그래핀 저온 전사방법
    2.
    发明申请
    그래핀 저온 전사방법 审中-公开
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号:WO2017065530A1

    公开(公告)日:2017-04-20

    申请号:PCT/KR2016/011504

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14

    Abstract: 본 발명은 고분자 매개성 그래핀 전사법을 이용하되, 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재(substrate)를 제조하는 방법; 그래핀 표면으로부터 잔류물 없이 고분자를 제거하는 방법; 그래핀 상 고분자 패턴 형성 방법; 유기용매 처리시 고분자층이 제거되지 않도록 그래핀 상에 고분자 층을 고정하는 방법; 및 고분자 잔류물 없는 깨끗한 표면을 가진 그래핀 박막이 전사된 기재를 포함하는 전기전자소자에 관한 것이다. 본 발명은 금속 함유 층 상(上) 그래핀 박막의 표면에너지를 증가시키는 금속 함유 층의 금속 표면 상태를 결정하고, 상기 결정된 금속 표면 상태로 금속 함유 층을 변화시키는 조건을 결정하는 것이 특징이다.

    Abstract translation:

    本发明涉及一种方法,用于制造基底材料(衬底),但使用聚合物介导的石墨烯转移方法的,石墨烯薄膜具有游离聚合物残余物的清洁表面被转移; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征,以确定哪些确定其增加了相(上)石墨烯薄膜含有金属的层的表面能,改变含有在所确定的金属表面状态的金属层中的含金属层的金属表面状态的条件。

    그래핀 저온 전사방법
    5.
    发明公开
    그래핀 저온 전사방법 审中-实审
    石墨烯冷转移法

    公开(公告)号:KR1020170043472A

    公开(公告)日:2017-04-21

    申请号:KR1020160133143

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14 C01B32/186

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种用聚合物介导的石墨烯沉积方法制造其上具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板的方法; 从石墨烯表面除去没有残余物的聚合物的方法; 一种形成石墨烯聚合物图案的方法; 一种将聚合物层固定在石墨烯上以便在有机溶剂处理期间不去除聚合物层的方法; 并且在其上转印具有清洁表面而没有聚合物残余物的石墨烯薄膜的基板被转移。 本发明的特征,以确定这增加了含有金属的层的表面能(上)石墨烯薄膜的含有金属的层的金属表面状况,并且确定用于含金属层改变到金属表面上确定的状态的条件。

    그래핀 저온 전사방법
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:KR101905646B1

    公开(公告)日:2018-10-10

    申请号:KR1020160133143

    申请日:2016-10-13

    CPC classification number: B01J21/00 B01J23/00 H01B1/04 H01B5/14

    Abstract: 본발명은고분자매개성그래핀전사법을이용하되, 고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재(substrate)를제조하는방법; 그래핀표면으로부터잔류물없이고분자를제거하는방법; 그래핀상 고분자패턴형성방법; 유기용매처리시고분자층이제거되지않도록그래핀상에고분자층을고정하는방법; 및고분자잔류물없는깨끗한표면을가진그래핀박막이전사된기재를포함하는전기전자소자에관한것이다. 본발명은금속함유층 상(上) 그래핀박막의표면에너지를증가시키는금속함유층의금속표면상태를결정하고, 상기결정된금속표면상태로금속함유층을변화시키는조건을결정하는것이특징이다.

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