직물의 발수가공용 금형 제조방법 및 이를 이용한 직물의 발수가공방법
    1.
    发明公开
    직물의 발수가공용 금형 제조방법 및 이를 이용한 직물의 발수가공방법 有权
    金属图案的制造方法,用于水性织物的表面处理和水性涂饰方法

    公开(公告)号:KR1020140049814A

    公开(公告)日:2014-04-28

    申请号:KR1020120116089

    申请日:2012-10-18

    Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a metallic mold for water-repellent finishing of a fabric and a method for water-repellent finishing of the fabric using the same, and more specifically, to a method for manufacturing a metallic mold for water-repellent finishing of a fabric, capable of forming fine patterns having a water-repellent function on a surface of the fabric, and a method for water-repellent finishing of the fabric using the same. According to the present invention, fine patterns having a water-repellent function can be formed on a surface of a fabric through a direct transferring method. The present invention is conducted through a simpler process than an existing coating method or an immersion method using a resin, and can be applied to even a large-area process, thereby being capable of improving productivity and economic feasibility. In addition, a solvent or the like, which is harmful to the environment, is not required to be used, thereby being capable of improving working stability. Further, since no fear exists of a decrease in the water-repellent degree due to friction or washing, the water-repellent function can be semipermanently maintained. [Reference numerals] (AA) Photosensitive layer; (BB) Substrate; (CC) Fabric; (DD) Mask

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造用于织物防水整理的金属模具的方法和使用该方法的织物的防水整理方法,更具体地说,涉及一种用于制造水溶性金属模具的方法, 能够在织物的表面上形成具有防水功能的精细图案的织物的防水整理,以及使用该织物的织物的防水整理方法。 根据本发明,可以通过直接转印法在织物的表面上形成具有防水功能的精细图案。 本发明通过比现有的涂布方法或使用树脂的浸渍法更简单的方法进行,并且甚至可以应用于大面积工艺,从而能够提高生产率和经济可行性。 此外,不需要使用对环境有害的溶剂等,从而能够提高工作稳定性。 此外,由于不会因摩擦或洗涤而导致防水性降低,所以可以半维持防水功能。 (附图标记)(AA)感光层; (BB)基材; (CC)面料; (DD)面膜

    디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 및 이에 적용하기 위한 디퓨저
    2.
    发明授权
    디퓨저 리소그래피를 이용한 3차원 미세구조 형성방법 및 이에 적용하기 위한 디퓨저 有权
    通过扩散器光刻技术和扩散器应用于三维微结构的制造方法

    公开(公告)号:KR101429524B1

    公开(公告)日:2014-08-14

    申请号:KR1020130053757

    申请日:2013-05-13

    CPC classification number: H01L21/0274 G03F7/004

    Abstract: According to the present invention, a 3D fine structure forming method using diffuser lithography includes a step of applying a sensitizer onto a substrate; a step of forming a pattern of a mask; a step of emitting light; and a step of forming a 3D structure on the sensitizer by using a developer. In the light emitting step, light scattered from more than two kinds of diffusers is emitted to the sensitizer through the mask. According to another type of the present invention, the diffuser is a diffuser applied to the 3D fine structure forming method using diffuser lithography and is characterized in that two kinds of diffusers are overlapped with each other. With the present invention, various 3D structures, having a lower gradient and thinner thickness than existing diffuser lithography, are made by using complexly formed light. Moreover, the present invention forms a 3D fine structure having an inclined cross section through a simpler facility in comparison with the former technology. The present invention enables mass production by using a lithography process.

