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公开(公告)号：KR1020060000060A
公开(公告)日：2006-01-06
申请号：KR1020040048917
申请日：2004-06-28
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C07F9/00 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/20
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 탄탈럼 질화물 선구 물질과 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 탄탈럼 질화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 양질의 탄탈럼 질화물 박막을 제조하는 데 유리하게 이용할 수 있다.
RN=Ta(NR'
2 )
n (OCR"
2 CH
2 NR
*
2 )
3-n
상기 식에서, R은 이소프로필기거나 t-부틸기고, R'은 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸 또는 알킬실릴 기고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기고, R
＊ 는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴 기고, n은 0, 1 또는 2다.-
公开(公告)号：KR100554524B1
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040048917
申请日：2004-06-28
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시한 탄탈럼 질화물 선구 물질과 이의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 탄탈럼 질화물 선구 물질은 열적으로 안정하고 휘발성이 높아 양질의 탄탈럼 질화물 박막을 제조하는 데 유리하게 이용할 수 있다.
RN=Ta(NR'
2 )
n (OCR"
2 CH
2 NR
*
2 )
3-n
상기 식에서, R은 이소프로필기거나 t-부틸기고, R'은 메틸, 에틸, 이소프로필, t-부틸 또는 알킬실릴 기고, R"은 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬기고, R
＊ 는 C
1 -C
4 선형 또는 분지형 알킬 또는 알킬실릴 기고, n은 0, 1 또는 2다.Abstract translation: 本发明涉及一种玻璃，以获得氮化钽前体和作为其涉及用于制备过程中，氮化钽前体是热稳定的，并增加了根据由下式表示的本发明的质量氮化钽薄膜的挥发性（1） 可以用来制作。
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公开(公告)号：KR100704464B1
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020030012108
申请日：2003-02-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F1/08
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1과 화학식 2로 표시한 신규의 구리 아미노알콕사이드 화합물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 구리 선구 물질은 상온에서 고체 또는 액체 상태로 존재하며 증기압이 매우 높아 반도체 소자의 배선용 구리 도선의 화학 증착에 유용하게 사용할 수 있다.
상기 식에서,
m은 1 내지 3의 정수이고, n은 2 내지 4의 정수이며, R 및 R'은 플루오르를 포함하 거나 포함하지 않는 C
1-4 의 알킬기이다.-
公开(公告)号：KR100592793B1
公开(公告)日：2006-06-26
申请号：KR1020040063129
申请日：2004-08-11
Applicant: 한국화학연구원
IPC: H01L21/316
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV) [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), Hf(mp)
4 ]를 단일 선구 물질로 사용하여 금속 유기물 화학 증착법 (metal organic chemical vapor deposition, MOCVD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 선구 물질은 기존의 Hf(O
t Bu)
4 (hafnium tetra-
tert -butoxide)와 견줄 때 증기압이 높아 MOCVD 공정에 적합하고 안정성이 더 뛰어나 보관과 사용에 유리하며 산소 원을 따로 공급하지 않고 이를 단독으로 사용하여 질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 제조하는 데에 유용하다.-
公开(公告)号：KR1020060015063A
公开(公告)日：2006-02-16
申请号：KR1020040063890
申请日：2004-08-13
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C01G27/02
Abstract: 본 발명은 아래 화학식 1로 나타낸 하프늄 선구 물질 Hf(mp)
4 [tetrakis(3-methyl-3-pentoxy)hafnium(IV), 테트라키스(3-메틸-3-펜톡시)하프늄(IV)]를 하프늄의 원료 화합물로 사용하여 원자층 침착법 (atomic layer deposition, ALD)으로 하프늄 산화물 박막을 제조하는 방법에 관한 것으로, 1) Hf(mp)
4 를 하프늄 원으로 ALD 반응기에 공급하여 기질 위에 하프늄 함유 화학종을 흡착시키는 단계, 2) 반응하지 않은 하프늄 원 및 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제1 정화 단계, 3) 반응기에 산소 원을 공급하여 하프늄 함유 화학종이 흡착한 기질 위에 산소 화학종을 흡착시켜 반응을 일으키는 단계, 4) 반응하지 않은 산소 원과 반응 부산물을 반응기로부터 제거하는 제2 정화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따르면 기존의 원자층 침착법에 비해 더 온화한 공정 조건에서 품질이 좋은 하프늄 산화물 박막을 얻을 수 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050071770A
公开(公告)日：2005-07-08
申请号：KR1020040000080
申请日：2004-01-02
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C215/08
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 로 표시되는 전자 주개로 기능화된 아미노알코올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기능화된 아미노알코올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
상기 식에서,
R
1 은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기, 또는 Y(CH
2 )
m CH(R
* )-(여기에서, Y는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알콕시기 또는 디(C
1 -C
4 알킬)아민이고, R
* 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이며, m은 1 내지 3의 정수이다) 이고,
R
2 는 수소, 또는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이며,
R'는 서로 같거나 상이하며, 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기 또는 알킬실릴기이다.-
公开(公告)号：KR1020040076758A
公开(公告)日：2004-09-03
申请号：KR1020030012108
申请日：2003-02-26
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F1/08
Abstract: PURPOSE: Copper aminoalkoxide complexes, a preparation method thereof and a process for formation of the copper thin film using the same complexes are provided. The complexes have high volatility and thermal stability, and are reduced into copper without any reducing agent. Therefore, the complexes can be useful for formation of the high quality copper thin film. CONSTITUTION: A copper aminoalkoxide complex is represented by the formula(1), wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-4 alkyl optionally containing fluor. A copper aminoalkoxide complex is represented by the formula(2), wherein m is an integer of 1 to 3; n is an integer of 2 to 4; and R and R' are C1-4 alkyl optionally containing fluor. The method for preparing the copper aminoalkoxide complex of the formula(1) comprises reacting copper alkoxide or copper halogenide with amino alkoxide compound of alkali metals(MOCR'2(CH2)mNR2), wherein M is Li or Na. The method for preparing the copper aminoalkoxide complex of the formula(2) comprises reacting copper alkoxide or copper halogenide with amino alkoxide compound of alkali metals(MOC(R')2(CH2)mO(CH2)nNR2), wherein M is Li or Na.
