4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법
    2.
    发明公开
    4족 전이금속 전구체, 이의 제조 방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법 有权
    第四组过渡金属前驱体,其制备方法及使用该薄膜形成薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020150105021A

    公开(公告)日:2015-09-16

    申请号:KR1020140027158

    申请日:2014-03-07

    CPC classification number: C23C16/06 C23C16/448

    Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 4족 금속 전구체에 관한 것으로, 상기 4족 전이금속 전구체는 열적으로 안정하고 휘발성이 좋으므로 양질의 4족 전이금속 박막을 형성할 수 있다.
    [화학식 1]

    (상기 식에서, M은 Ti, Zr 또는 Hf이고, R
    1 은 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기, 또는 C6-C12의 방향족 탄화수소이며, R
    2 , R
    3 은 각각 독립적으로 H이거나 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기, 또는 C1-C10의 선형 또는 분지형의 플루오로알킬기고, R
    4 및 R
    5 는 각각 독립적으로 C1-C10의 선형 또는 분지형 알킬기이다.)

    Abstract translation: 本发明涉及由以下化学式1表示的IV族过渡金属前体。第IV族过渡金属前体是热稳定的并且具有优异的挥发性以形成具有良好质量的IV族过渡金属前体。 在化学式1中,M是Ti,Zr或Hf,R1是C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C10的直链氟代烷基或支链氟代烷基或C6的芳族烃 -C12,R2和R3分别表示H或C1-C10的直链烷基或支链烷基或C1-C19的直链氟代烷基或支链氟代烷基,R4和R5分别表示直链烷基或 C1-C10的支链烷基。

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