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公开(公告)号：TWI557261B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100113130
申请日：2011-04-15
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 方杜魯利亞 凱勒 , FONDURULIA, KYLE , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 佛吉斯 摩希茲E , VERGHESE, MOHITH E. , 懷特 卡爾L , WHITE, CARL L.
IPC: C23C16/448
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI540221B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 瑞薩能 派提I , RAISANEN, PETRI I. , 鄭相鎬 , JUNG, SUNG HOON , 王強剛 , WANG, CHANG-GONG
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
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公开(公告)号：TWI531675B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099110511
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 哈爾平 麥可 , HALPIN, MIKE , 馬瑞司 丹 , MAURICE, DAN , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 特豪斯特 赫伯特 , TERHORST, HERBERT , 佛吉斯 摩希茲 , VERGHESE, MOHITH , 懷特 卡爾 , WHITE, CARL
IPC: C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
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公开(公告)号：TW201209216A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100113130
申请日：2011-04-15
Applicant: ASM美國公司
IPC: C23C
Abstract: 一種用於提供蒸發的先質到一反應室的先質來源容器係被提供。該先質來源容器包含一蓋子，其具有一第一埠口、一第二埠口，以及一第三埠口。該先質來源容器亦包含一底座，其可移除地附接至該蓋子。該底座包含形成於其中的一凹陷區域。該第一埠口、第二埠口和第三埠口的其中之一係為一打嗝埠口，其建構成在來源容器被安裝之後但是在將該來源容器使用於半導體加工之前釋放來源容器之中的頭壓。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于提供蒸发的先质到一反应室的先质来源容器系被提供。该先质来源容器包含一盖子，其具有一第一端口口、一第二端口口，以及一第三端口口。该先质来源容器亦包含一底座，其可移除地附接至该盖子。该底座包含形成于其中的一凹陷区域。该第一端口口、第二端口口和第三端口口的其中之一系为一打嗝端口口，其建构成在来源容器被安装之后但是在将该来源容器使用于半导体加工之前释放来源容器之中的头压。
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5.发明专利使用激發氮－氧物種之金屬氧化物薄膜沉積之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES 审中-公开使用激发氮－氧物种之金属氧化物薄膜沉积之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES
公开(公告)号：TW201126009A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
Applicant: ASM美國公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
Abstract: 描述了系統及方法,其係尤其用於在反應室內之基板上沉積薄膜。在一種示例性方法中,該方法可包括以下步驟:將原子層沉積循環應用於該基板,其中該循環可包括以下步驟:將該基板暴露於前驅氣體歷時前驅物脈衝間隔,然後移除該前驅氣體,及將該基板暴露於包括氧化劑氣體及含氮物種氣體之氧化劑歷時氧化脈衝間隔,然後移除該氧化劑。本發明之多個方面利用可能進一步與諸如臭氧之氧化劑組合之分子及激發氮-氧自由基/離子物種。本發明之具體表現亦包含電子構件及系統,該系統包含用與本發明一致之方法來製造之裝置。
Abstract in simplified Chinese: 描述了系统及方法,其系尤其用于在反应室内之基板上沉积薄膜。在一种示例性方法中,该方法可包括以下步骤:将原子层沉积循环应用于该基板,其中该循环可包括以下步骤:将该基板暴露于前驱气体历时前驱物脉冲间隔,然后移除该前驱气体,及将该基板暴露于包括氧化剂气体及含氮物种气体之氧化剂历时氧化脉冲间隔,然后移除该氧化剂。本发明之多个方面利用可能进一步与诸如臭氧之氧化剂组合之分子及激发氮-氧自由基/离子物种。本发明之具体表现亦包含电子构件及系统,该系统包含用与本发明一致之方法来制造之设备。
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6.发明专利半導體處理反應器及其零件 SEMICONDUCTOR PROCESSING REACTOR AND COMPONENTS THEREOF 审中-公开半导体处理反应器及其零件 SEMICONDUCTOR PROCESSING REACTOR AND COMPONENTS THEREOF
公开(公告)号：TW201107526A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110511
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美國公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
Abstract: 一種反應器，具有圍出一氣體運送系統的外殼，此氣體運送系統操作性地連接至一反應室及一排氣組件，氣體運送系統包括多數氣體管線，用以供應至少一處理氣體至反應室；氣體運送系統另外包括用以容納至少一處理氣體的一混合器，此混合器操作性地連接到用於擴散該處理氣體的一擴散器，擴散器直接裝附於反應室的上表面，以便在二者之間形成一擴散器容積；擴散器包括至少一分配表面，用以在處理氣體通過擴散容積且被引進到反應室內之前對處理氣體產生流動限制；反應室界定出一反應空間，用以容納待處理的半導體基底；排氣組件操作性地連接到反應室，用以從反應空間中抽出尚未反應的處理氣體與流出物。
Abstract in simplified Chinese: 一种反应器，具有围出一气体运送系统的外壳，此气体运送系统操作性地连接至一反应室及一排气组件，气体运送系统包括多数气体管线，用以供应至少一处理气体至反应室；气体运送系统另外包括用以容纳至少一处理气体的一混合器，此混合器操作性地连接到用于扩散该处理气体的一扩散器，扩散器直接装附于反应室的上表面，以便在二者之间形成一扩散器容积；扩散器包括至少一分配表面，用以在处理气体通过扩散容积且被引进到反应室内之前对处理气体产生流动限制；反应室界定出一反应空间，用以容纳待处理的半导体基底；排气组件操作性地连接到反应室，用以从反应空间中抽出尚未反应的处理气体与流出物。
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