates to a method for continuously producing a group iii nitride crystal powder, which reduces the process of connection and transport of a reactor over an existing ammonothermal synthesis reaction; minimizes contamination from oxygen and moisture by blocking the reactor from external air; and reduces the processing hours, thereby providing a reactor with excellent productivity for ammonothermal synthesis, by continuously pouring raw materials while maintaining a constant temperature and continuously collecting the powder whose reaction is finished.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于连续生产III族氮化物晶体粉末的方法，其减少了在现有的氨热合成反应器中反应器的连接和运输过程; 通过从外部空气堵塞反应器，最大限度地减少氧气和水分的污染; 并减少加工时间，从而通过连续地浇注原料同时保持恒温并连续收集反应结束的粉末，从而为氨热合成提供了优异的生产率的反应器。
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公开(公告)号：KR101610623B1
公开(公告)日：2016-04-08
申请号：KR1020140085100
申请日：2014-07-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40 , C23C16/44 , C23C16/46 , H01L21/205
Abstract: 본발명은동일주석전구체로부터 HO의존재하에신규의 SnO 상태의 p형주석산화물박막을증착하는단계를포함하는주석산화물박막제조및 제어방법과이를이용한트랜지스터제조방법을제공하는것이다.
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公开(公告)号：KR101485520B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020130046349
申请日：2013-04-25
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 텅스텐 전구체에 관한 것으로, 상기 텅스텐 전구체는 열적으로 안정하며 휘발성이 높다는 장점이 있고 이를 이용하여 양질의 황화텅스텐 박막을 형성할 수 있다.
[화학식 1]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, R
6 는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택된다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, R
1 은 C1-C4의 선형 또는 분지형의 알킬기이고, R
2 , R
3 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이며, R
4 , R
5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형의 알킬기 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기이고, n은 1 내지 3 범위의 정수에서 선택되며, X는 Cl, Br 또는 I이다.)Abstract translation: 本发明涉及由式1或2的方法，其中所述钨前体是热稳定的并且具有高的挥发性的优点可通过使用此形成硫化钨的高品质的薄膜，所表示的钨前体。
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