Abstract translation: 目的：提供氨基烷氧基铜络合物及其制备方法和使用相同复合物形成铜薄膜的方法。 络合物具有高挥发性和热稳定性，并且在没有任何还原剂的情况下还原成铜。 因此，该复合物可用于形成高质量铜薄膜。 构成：铜氨基烷氧基络合物由式（1）表示，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是任选地含氟的C 1-4烷基。 铜氨基醇氧化物配合物由式（2）表示，其中m为1至3的整数; n为2〜4的整数， 并且R和R'是任选地含氟的C 1-4烷基。 制备式（1）的氨基亚烷基氧化物络合物的方法包括使烷氧基铝或卤化铜与碱金属的烷氧基化合物（MOCR'2（CH2）mNR2）反应，其中M为Li或Na。 制备式（2）的氨基烷氧基铜络合物的方法包括使烷氧基铝或卤化铜与碱金属（MOC（R'）2（CH2）mO（CH2）nNR2）的氨基醇盐化合物反应，其中M为Li或 娜。
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公开(公告)号：KR1020040074754A
公开(公告)日：2004-08-26
申请号：KR1020030010148
申请日：2003-02-18
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07F7/00
CPC classification number: C07F7/006 , C23C16/405 , C23C16/409 , C23C16/45525
Abstract: PURPOSE: A precursor of zirconium dioxide, a preparation method thereof and a method for forming thin film using the same are provided, which zirconium dioxide precursor has thermal stability and improved volatility, so that high quality of zirconium thin film can be formed. CONSTITUTION: The precursor of zirconium dioxide represented by formula (1) is provided, wherein R is C1-4 alkyl optionally containing fluor; and R' is C1-4 alkyl optionally containing fluor or SiR'3. The method for preparing the precursor of zirconium dioxide of formula (1) comprises reacting zirconium complex of formula (2) with alkali metal salt of alcohol of formula (3), wherein X is chlorine, bromine or iodine; and M is Li, Na or K. The method for preparing the precursor of zirconium dioxide of formula (1) comprises reacting zirconium complex of formula (2) with alcohol of formula (4) in the presence of tertiary amine. The method for forming thin film comprises carrying out MOCVD system(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition Systems) or ALD(atomic layer deposition) using the precursor of zirconium dioxide of formula (1).
Abstract translation: 目的：提供二氧化锆的前体，其制备方法和使用其制备薄膜的方法，其中二氧化锆前体具有热稳定性和改善的挥发性，从而可以形成高质量的锆薄膜。 构成：提供由式（1）表示的二氧化锆的前体，其中R是任选含氟的C 1-4烷基; 并且R'是任选地含有氟或SiR'3的C 1-4烷基。 制备式（1）二氧化锆前体的方法包括使式（2）的锆络合物与式（3）的醇的碱金属盐反应，其中X是氯，溴或碘; M是Li，Na或K.制备式（1）二氧化锆前体的方法包括在叔胺存在下使式（2）的锆络合物与式（4）的醇反应。 形成薄膜的方法包括使用式（1）的二氧化锆前体进行MOCVD系统（金属有机化学气相沉积系统）或ALD（原子层沉积）。
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公开(公告)号：KR100728601B1
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：KR1020030014383
申请日：2003-03-07
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C219/16 , C07F19/00
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 신규의 알콕사이드계 유기 리간드 물질 및 이들을 이용하여 제조된 하기 화학식 3으로 표시한 금속 착화합물 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 금속 착화합물은 열안정성 및 휘발성이 우수하여 양질의 금속 및 금속 산화물 박막 제조시 선구 물질로서 매우 유용하다.
상기 식에서, R은 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 알킬기 및 알콕시알킬기이고, R'는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 알킬기, Si(CH
3 )
3 또는 수소이고, R"는 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 C
1 -C
4 알킬기이고, m 및 n은 각각 1 내지 3 범위의 수이고, M은 알칼리 토금속, 전이금속 및 란탄족 금속 중에서 선택된 금속원소이고, y는 2 내지 6 범위의 수이고, R
1 은 상기 화학식 1 또는 2에 나타낸 아미노알콜에서 하이드록시기가 배제된 잔기이다.-
公开(公告)号：KR100627625B1
公开(公告)日：2006-09-25
申请号：KR1020050011920
申请日：2005-02-14
Applicant: 한국화학연구원
IPC: C07C215/10 , C07C215/12
Abstract: 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 삼차 아민을 포함하는 디올 화합물 및 이를 공기 분위기의 수용액 중에서 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 삼차 아민을 포함하는 디올 화합물은 금속과 결합되어 안정하고 휘발성이 향상된 금속 알콕사이드 착화합물을 제공하며, 이를 이용하여 질이 좋은 금속 또는 금속 산화물 박막을 제조할 수 있다.
[화학식 1]
상기 식에서, R
1 은 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기, 또는 이며; R
2 는 서로 동일하거나 상이하며 플루오르를 포함하거나 포함하지 않는 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기 또는 알킬실릴기이고; R
3 는 각각 동일하거나 상이하며 선형 또는 분지형 C
1 -C
4 알킬기이고 n은 0 내지 5이다.
삼차 아민, 디올 화합물
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