    Abstract translation: 根据本发明,使用漫射光刻的3D精细结构形成方法包括将敏化剂施加到基底上的步骤; 形成掩模图案的步骤; 发光的一步; 以及通过使用显影剂在敏化剂上形成3D结构的步骤。 在发光步骤中,从两种扩散器散射的光通过掩模发射到敏化剂。 根据本发明的另一种类型,扩散器是应用于使用漫射光刻的3D精细结构形成方法的扩散器,其特征在于两种扩散器彼此重叠。 利用本发明,通过使用复合形成的光来制造具有比现有扩散器光刻更低的梯度和更薄的厚度的各种3D结构。 此外,与前述技术相比,本发明通过更简单的设备形成具有倾斜横截面的3D精细结构。 本发明可以通过使用光刻工艺进行批量生产。

    나노렌즈어레이몰드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 몰드를 이용한 나노렌즈어레이의 제조방법
    3.
    发明授权
    나노렌즈어레이몰드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 몰드를 이용한 나노렌즈어레이의 제조방법 有权
    使用其制造的模具制造纳米线阵列的模具制造方法和制造纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:KR101369736B1

    公开(公告)日:2014-03-06

    申请号:KR1020110104056

    申请日:2011-10-12

    Abstract: 나노렌즈어레이몰드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 몰드를 이용한 나노렌즈어레이의 제조방법이 개시된다. 본 발명의 나노렌즈어레이몰드의 제조방법은, 실리콘 기판을 산화시켜 표면에 1차 실리콘 산화막을 형성하고, 1차 실리콘 산화막 상에 반사 방지층과 감광층을 차례로 형성하는 단계; 감광층에 규칙적인 배열을 갖는 미세패턴을 포토리소그래피에 의해 형성하고,형성된 미세패턴에 따라 노출된 반사 방지층을 제거하는 단계;감광층을 마스크로 건식 식각하여 1차 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 단계; 및 선택적으로 제거된 1차 실리콘 산화막을 마스크로 실리콘 기판을 건식 식각하여 미세패턴을 형성하는 단계; 1차 실리콘 산화막을 제거하는 단계;미세패턴이 형성된 실리콘 기판에 열산화 공정을 수행하여 미세패턴 상에 2차 실리콘 산화막을 형성하는 단계; 및상기 2차 실리콘 산화막을 제거하는 단계를 포함한다. 이에 의하여, 나노렌즈 형상 조절이 매우 간단하고, 이에 의해 제조된 나노렌즈어레이는 나노수준의 미세한 렌즈들의 배열임에도 렌즈의 형태가 매우 균일하고 표면이 매끄러워 광학적 특성이 우수하다.

    실리콘 나노팁 어레이의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 나노팁 어레이
    4.
    发明公开
    실리콘 나노팁 어레이의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 나노팁 어레이 有权
    硅纳米线阵列及其制造的硅纳米线阵列的制造方法

    公开(公告)号:KR1020130038103A

    公开(公告)日:2013-04-17

    申请号:KR1020110102765

    申请日:2011-10-08

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon nanotip array and a silicon nanotip array manufactured by the same are provided to freely form the shape and the arrangement of initial mask patterns and to control the shape and the arrangement of nanotips. CONSTITUTION: An antireflection layer and a photoresist layer are successively formed on a silicon oxide layer formed by oxidizing a silicon substrate(step a). A micro pattern is regularly formed on the photoresist layer(step b). A dry etching process is performed by using the photoresist layer as a mask to selectively remove the silicon oxide layer(step c). A dry etching process is performed by using the silicon oxide layer as a mask to form a nanotip(step d). The silicon oxide layer is removed(step e). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Forming an oxide layer on a silicon substrate and coating BARC and a photosensitizer; (CC) Step a; (DD) Forming a micro pattern on the photoresist layer; (EE) Step b; (FF) Dry-etching a silicon oxide layer; (GG) Step c; (HH) Dry-etching the silicon substrate; (II) Step d; (JJ) Removing the silicon oxide layer; (KK) Step e; (LL) End;

