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公开(公告)号：WO2016089164A2
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/KR2015/013234
申请日：2015-12-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: A61L27/56 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B32/23 , C01B2204/20 , H01M4/13 , H01M4/1315 , H01M4/139 , H01M4/663 , H01M4/8615 , Y02E60/13
Abstract: 본 발명은 그래핀의 화학반응 투명성을 이용하는 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전자 전달을 방해하지 않으면서 산소의 확산을 막는 그래핀을 활용함으로써 그래핀 표면에서 촉매반응에 의해 원하는 물질을 형성시킬 수 있는 방법 및 이의 응용 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 利用石墨烯的化学反应透明性的方法技术领域本发明涉及一种利用石墨烯的化学反应透明性的方法，更具体地涉及使用石墨烯表面来防止氧气扩散的方法 本发明涉及通过反应形成期望物质的方法及其应用方法。
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公开(公告)号：WO2017123075A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/KR2017/000529
申请日：2017-01-16
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/44 , G01N21/65 , H01B3/22
Abstract: 본 발명은 저중합체 유전층을 이용한 표면증강라만분석용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 기판 상에 형성된 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격을 가지는 금속 함유 박막 상에 스페이서(spacer) 역할을 하는 층으로서 저중합체 유전층을 형성하여 상기 금속 함유 박막의 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격에 대응되는 표면 형태로 수 나노미터 수준의 두께를 갖는 저중합체 유전층을 형성시킨 다음 상기 저중합체 유전층 상에 수 내지 수십 나노미터 수준의 두께로 금속 함유 나노입자를 증착시킴으로써 면밖 핫스팟 및 면내 핫스팟이 동시에 형성될 수 있는 표면증강라만분석용 기판을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用低聚合物介电层制造用于表面增强拉曼分析的基材的方法。 表面上。根据本发明，以形成低聚合物介电层作为间隔物（间隔物）作用于含金属的薄膜相已形成对应于该含金属的膜的微观层面的表面粗糙度的间距在基片上的微级的表面粗糙度的间隔层 具有低其形成聚合物介电层，然后在低聚合物介电层通过在几十纳米级厚度myeonbak热点和平面热点的沉积具有以下形式的纳米级厚度它可以在同一时间形成的含金属纳米颗粒为上 有可能为表面增强拉曼分析提供衬底。
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公开(公告)号：WO2017065530A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/KR2016/011504
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract translation:
本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。
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4.发明申请나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법 审中-公开使用纳米仪抛光的一个方向对准纳米尺寸材料的方法，使用该方法的电气装置和用于制造上述电气装置的方法
公开(公告)号：WO2014077624A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/010410
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: 본 발명은 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이 를 이용한 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 기판의 표면 층에 나노미터 수준의 폭과 깊이를 갖는 스크래치들을 일방향으로 형성하고 상기 스크래치들에 나노 물질 을 정렬하여 우수한 전기적, 기계적 또는 광학적 특성을 갖는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이를 이용한 전기 소자의 제조방법에 대 한 것이다. 본 발명은, 폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 0.1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및, 상기 스크래치들이 형성된 기 판에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法以及使用上述方法制造器件的方法。 本发明涉及一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其中在一个方向上在基底的表面层上形成具有纳米级宽度和深度的划痕，并且纳米尺寸材料 在划痕中排列，以获得优异的电气，机械或光学特性。 本发明还涉及使用上述方法制造电子装置的方法。 本发明提供一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其包括：使用抛光装置在基板中在一个方向上形成宽度为0.1至20nm的划痕的步骤（步骤1） ; 以及在衬底中引入和对准纳米尺寸材料与其中形成的划痕的步骤（步骤2）。
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公开(公告)号：WO2015060636A1
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：PCT/KR2014/009938
申请日：2014-10-22
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/06
CPC classification number: C23C16/40 , C23C16/45525
Abstract: 본 발명은 단원자 증착(atomic layer deposition, ALD)법을 이용하여, 도핑영역층과 비도핑영역층을 구비하여 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적인 복합박막 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 복합박막은 박막 일부에 도판트 원자층을 포함하는 도핑영역층을 구비함으로써, 박막 두께 방향으로 성분상에 있어서 복합 및 비대칭적 특성을 갖게 되고, 이는 도핑영역층과 비도핑영역층간의 밴드 구조가 달라지게 됨으로써 박막의 층 영역별로 전자기적 특성이 달라지게 되고, 기능성이 향상되어 디스플레이, 메모리, 반도체 영역 전반에 걸쳐서 사용될 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种复合薄膜，其通过原子层沉积（ALD）设置有掺杂区域层和非掺杂区域层，因此在厚度方向上的分量方面是复杂的和不对称的，并且 一种制备方法。 根据本发明的复合薄膜在薄膜的一个区域上具有包括掺杂剂原子层的掺杂区域层，从而在薄膜的厚度方向上的成分方面具有复杂且不对称的性质， 并且允许掺杂区域层和非掺杂区域层具有不同的带结构，从而对薄膜的每个层区域具有不同的电磁特性。 因此，复合薄膜具有改进的功能，可用于显示器，存储器和半导体的所有领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2014189191A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/KR2013/011732
申请日：2013-12-17
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.
Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由此处理的石墨烯装置。 更具体地说，本发明提供一种石墨烯清洗方法，其包括以下步骤：使用有机溶剂去除在其一面上形成有石墨烯层的石墨烯支撑层; 以及通过将石墨烯支撑层残留物去除石墨烯支撑层已去除的石墨烯层，然后将清洁部件移动到石墨烯层上，将清洁部件定位成允许相互作用的距离，以及包括石墨烯 通过过程清理。 根据本发明，可以在没有额外的工艺或成本的情况下大量地均匀地提高石墨烯的性能。 此外，在本发明中制造的清洁的石墨烯装置具有优异的电性能以及优异的机械和光学性能。
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公开(公告)号：KR101997138B1
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：KR1020177018525
申请日：2015-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/186 , C01B32/194 , C01B32/23 , H01M4/1315 , H01M4/139 , H01M4/66 , H01M4/86 , A61L27/56
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公开(公告)号：KR1020170085137A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：KR1020177018525
申请日：2015-12-04
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01B32/182 , A61L27/56
CPC classification number: A61L27/56 , C01B32/186 , C01B32/20 , C01B32/23 , C01B2204/20 , H01M4/13 , H01M4/1315 , H01M4/139 , H01M4/663 , H01M4/8615 , Y02E60/13 , C01B32/182 , C01B32/194
Abstract: 본발명은그래핀의화학반응투명성을이용하는방법에관한것으로, 더욱상세하게는전자전달을방해하지않으면서산소의확산을막는그래핀을활용함으로써그래핀표면에서촉매반응에의해원하는물질을형성시킬수 있는방법및 이의응용방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是涉及一种使用化学反应，销，更具体的透明度的方法，而没有与所述电子传输干扰停止西山牛扩散是通过利用销是在sikilsu形成通过在销表面的催化反应所期望的材料 及其应用方法。
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公开(公告)号：KR101733664B1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020160004866
申请日：2016-01-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/44 , G01N21/65 , H01B3/22
Abstract: 본발명은저중합체유전층을이용한표면증강라만분석용기판의제조방법에관한것이다. 본발명에서는기판상에형성된마이크로수준의표면거칠기간격을가지는금속함유박막상에스페이서(spacer) 역할을하는층으로서저중합체유전층을증착하여상기금속함유박막의마이크로수준의표면거칠기간격에대응되는표면형태로수 나노미터수준의두께를갖는저중합체유전층을형성시킨다음상기저중합체유전층상에수 내지수십나노미터수준의두께로금속함유나노입자를증착시킴으로써면밖핫스팟및 면내핫스팟이동시에형성될수 있는표면증강라만분석용기판을제공할수 있다.
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公开(公告)号：KR101434463B1
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：KR1020120077173
申请日：2012-07-16
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명의 목적은 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법 및 이에 따라 제조된 박막 패턴을 제공하는 데 있다. 이를 위하여 본 발명은 기판에 박막을 증착하는 단계(단계 1); 상기 박막 상부로 실리콘 수지 접착제층을 형성하는 단계(단계 2); 박막을 패터닝하기 위한 실리콘 수지 스탬프를 제조하는 단계(단계 3); 상기 단계 2에서 형성된 접착제층과 상기 단계 3에서 제조된 실리콘 수지 스탬프의 패턴부분을 표면개질하여 활성접착제층으로 변환하는 단계(단계 4); 상기 단계 4에서 활성접착제층으로 변환된 실리콘 수지 스탬프의 패턴부분을 접착제층에 접촉하고, 탈수축합반응시키는 단계(단계 5); 및 상기 실리콘 수지 스탬프를 기판으로부터 제거하여 기판상에 패턴을 형성하는 단계(단계 6);를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법를 포함하는 것을 특징으로 하는 소프트 리소그래피를 통한 박막 패턴의 제조방법을 제공한다. 또한 본 발명은 상기의 방법에 따라 제조되고, 기판 상부에 결정형 박막, 금속 박막, 금속산화물 박막, 비정질 박막 및 폴리머 박막으로부터 선택되는 1종의 박막이 패터닝된 것을 특징으로 하는 박막 패턴을 제공한다. 본 발명에 따르면 결정성 박막을 포함하는 모든 재료의 박막을 소프트 리소그래피공정을 통해 패터닝할 수 있다는 장점이 있다.
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