公开(公告)号：TWI540221B

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW099127063

申请日：2010-08-13

Applicant: ASM美國公司 ,  ASM AMERICA, INC.

Inventor： 席羅 艾瑞克 ,  SHERO, ERIC ,  瑞薩能 派提I ,  RAISANEN, PETRI I. ,  鄭相鎬 ,  JUNG, SUNG HOON ,  王強剛 ,  WANG, CHANG-GONG

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  C23C16/515

CPC classification number: C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

公开(公告)号：TW201126009A

公开(公告)日：2011-08-01

申请号：TW099127063

申请日：2010-08-13

Applicant: ASM美國公司

Inventor： 席羅 艾瑞克 ,  瑞薩能 派提I ,  鄭相鎬 ,  王強剛

IPC: C23C

CPC classification number: C23C16/40 ,  C01B13/11 ,  C01B2201/64 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/52

Abstract: 描述了系統及方法,其係尤其用於在反應室內之基板上沉積薄膜。在一種示例性方法中,該方法可包括以下步驟:將原子層沉積循環應用於該基板,其中該循環可包括以下步驟:將該基板暴露於前驅氣體歷時前驅物脈衝間隔,然後移除該前驅氣體,及將該基板暴露於包括氧化劑氣體及含氮物種氣體之氧化劑歷時氧化脈衝間隔,然後移除該氧化劑。本發明之多個方面利用可能進一步與諸如臭氧之氧化劑組合之分子及激發氮-氧自由基/離子物種。本發明之具體表現亦包含電子構件及系統,該系統包含用與本發明一致之方法來製造之裝置。

Abstract in simplified Chinese: 描述了系统及方法,其系尤其用于在反应室内之基板上沉积薄膜。在一种示例性方法中,该方法可包括以下步骤:将原子层沉积循环应用于该基板,其中该循环可包括以下步骤:将该基板暴露于前驱气体历时前驱物脉冲间隔,然后移除该前驱气体,及将该基板暴露于包括氧化剂气体及含氮物种气体之氧化剂历时氧化脉冲间隔,然后移除该氧化剂。本发明之多个方面利用可能进一步与诸如臭氧之氧化剂组合之分子及激发氮-氧自由基/离子物种。本发明之具体表现亦包含电子构件及系统,该系统包含用与本发明一致之方法来制造之设备。