    Abstract translation: 目的:提供一种制造硅纳米管阵列和由其制造的硅纳米管阵列的方法,以自由形成初始掩模图案的形状和布置,并且控制纳米尖端的形状和布置。 构成:在通过氧化硅衬底形成的氧化硅层上依次形成抗反射层和光致抗蚀剂层(步骤a)。 在光致抗蚀剂层上规则形成微图案(步骤b)。 通过使用光致抗蚀剂层作为掩模来进行干蚀刻工艺以选择性地去除氧化硅层(步骤c)。 通过使用氧化硅层作为掩模来进行干蚀刻工艺以形成纳米尖端(步骤d)。 除去氧化硅层(步骤e)。 (附图标记)(AA)开始; (BB)在硅衬底上形成氧化物层并涂覆BARC和光敏剂; (CC)步骤a; (DD)在光致抗蚀剂层上形成微图案; (EE)步骤b; (FF)干法蚀刻氧化硅层; (GG)步骤c; (HH)干式蚀刻硅衬底; (二)步骤d; (JJ)去除氧化硅层; (KK)步骤e; (LL)结束;

    대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 제조방법
    5.
    发明公开
    대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 제조방법 有权
    一种大尺寸基底上的纳米线阵列生物传感器的制作方法

    公开(公告)号:KR1020140081208A

    公开(公告)日:2014-07-01

    申请号:KR1020120150730

    申请日:2012-12-21

    Abstract: The present invention relates to a nanowell array biosensor on a large-sized substrate and a method for producing the same. More specifically, by means of the novel method, a nano-sized well array structure is reproducibly realized so that the detection sensitivity, selectivity, and reliability of a biomaterial can be improved. According to the present invention, a nano-sized well array structure which is highly integrated in a narrow region can be uniformly and reproducibly realized. Accordingly, a biosensor in which the detection sensitivity, selectivity, and reliability of biomolecules and biomaterials such as a variety of enzymes, proteins, and DNA are improved can be produced. Moreover, according to the present invention, in comparison to existing techniques, the biosensor can be mass produced on a large-sized substrate of 6 inches (diameter 150 mm) or larger so as to have high possibility for commercialization.

    Abstract translation: 本发明涉及大尺寸基板上的纳米线阵列生物传感器及其制造方法。 更具体地说,通过这种新方法,可再现地实现纳米尺寸的阱阵列结构,从而可以提高生物材料的检测灵敏度,选择性和可靠性。 根据本发明,可以均匀且可再现地实现高度集成在窄区域中的纳米尺寸的阱阵列结构。 因此,可以生产生物传感器,其中生物分子和生物材料如各种酶,蛋白质和DNA的检测灵敏度,选择性和可靠性得到改善。 此外,根据本发明,与现有技术相比,生物传感器可以在6英寸(直径150mm)以上的大尺寸基板上批量生产,从而具有高的商业化可能性。

    직물의 발수가공용 금형 제조방법 및 이를 이용한 직물의 발수가공방법
    6.
    发明授权
    직물의 발수가공용 금형 제조방법 및 이를 이용한 직물의 발수가공방법 有权
    金属图案的制造方法,用于水性织物的表面处理和水性涂饰方法

    公开(公告)号:KR101409406B1

    公开(公告)日:2014-06-20

    申请号:KR1020120116089

    申请日:2012-10-18

    Abstract: 본 발명은 직물의 발수가공용 금형 제조방법 및 이를 이용한 직물의 발수가공방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직물 표면에 발수성 기능을 가지는 미세 패턴을 형성할 수 있는 발수가공용 금형 제조방법과 이를 이용한 직물의 발수가공방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면 직접적 전사방법에 의해 직물 표면에 발수성 기능을 가지는 미세패턴을 형성할 수 있다. 기존의 코팅법이나 수지를 이용한 침지법보다 간단한 공정으로 이루어지고 대면적 공정에도 적용이 가능하여 생산성, 경제성이 개선될 수 있다. 또한 환경에 유해한 솔벤트 등의 사용이 요구되지 않아 작업 안전성을 개선할 수 있다. 아울러 마찰 또는 세탁으로 발수도가 저하될 염려가 없어 발수성 기능을 반영구적으로 유지할 수 있다.

