公开(公告)号：KR100621914B1

公开(公告)日：2006-09-14

申请号：KR1020040063890

申请日：2004-08-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태 ,  장홍석 ,  전형탁 ,  김석훈

IPC: C01G27/02

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及由下式（1）表示的铪前体Hf（mp）

公开(公告)号：KR1020060015063A

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：KR1020040063890

申请日：2004-08-13

Applicant: 한국화학연구원

Inventor： 김윤수 ,  김창균 ,  정택모 ,  안기석 ,  양택승 ,  조원태 ,  장홍석 ,  전형탁 ,  김석훈

IPC: C01G27/02

Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.