公开(公告)号：KR101049798B1

公开(公告)日：2011-07-19

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

Abstract: 본 발명은 나노 전자소자 및 화학센서, 바이오센서 기타에 응용될 수 있는 단일겹 탄소 나노튜브 트랜지스터의 대량생산 방법에 관한 것이다.
변형된 퍼니스 및 필오프과정을 이용한 단일겹 탄소나노튜브 트랜지스터의 대량 생산방법은 SiO2층으로 절연된 실리콘 기판 위에 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층을 형성하여 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴을 제작하는 1단계; 상기 실기콘 기판위의 Fe/Mo 촉매가 위치할 패턴에 Fe/Mo 촉매를 도포하고 건조하는 2단계; Fe/Mo 촉매위에 PDMS를 덮어준다음 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA)층 위에 형성된 Fe/Mo 촉매를 필오프하는 3단계; 상기 Fe/Mo촉매와 반응한 실리콘 기판을 아세톤 용액에 담가 상기 폴리메틸메타크릴레이트를 리프트오프하여 제거하는 4단계; 퍼니스속에서 단일겹 탄소나노튜브를 성장시키는 5단계; 및 성장된 단일겹 탄소나노튜브에 전극을 형성하는 6단계;를 포함하고, 전 기판면적에 균일한 탄소 나노튜브의 성장이 가능한 퍼니스를 사용하고, 상기 Fe/Mo 촉매의 위치 선택적 도포가 가능한 것을 특징으로 한다.
단일겹 탄소나노튜브, 열증착법, 탄소나노튜브트랜지스터, 퍼니스구조, 필오프, 선택적 탄소 나노튜브 성장

Abstract translation: 本发明涉及碳纳米管晶体管的单层大量生产方法可以应用于纳米电子器件和化学传感器，生物传感器等。

公开(公告)号：KR1020110028872A

公开(公告)日：2011-03-22

申请号：KR1020090086501

申请日：2009-09-14

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  장현주 ,  박세린 ,  박소희 ,  소혜미 ,  박동원 ,  이금주 ,  공기정

IPC: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B31/02

CPC classification number: H01L29/72 ,  B82B3/00 ,  C01B32/158 ,  C01B2202/02

Abstract: PURPOSE: A mass production method of single layer carbon nanotube transistor is provided to mass produce the transistor of high performance which can be used as sensor with high sensitivity by enabling the selective growth of the carbon nano tube. CONSTITUTION: The polymethyl methacrylate layer is formed on a silicon substrate. The Fe/Mo catalyst is spread on the polymethyl methacrylate layer. The Fe/Mo catalyst formed on the polymethyl methacrylate layer is peeled off. The polymethyl methacrylate layer is removed by dipping the silicon substrate reacted with the Fe/Mo catalyst in the acetone solution.

Abstract translation: 目的：提供单层碳纳米管晶体管的批量生产方法，大量生产高性能晶体管，可以通过实现碳纳米管的选择性生长，将其用作具有高灵敏度的传感器。 构成：聚甲基丙烯酸甲酯层形成在硅基板上。 Fe / Mo催化剂铺展在聚甲基丙烯酸甲酯层上。 在聚甲基丙烯酸甲酯层上形成的Fe / Mo催化剂被剥离。 通过将与Fe / Mo催化剂反应的硅衬底浸入丙酮溶液中来除去聚甲基丙烯酸甲酯层。

公开(公告)号：KR1020090128276A

公开(公告)日：2009-12-15

申请号：KR1020080054358

申请日：2008-06-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  이금주 ,  김병계 ,  소혜미 ,  공기정 ,  장현주 ,  김용환

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/00 ,  G01N33/48

Abstract: PURPOSE: A bio sensor and a manufacturing method thereof are provided to fix metal nano-particle using a non-covalent binding mode without destroying covalent bond between carbons of the carbon nano-tube. CONSTITUTION: A manufacturing method with a metal immobilized carbon nano-tube comprises following steps. A carbon nano-tube transistor including source electrode, drain electrode, and gate and carbon nano-tube(30) is manufactured. In the carbon nano-tube transistor, all electrodes except for the carbon nano-tube are insulated. The insulated carbon nano-tube transistor is put into solution with metallic ion and fixes the metal nano-particle on the surface of the carbon nano-tube.

Abstract translation: 目的：提供生物传感器及其制造方法，以使用非共价结合模式固定金属纳米颗粒，而不破坏碳纳米管的碳之间的共价键。 构成：具有金属固定碳纳米管的制造方法包括以下步骤。 制造包括源电极，漏电极和栅极和碳纳米管（30）的碳纳米管晶体管。 在碳纳米管晶体管中，除了碳纳米管之外的所有电极是绝缘的。 将绝缘碳纳米管晶体管放入金属离子溶液中，并将金属纳米颗粒固定在碳纳米管表面。

公开(公告)号：KR100991011B1

公开(公告)日：2010-10-29

申请号：KR1020080054358

申请日：2008-06-10

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 이정오 ,  이금주 ,  김병계 ,  소혜미 ,  공기정 ,  장현주 ,  김용환

IPC: G01N27/26 ,  G01N27/00 ,  G01N33/48

Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브 트랜지스터의 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자가 탄소와 탄소 사이의 공유결합을 파괴하지 않으면서 결합되어 있고, 전기전도도의 변화를 측정하여 목표 바이오 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서에 관한 것이고, 또한 탄소나노튜브 트랜지스터를 금속 이온이 녹아있는 용액에 넣고 금속을 환원시켜 탄소나노튜브의 표면에 금속 나노입자를 점재시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 바이오 센서의 제조방법에 관한 것이며, 또한 상기 바이오 센서를 이용한 목표 바이오 분자의 검출방법에 관한 것이다.
탄소나노튜브, 탄소나노튜브 트랜지스터, 금속 나노입자, 전기전도도, 바이오 센서, 바이오 분자