    실리콘 나노팁 어레이의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 나노팁 어레이
    7.
    发明授权
    실리콘 나노팁 어레이의 제조방법 및 그 제조방법에 의해 제조된 실리콘 나노팁 어레이 有权
    硅纳米线阵列及其制造的硅纳米线阵列的制造方法

    公开(公告)号:KR101304991B1

    公开(公告)日:2013-09-06

    申请号:KR1020110102765

    申请日:2011-10-08

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법 및 그 방법에 따라 제조된 실리콘 나노팁 어레이가 개시된다. 본 발명의 실리콘 나노팁 어레이의 제조방법은, 실리콘 기판을 산화시켜 표면에 실리콘 산화막을 형성하고, 실리콘 산화막 상에 반사 방지층과 감광층을 차례로 형성하는 단계; 감광층에 규칙적인 배열을 갖는 미세패턴을 스텝퍼 노광장비에 의한 포토리소그래피로 형성하되, 미세패턴은 레티클에 형성된 최초의 마스크 패턴에 부합하도록 형성하며, 형성된 미세패턴에 따라 노출된 반사 방지층을 제거하는 단계; 미세패턴이 형성된 감광층을 마스크로 건식 식각하여 실리콘 산화막을 선택적으로 제거하는 단계; 선택적으로 제거된 실리콘 산화막을 마스크로 실리콘 기판을 건식 식각하여 나노팁을 형성하는 단계; 및 실리콘 산화막을 제거하는 단계;를 포함한다. 이에 의하여, 레티클의 최초 마스크 패턴을 원하는 형상 및 배열로 형성함으로써 실리콘 기판에 형성되는 나노팁의 형상 및 배열을 자유롭게 조절할 수 있다.

    발수성 코팅층이 형성된 증발기용 핀 및 이의 제조방법
    8.
    发明公开
    발수성 코팅층이 형성된 증발기용 핀 및 이의 제조방법 无效
    用于具有水喷涂层的蒸发器的FIN和用于生产它的方法

    公开(公告)号:KR1020150061765A

    公开(公告)日:2015-06-05

    申请号:KR1020130145866

    申请日:2013-11-28

    CPC classification number: F28F1/32 F25B39/02 F28F13/18

    Abstract: 본발명은알루미늄(Al) 합금재질의증발기용핀 표면에요철형상의표면을형성시키고그 위에발수성단분자층을형성시켜증발기표면에초발수특성을갖는코팅층을구비하게함으로써응축수가쉽게배출및 제거되는초발수성코팅층이형성된증발기용핀 및이의제조방법에관한것이다. 본발명에따른증발기용핀은초발수적표면특성을갖기때문에응축수가증발기표면에서단기간에제거될수 있어, 세균, 곰팡이등의미생물이증발길표면에증식할수 없게되며, 응축수에의한알루미늄의부식을억제함으로써냄새를저감시킬수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种具有超疏水涂层的蒸发器翅片及其制造方法,其中在作为铝(Al)合金材料的蒸发器的翅片表面上形成有不平坦表面,以及 在其上形成防水性单分子层,以在蒸发器表面上具有超疏水特性的涂层,从而容易地排出和除去冷凝水。 根据本发明,作为蒸发器的翅片具有超疏水性表面特性,在短时间内可以在蒸发器表面上除去冷凝水,以使细菌,真菌等微生物不被 在蒸发器表面增殖。 通过冷凝水对铝的腐蚀被抑制以减少气味。

    대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 제조방법
    9.
    发明授权
    대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 제조방법 有权
    一种大尺寸基底上的纳米线阵列生物传感器的制作方法

    公开(公告)号:KR101460066B1

    公开(公告)日:2014-11-11

    申请号:KR1020120150730

    申请日:2012-12-21

    Abstract: 본 발명은 대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 신규한 방법으로 나노 크기의 웰 어레이 구조를 재현성 있게 구현하여 생체물질의 검출 감도, 선택성 및 신뢰성을 개선할 수 있는 대면적 기판에서의 나노웰 어레이 바이오센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.
    본 발명에 따르면 좁은 영역에 고집적된 나노 크기의 웰 어레이 구조를 균일하고 재현성 있게 구현할 수 있다. 이에 의하여 다양한 효소, 단백질, DNA 등 생체분자 및 생체물질의 검출 감도(sensitivity)와 선택성(selectivity), 신뢰성(reliability)이 크게 향상된 바이오센서의 제조가 가능하다. 또한 본 발명에 따르면 종래기술과 달리 6인치 (지름 150mm) 이상의 대면적 기판으로 양산할 수 있어 상용화 가능성이 높다.

