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公开(公告)号：KR1020060015063A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：KR1020040063890
申请日：2004-08-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G27/02
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.-
公开(公告)号：KR100621914B1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：KR1020040063890
申请日：2004-08-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G27/02
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及由下式（1）表示的铪前体Hf（mp）
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公开(公告)号：KR100480756B1
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020020045746
申请日：2002-08-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/403
Abstract: 본 발명은 산화알루미늄 박막 제조 방법에 관한 것으로서, a) 알루미늄 원으로서 알킬산디알킬알루미늄을 증착 반응기에 공급하여 기질 상에 알루미늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 알루미늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 알루미늄 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 기존의 원자층 증착법에 비해 온화한 공정 조건에서 양호한 품질의 산화알루미늄 박막을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040012257A
公开(公告)日：2004-02-11
申请号：KR1020020045746
申请日：2002-08-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
CPC classification number: C23C16/45553 , C23C16/403
Abstract: PURPOSE: Provided is a process for preparing an aluminum oxide thin film of good quality under the mild process conditions in comparison with conventional atom layer deposition method. CONSTITUTION: The process comprises the steps of introducing alkyl acid dialkylaluminum as aluminum source into a deposition chamber to adsorb an aluminum contained chemical species on a substrate; removing the unreacted aluminum source and byproducts from the chamber; introducing an oxygen source into the deposition chamber to adsorb an oxygen contained chemical species on the substrate; and removing the unreacted oxygen source and byproducts from the chamber.
Abstract translation: 目的：提供与常规原子层沉积法相比，在温和的工艺条件下制备质量好的氧化铝薄膜的方法。 构成：该方法包括将作为铝源的烷基酸二烷基铝引入沉积室以将含铝化学物质吸附在基底上的步骤; 从室中除去未反应的铝源和副产物; 将氧源引入所述沉积室以将含氧化学物质吸附在所述基底上; 并从室中除去未反应的氧源和副产物。
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公开(公告)号：KR100711010B1
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：KR1020050050745
申请日：2005-06-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)지르코늄(IV)을 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법으로 지르코늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 지르코늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060085840A
公开(公告)日：2006-07-28
申请号：KR1020050006774
申请日：2005-01-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R
1 ,
R
2 ,
R
3 및 R
4 는 각각 독립적으로 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기다.-
公开(公告)号：KR100488852B1
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：KR1020030022911
申请日：2003-04-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C23C16/40
Abstract: 본 발명은 산화아연 박막 제조 방법에 관한 것으로서, a) 아연 원으로 알킬산알킬아연을 침착(deposition) 반응기에 공급하여 기질 위에 아연 함유 화학종을 흡착시키는 단계; b) 미반응 아연 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 1 정화 단계; c) 반응기에 산소 원을 공급하여 아연 함유 화학종이 흡착된 기질 상에 산소 함유 화학종을 흡착시키는 단계; 및 d) 미반응 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제 2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의하면 기존의 원자층 침착법에 비해 온화한 공정 조건에서 양호한 품질의 산화아연 박막을 얻을 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060130976A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：KR1020050050745
申请日：2005-06-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/02189 , H01L21/02271
Abstract: A method for manufacturing a ZrO thin film is provided to prevent carbon contamination and to restrain the generation of a silicon oxide layer by using Zr alone without an additional supply of oxygen source. A ZrO thin film is formed by performing an MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) using Zr compound as a precursor material. The predetermined Zr compound is represented by a predetermined chemical formula. The predetermined Zr compound is used for forming the ZrO thin film without an additional oxygen source. The predetermined Zr compound is kept in a predetermined temperature range of room temperature to 90 ‹C.
Abstract translation: 提供一种制造ZrO薄膜的方法，以防止碳污染，并且通过单独使用Zr而不需要额外的氧源供应来抑制氧化硅层的产生。 通过使用Zr化合物作为前体材料进行MOCVD（金属有机化学气相沉积）来形成ZrO薄膜。 预定的Zr化合物由预定的化学式表示。 预定的Zr化合物用于形成不含附加氧源的ZrO薄膜。 将预定的Zr化合物保持在室温至90℃的预定温度范围内。
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9.发明授权
公开(公告)号：KR100643637B1
公开(公告)日：2006-11-10
申请号：KR1020050006774
申请日：2005-01-25
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G53/04
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1의 니켈 아미노알콕사이드 선구 물질을 니켈의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 니켈 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있다.
상기 식에서, m은 1 내지 3 범위의 정수고, R
1 ,
R
2 ,
R
3 및 R
4 는 각각 독립적으로 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기다.-
公开(公告)号：KR100627633B1
公开(公告)日：2006-09-25
申请号：KR1020050058349
申请日：2005-06-30
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 니켈 산화물 박막을 원자층 침착법으로 제조하여 차세대 비휘발성 메모리 소자인 RRAM의 니켈 산화막 층을 형성하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 따르면 기존의 물리적 침착 방법으로 제조하는 니켈 산화물 박막에 비하여 우수한 박막 특성과 저항 전환(resistance switching) 현상을 보이는 품질이 좋은 니켈 산화물 박막을 얻을 수 있어 이를 RRAM 소자로 잘 응용할 수 있다.
니켈 산화막, RRAM, 원자층 침착법Abstract translation: 本发明已经制备，氧化镍薄膜的原子层沉积方法的方法用于形成RRAM，下一代的非易失性存储器件的氧化镍层，根据本发明的方法中，通过常规的物理沉积方法制备的氧化镍薄膜 可以获得表现出优异的薄膜特性和电阻切换现象并且可以很好地应用于RRAM器件的优质氧化镍薄膜。
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