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1.发明申请
公开(公告)号：WO2017052202A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：PCT/KR2016/010546
申请日：2016-09-21
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층과의 계면에서 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함량을 저감시키면서 탄소계 패시베이션막을 형성시키는 방법; 이를 이용하여 금속층 및 상기 금속층 상에 형성된 탄소계 패시베이션막을 구비한 금속 전극; 및 이를 이용하여 용액공정으로 유기소자를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 어닐링 조건에서 탄소계 패시베이션막을 금속 산화물 및/또는 금속 수산화물 함유 금속층 표면에 형성시키는 경우, 금속 표면에 이미 존재하는 산화막 및/또는 수산화막을 환원시키고 더 이상의 산화 및 부식이 일어나지 않도록 금속 표면을 보호할 수 있을 뿐만아니라, 계면 저항이 낮아서 금(Au)과 같이 자연산화막이 형성되지 않는 금속 전극으로 활용할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成碳基钝化膜的方法，同时减少与含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的界面中的金属氧化物和/或金属氢氧化物的含量; 包括金属层的金属电极和使用其形成在金属层上的碳基钝化膜; 以及通过使用其的溶液法制造有机元素的方法。 当在根据本发明的退火条件下在含有金属氧化物和/或金属氢氧化物的金属层的表面上形成碳基钝化膜时，碳基钝化膜可以保护金属表面以减少 氧化膜和/或氢氧化物膜，其已经存在于金属表面上，并且防止进一步的氧化和腐蚀，并且可以用作未形成天然氧化物膜的金属电极，如金（Au） ，由于界面阻力低。
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公开(公告)号：WO2014189191A1
公开(公告)日：2014-11-27
申请号：PCT/KR2013/011732
申请日：2013-12-17
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다. 본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.
Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由此处理的石墨烯装置。 更具体地说，本发明提供一种石墨烯清洗方法，其包括以下步骤：使用有机溶剂去除在其一面上形成有石墨烯层的石墨烯支撑层; 以及通过将石墨烯支撑层残留物去除石墨烯支撑层已去除的石墨烯层，然后将清洁部件移动到石墨烯层上，将清洁部件定位成允许相互作用的距离，以及包括石墨烯 通过过程清理。 根据本发明，可以在没有额外的工艺或成本的情况下大量地均匀地提高石墨烯的性能。 此外，在本发明中制造的清洁的石墨烯装置具有优异的电性能以及优异的机械和光学性能。
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公开(公告)号：WO2017065530A1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：PCT/KR2016/011504
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.
Abstract translation:
本发明涉及一种方法，用于制造基底材料（衬底），但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的，石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征，以确定哪些确定其增加了相（上）石墨烯薄膜含有金属的层的表面能，改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。
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4.发明申请나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법과 이를 이용한 전기 소자 및 그 제조방법 审中-公开使用纳米仪抛光的一个方向对准纳米尺寸材料的方法，使用该方法的电气装置和用于制造上述电气装置的方法
公开(公告)号：WO2014077624A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/KR2013/010410
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: 본 발명은 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이 를 이용한 소자의 제조방법에 대한 것으로서, 기판의 표면 층에 나노미터 수준의 폭과 깊이를 갖는 스크래치들을 일방향으로 형성하고 상기 스크래치들에 나노 물질 을 정렬하여 우수한 전기적, 기계적 또는 광학적 특성을 갖는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법 및 이를 이용한 전기 소자의 제조방법에 대 한 것이다. 본 발명은, 폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 0.1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및, 상기 스크래치들이 형성된 기 판에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법을 제공한다.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法以及使用上述方法制造器件的方法。 本发明涉及一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其中在一个方向上在基底的表面层上形成具有纳米级宽度和深度的划痕，并且纳米尺寸材料 在划痕中排列，以获得优异的电气，机械或光学特性。 本发明还涉及使用上述方法制造电子装置的方法。 本发明提供一种使用纳米米抛光在一个方向上对准纳米尺寸材料的方法，其包括：使用抛光装置在基板中在一个方向上形成宽度为0.1至20nm的划痕的步骤（步骤1） ; 以及在衬底中引入和对准纳米尺寸材料与其中形成的划痕的步骤（步骤2）。
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公开(公告)号：KR101325212B1
公开(公告)日：2013-11-04
申请号：KR1020100116840
申请日：2010-11-23
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극에 관한 것으로, 상세하게는 절연성 재질의 기판 상부로 바닥전극을 형성하는 단계（단계 1); 상기 단계 1의 바닥전극 상부로 촉매층을 형성하는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 촉매층이 형성된 기판에 탄소 나노튜브를 성장시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소 나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소 나노튜브 전극을 제공한다.
본 발명의 탄소나노튜브 전극의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 탄소나노튜브 전극은 전극을 광기능기가 달린 폴리머 레진을 열화시켜 제조함으로써 고가의 금속 및 증착과정이 필요하지 않은 효과가 있으며, 탄소 나노튜브를 성장시켰을 때 탄소 나노튜브와 우수한 접촉저항 특성을 갖는 효과가 있다. 또한 본 발명의 탄소나노튜브 전극은 우수한 전기화학적 특성 및 우수한 접촉저항 특성을 가지며 이에 따라 고감도 전기화학센서, 연료전지 및 전자빔원등에 적용 가능한 효과가 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101905646B1
公开(公告)日：2018-10-10
申请号：KR1020160133143
申请日：2016-10-13
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.