    나노렌즈어레이몰드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 몰드를 이용한 나노렌즈어레이의 제조방법
    10.
    发明公开
    나노렌즈어레이몰드의 제조방법 및 그 방법에 의해 제조된 몰드를 이용한 나노렌즈어레이의 제조방법 有权
    使用其制造的模具制造纳米线阵列的模具制造方法和制造纳米线阵列的方法

    公开(公告)号:KR1020130039477A

    公开(公告)日:2013-04-22

    申请号:KR1020110104056

    申请日:2011-10-12

    Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a nanolens array mold is provided to manufacture a nanolens array mold for manufacturing a nanolens array with a uniform nanolens shape and the low surface roughness by manufacturing a nanolens array mold through a nanopattern formation process by the photolithography and a dry etching process. CONSTITUTION: A manufacturing method of a nanolens array mold comprises the following steps: (a) after a silicon substrate is oxidized to form a first silicon oxide film on the surface, an anti-reflective layer and a photosensitive layer are successively formed on the silicon oxide film; (b) micro-patterns with the regular alignment are formed on the photosensitive layer with the photolithography, and the exposed anti-reflective layer is removed according to the micro-patterns; (c) the photosensitive layer is dry-etched with a mask to selectively remove the first silicon oxide film; (d) the silicon substrate is dry-etched using the selectively removed first silicon oxide film as a mask to form micro-patterns; (e) the first silicon oxide film is removed; (f) the thermal oxidation process is performed on the silicon substrate in which the micro-patterns are formed to form a second silicon oxide film on the micro-patterns; and (g) the second silicon oxide film is removed. [Reference numerals] (AA) Start; (BB) Forming an oxide film and BARC and applying a photosensitive agent on a silicon substrate; (CC) Step a; (DD) Forming micro-patterns on a photosensitive layer; (EE) Step b; (FF) Dry-etching a silicon oxide film; (GG) Step c; (HH) Dry-etching the silicon substrate; (II) Step d; (JJ,NN) Removing the silicon oxide film; (KK) Step e; (LL) Thermal oxidizing process; (MM) Step f; (OO) Step g; (PP) End;

    Abstract translation: 目的:提供一种纳米阵列模具的制造方法,以通过通过光刻法和纳米线阵列模具的纳米图案形成工艺制造纳米阵列模具来制造具有均匀纳米形状的纳米阵列和低表面粗糙度的纳米阵列模具 蚀刻工艺。 构成:纳米阵列模具的制造方法包括以下步骤:(a)在硅衬底被氧化以在表面上形成第一氧化硅膜之后,在硅上依次形成抗反射层和感光层 氧化膜; (b)通过光刻法在感光层上形成具有规则取向的微图案,并根据微图案去除曝光的抗反射层; (c)用掩模对感光层进行干蚀刻以选择性地去除第一氧化硅膜; (d)使用选择性去除的第一氧化硅膜作为掩模来干蚀刻硅衬底以形成微图案; (e)除去第一氧化硅膜; (f)在其上形成微图案的硅衬底上进行热氧化处理,以在微图案上形成第二氧化硅膜; 和(g)去除第二氧化硅膜。 (附图标记)(AA)开始; (BB)形成氧化膜和BARC并在硅衬底上施加感光剂; (CC)步骤a; (DD)在感光层上形成微图案; (EE)步骤b; (FF)干蚀刻氧化硅膜; (GG)步骤c; (HH)干式蚀刻硅衬底; (二)步骤d; (JJ,NN)除去氧化硅膜; (KK)步骤e; (LL)热氧化工艺; (MM)步骤f; (OO)步骤g; (PP)结束;

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