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公开(公告)号:WO2021075639A1
公开(公告)日:2021-04-22
申请号:PCT/KR2019/018092
申请日:2019-12-19
Applicant: 한양대학교에리카산학협력단 , 서울과학기술대학교 산학협력단
IPC: H01L23/373 , H01L21/324
Abstract: 반도체 소자 패키지의 제조 방법에 있어서, 반도체 소자를 준비하는 단계, 상기 반도체 소자 상에 열계면층을 제조하는 단계, 및 상기 열계면층 상에 방열부(heat spreader)를 배치하는 단계를 포함하되, 상기 열계면층은, 금속 코어, 및 상기 금속 코어를 감싸는 탄소 쉘을 포함하는 코어쉘 복합체를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号:WO2022092449A1
公开(公告)日:2022-05-05
申请号:PCT/KR2021/001601
申请日:2021-02-08
Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단 , 앨로힘 주식회사
Abstract: 본 발명은 3차원 구조물 상 증착 박막에 기반한 실리콘 커패시터 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 3차원 구조로 식각되어 표면적이 증가된 실리콘 기판과, 상기 실리콘 기판 상에 단일 성분의 유전체가 결정 구배형으로 형성된 유전 박막이 구비된 커패시터, 및 이를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은 ALD 및 PEALD 공정을 활용한 캐패시터 수동소자 제작 기술로서, 이는 기존 기술에 비해 소자의 주요 성능인 유전 용량(nF/mm2), 누설 전류 밀도(A/cm2), 항복 전압(MV/cm)을 개선시킬 수 있으며, 구체적으로, 제조시에 플라즈마를 이용함으로써 불순물이 적고 결정성이 높은 박막을 증착할 수 있어 유전율 및 유전 용량을 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명은 박막의 두께와 조성을 정밀하게 조절할 수 있어서, 유전용량, 누설 전류, 항복 전압 면에서 최적 성능을 보이는 소재 또는 구조에 대한 조합 구현이 가능하고, 대면적을 균일하게 증착할 수 있어 추후 양산 공정 대응이 간편한 효과가 있다.
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公开(公告)号:KR102099430B1
公开(公告)日:2020-04-09
申请号:KR1020190086127
申请日:2019-07-17
Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단
IPC: H01L23/00 , H01L23/532 , H01L21/02
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公开(公告)号:KR102024227B1
公开(公告)日:2019-11-04
申请号:KR1020170177502
申请日:2017-12-21
Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단
IPC: H01L23/485 , H01L23/28 , H01L23/34 , H01L23/538
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公开(公告)号:KR102142387B1
公开(公告)日:2020-08-07
申请号:KR1020200070713
申请日:2020-06-11
Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단
IPC: H01L23/532 , H01L23/00 , H01L21/02
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公开(公告)号:KR101461819B1
公开(公告)日:2014-11-13
申请号:KR1020130101228
申请日:2013-08-26
Applicant: 서울과학기술대학교 산학협력단
IPC: H01L23/34
CPC classification number: H01L2224/16145 , H01L23/3735 , H01L23/3171 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L24/12
Abstract: 본 발명은 반도체 소자가 미리 형성되어 있고 전도성 수직 관통 비어(TSV)와 냉각 유로용 수직 관통 비어 및 마이크로채널이 형성되어 있고, 표면에 패터닝된 유전층이 있는 제1기판과, 전도성 관통홀과 냉각 유로용 입출입부가 형성되어 있고, 표면에 범프가 형성되어 있는 제2기판을 포함하며, 상기 제1기판과 제2기판은 상기 패터닝된 유전층과 범프가 하이브리드 본딩되어 적층 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 적층형 냉각 시스템을 제공한다.
Abstract translation: 提供了一种包括第一基板和第二基板的层叠冷却系统。 第一衬底在其表面上具有半导体器件,电穿通硅通孔(TSV),流体TSV,微通道和图案化介电层。 第二基板具有电气通孔,流体入口和出口以及其表面上的凸块。 层叠的冷却系统通过第一和第二基板通过图案化的介电层和凸块的混合结合而形成。
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