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公开(公告)号：KR1020170093699A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：KR1020160183252
申请日：2016-12-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: G01N33/00 , G01N21/77 , G01N33/497
Abstract: 본발명은 2차원센서물질의민감도향상방법; 민감도가향상된 2차원센서물질함유복합체; 및 2차원센서물질의민감도가향상된박막형센서소자에관한것이다. 본발명에따른 2차원센서물질의민감도향상방법은그 위에탑재되는 2차원센서물질함유박막상에나노스케일의지형(topography) 및비균일정전전위(non-uniform electrostatic potential)을제공할수 있는기재를준비하는제1단계; 및제1단계의기재에 2차원센서물질함유박막을전사또는인쇄하는제2단계를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于改善二维传感器材料的灵敏度的方法; 一种灵敏度提高的含二维传感器材料的复合物; 以及具有改进的二维传感器材料的灵敏度的薄膜传感器元件。 根据本发明方法制备的衬底，可以提供含有纳米级（地形）的薄膜形貌和非均匀的静电电势（非均匀静电势）被安装在其上的二维传感器材料增强二维传感器材料的灵敏度， 的第一步骤; 以及将包含二维传感器物质的薄膜转印或印刷到第一步骤的基底的第二步骤。
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公开(公告)号：KR1020140136601A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：KR1020130056770
申请日：2013-05-20
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/186 , C01B32/196 , H01L29/1606 , H01L29/66015
Abstract: 본 발명은 정전기적인 힘을 이용한 그래핀 클리닝 공정 및 이에 의해 처리된 그래핀 소자에 관한 것으로서, 구체적으로는 유기용매를 사용하여 한쪽 면에 그래핀 층이 형성되어 있는 그래핀 지지층을 제거하는 단계와 그래핀 지지층이 제거된 그래핀 층 상에 상호작용이 가능한 거리에 클리닝 부재를 위치시켜서 상기 클리닝 부재를 그래핀 층 상에서 이동시킴으로써 그래핀 지지층 잔사를 제거하는 단계를 포함하는 그래핀 클리닝 방법 및 상기 방법에 의해 클리닝 처리된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 추가적인 공정이나 비용없이 대면적으로 그래핀의 성능을 균일하게 향상시킬 수 있으며, 본 발명으로 만들어진 클리닝된 그래핀 소자는 우수한 전기적 특성 및 기계적, 광학적 특성을 가진다.Abstract translation: 本发明涉及使用静电力的石墨烯清洗工艺和由其处理的石墨烯元件。 更具体地，本发明提供了石墨烯清洗方法，其包括通过使用有机溶剂在一个表面上去除包括石墨烯层的石墨烯支撑层的步骤，以及通过将清洁部件定位在石墨烯层上去除剩余的石墨烯支撑层的步骤 其中石墨烯支撑层在可能相互作用的距离内被去除，并且将清洁构件移动到石墨烯层上，并且包括通过该方法清洁的石墨烯的元素。 本发明可以均匀地提高大面积石墨烯的性能，而无需额外的工艺和费用。 此外，由于本发明，清洁的石墨烯元件获得优异的电气，机械和光学性能。
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公开(公告)号：KR101527863B1
公开(公告)日：2015-06-11
申请号：KR1020130074870
申请日：2013-06-27
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은유연성기재에탄소나노튜브(CNT) 네트워크필름이도입된양극성변형센서및 이의제조방법에관한것이다. 본발명의양극성변형센서는금속성탄소나노튜브와반도체성탄소나노튜브가무작위하게배열및 연결되어유연성기재의일면에도입됨으로써, 변형의크기및 방향성을전기적으로감지하여측정할수 있는효과가있다. 나아가본 발명의양극성변형센서는단순하고간단한공정을통하여저비용으로대량생산이가능한이점이있으며, 특정화학물질의유무및 농도를전기적으로감지할수 있는화학센서로이용될수도있다.
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公开(公告)号：KR101350401B1
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020120129419
申请日：2012-11-15
Applicant: 한국화학연구원
IPC: B82B3/00 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , H01L21/3105 , H01L29/0673
Abstract: The present invention relates to an aligning method for nanomaterials using nanometer polishing and a manufacturing method for a device using the same and, more specifically, to an aligning method for nanomaterials using nanometer polishing which forms scratches having a nanoscale width and depth on the surface layer of a substrate in one direction and aligns nanomaterials in the scratches to obtain excellent electrical, mechanical and optical properties and a manufacturing method for an electric device using the same. The present invention provides the aligning method for nanomaterials using nanometer polishing comprising: a step (step 1) of forming scratches which have a width of 1-20 nm and are aligned in one direction on the substrate by using a polishing device; and a step (step 2) of bringing nanomaterials on the substrate in which the scratches are formed and aligning the nanomaterials.
Abstract translation: 本发明涉及使用纳米抛光的纳米材料的取向方法和使用其的装置的制造方法，更具体地，涉及使用纳米抛光的纳米材料的取向方法，其形成具有纳米级宽度和深度的划痕 的一个方向上的衬底并且在划痕中对准纳米材料以获得优异的电学，机械和光学性质以及使用其的电子器件的制造方法。 本发明提供使用纳米抛光的纳米材料的对准方法，包括：通过使用抛光装置在基板上形成宽度为1-20nm并沿一个方向排列的划痕的步骤（步骤1）; 以及使纳米材料在其上形成划痕的基板上并对准纳米材料的步骤（步骤2）。
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