公开(公告)号：KR101049798B1

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

Abstract: 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다.
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다.
단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장

Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管晶体管的单层大量生产方法可以应用于纳米电子器件和化学传感器，生物传感器等。

公开(公告)号：KR1020110028872A

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/02

Abstract: PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.

Abstract translation: 目的：提供单层碳纳米管晶体管的批量生产方法，大量生产高性能晶体管，可以通过实现碳纳米管的选择性生长，将其用作具有高灵敏度的传感器。 构成：聚甲基丙烯酸甲酯层形成在硅基板上。 Fe / Mo催化剂铺展在聚甲基丙烯酸甲酯层上。 在聚甲基丙烯酸甲酯层上形成的Fe / Mo催化剂被剥离。 通过将与Fe / Mo催化剂反应的硅衬底浸入丙酮溶液中来除去聚甲基丙烯酸甲酯层。