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公开(公告)号：KR102232199B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020170165429A
申请日：2017-12-04
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , A61K9/0021 , A61K9/7023 , A61M37/0015 , C23C14/0005 , C23C14/18 , C23C14/24 , A61M2037/0023
Abstract: 본 발명은 화학적 작용기를 갖는 고체 기재 상에 형성된 단일층 그래핀을 포함하는 템플릿을 이용한 금속 초박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 금속 초박막의 용도에 관한 것이다.
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公开(公告)号：WO2017123075A1
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/KR2017/000529
申请日：2017-01-16
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/44 , G01N21/65 , H01B3/22
Abstract: 본 발명은 저중합체 유전층을 이용한 표면증강라만분석용 기판의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 기판 상에 형성된 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격을 가지는 금속 함유 박막 상에 스페이서(spacer) 역할을 하는 층으로서 저중합체 유전층을 형성하여 상기 금속 함유 박막의 마이크로 수준의 표면 거칠기 간격에 대응되는 표면 형태로 수 나노미터 수준의 두께를 갖는 저중합체 유전층을 형성시킨 다음 상기 저중합체 유전층 상에 수 내지 수십 나노미터 수준의 두께로 금속 함유 나노입자를 증착시킴으로써 면밖 핫스팟 및 면내 핫스팟이 동시에 형성될 수 있는 표면증강라만분석용 기판을 제공할 수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及使用低聚合物介电层制造用于表面增强拉曼分析的基材的方法。 表面上。根据本发明，以形成低聚合物介电层作为间隔物（间隔物）作用于含金属的薄膜相已形成对应于该含金属的膜的微观层面的表面粗糙度的间距在基片上的微级的表面粗糙度的间隔层 具有低其形成聚合物介电层，然后在低聚合物介电层通过在几十纳米级厚度myeonbak热点和平面热点的沉积具有以下形式的纳米级厚度它可以在同一时间形成的含金属纳米颗粒为上 有可能为表面增强拉曼分析提供衬底。
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公开(公告)号：WO2019031845A1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：PCT/KR2018/009033
申请日：2018-08-08
Applicant: 한국화학연구원
IPC: A61B5/145 , G01N33/49 , G01N27/327 , C12Q1/00 , C12Q1/26
CPC classification number: A61B5/145 , C12Q1/00 , C12Q1/26 , G01N27/327 , G01N33/49
Abstract: 본 발명은 단일층 그래핀, 산화환원 중간체(redox-mediator) 및 글루코스 산화효소를 포함하는 글루코스 센서용 전극 및 이를 구비한 체외진단용 글루코스 센서에 관한 것이다. 글루코스 센서용 전극에 있어서, 단일층 그래핀의 제1측면에 산화환원 중간체가 존재하고, 단일층 그래핀의 제2측면에 글루코스 산화효소가 존재하도록 형성된 것을 포함한다.
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公开(公告)号：KR102200350B1
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：KR1020200061873
申请日：2020-05-22
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은반도체소자및 이를포함하는센서에관한것이다. 보다상세하게는기재; 및상기기재의적어도일면의전부또는일부에배치된반도체박막을포함하며, 상기반도체박막은표면에일 방향으로스크래치가형성되어있고, 상기반도체박막은전부또는일부에일 방향으로형성된나노리본구조를포함하는반도체소자및 이를포함하는센서에관한것으로, 상기반도체소자는간단한공정을통해제조할수 있으며, 상기반도체소자를포함하는센서는감도가우수하고작동온도가낮아져소비전력이감소될수 있다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR102232199B1
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：KR1020170165429
申请日：2017-12-04
Applicant: 한국화학연구원
Abstract: 본발명은화학적작용기를갖는고체기재상에형성된단일층그래핀을포함하는템플릿을이용한금속초박막의제조방법및 이에따라제조된금속초박막의용도에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101733664B1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：KR1020160004866
申请日：2016-01-14
Applicant: 한국화학연구원
CPC classification number: C23C14/02 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C16/02 , C23C16/06 , C23C16/44 , G01N21/65 , H01B3/22
Abstract: 본발명은저중합체유전층을이용한표면증강라만분석용기판의제조방법에관한것이다. 본발명에서는기판상에형성된마이크로수준의표면거칠기간격을가지는금속함유박막상에스페이서(spacer) 역할을하는층으로서저중합체유전층을증착하여상기금속함유박막의마이크로수준의표면거칠기간격에대응되는표면형태로수 나노미터수준의두께를갖는저중합체유전층을형성시킨다음상기저중합체유전층상에수 내지수십나노미터수준의두께로금속함유나노입자를증착시킴으로써면밖핫스팟및 면내핫스팟이동시에형성될수 있는표면증강라만분석용기판을제공할수 있다.
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