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公开(公告)号：TW201305379A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101106341
申请日：2012-02-24
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 鮑爾 馬西亞斯 , BAUER, MATTHIAS , 巴特力特 葛來高瑞M , BARTLETT, GREGORY M.
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/67069 , Y10T137/0357
Abstract: 根據本發明之多個態樣之一種氣體面板係組態以在一沈積製程步驟期間將具有恆定流率之氣體運送至一反應室。在一實施例中，該氣體面板包括一沈積子面板，該沈積子面板具有一沈積注射管線、一沈積排氣管線及至少一個沈積製程氣體管線。該沈積注射管線將具有一質量流率之一載氣供應至一反應器室。各個沈積製程氣體管線可包含一對切換閥，其經組態以選擇性地將一沈積製程氣體導向至反應器室或一排氣管線。該沈積排氣管線亦包含一切換閥，其經組態以選擇性地將具有等於所有沈積製程氣體之質量流率總和之一第二質量流率之該載氣導向至該反應器室或一排氣管線。該氣體面板經組態以用該等沈積製程管線之質量流率替代該沈積排氣管線之該質量流率，使得當該沈積排氣管線係導向該反應器室時，該等沈積製程管線係導向至該排氣管線，且當該沈積排氣管線係導向至該排氣管線時，該等沈積製程管線係導向至該反應器室。該兩個質量流率之替代使得在整個該沈積製程步驟期間，使得到達該反應器室之氣體維持一恆定之質量流率。
Abstract in simplified Chinese: 根据本发明之多个态样之一种气体皮肤系组态以在一沉积制程步骤期间将具有恒定流率之气体运送至一反应室。在一实施例中，该气体皮肤包括一沉积子皮肤，该沉积子皮肤具有一沉积注射管线、一沉积排气管线及至少一个沉积制程气体管线。该沉积注射管线将具有一质量流率之一载气供应至一反应器室。各个沉积制程气体管线可包含一对切换阀，其经组态以选择性地将一沉积制程气体导向至反应器室或一排气管线。该沉积排气管线亦包含一切换阀，其经组态以选择性地将具有等于所有沉积制程气体之质量流率总和之一第二质量流率之该载气导向至该反应器室或一排气管线。该气体皮肤经组态以用该等沉积制程管线之质量流率替代该沉积排气管线之该质量流率，使得当该沉积排气管线系导向该反应器室时，该等沉积制程管线系导向至该排气管线，且当该沉积排气管线系导向至该排气管线时，该等沉积制程管线系导向至该反应器室。该两个质量流率之替代使得在整个该沉积制程步骤期间，使得到达该反应器室之气体维持一恒定之质量流率。
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公开(公告)号：TWI557261B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW100113130
申请日：2011-04-15
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 方杜魯利亞 凱勒 , FONDURULIA, KYLE , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 佛吉斯 摩希茲E , VERGHESE, MOHITH E. , 懷特 卡爾L , WHITE, CARL L.
IPC: C23C16/448
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公开(公告)号：TWI540221B
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 瑞薩能 派提I , RAISANEN, PETRI I. , 鄭相鎬 , JUNG, SUNG HOON , 王強剛 , WANG, CHANG-GONG
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/515
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
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公开(公告)号：TWI531675B
公开(公告)日：2016-05-01
申请号：TW099110511
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 哈爾平 麥可 , HALPIN, MIKE , 馬瑞司 丹 , MAURICE, DAN , 席羅 艾瑞克 , SHERO, ERIC , 特豪斯特 赫伯特 , TERHORST, HERBERT , 佛吉斯 摩希茲 , VERGHESE, MOHITH , 懷特 卡爾 , WHITE, CARL
IPC: C23C16/455 , C23C16/54
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
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公开(公告)号：TWI488993B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW101106341
申请日：2012-02-24
Applicant: ASM美國公司 , ASM AMERICA, INC.
Inventor： 鮑爾 馬西亞斯 , BAUER, MATTHIAS , 巴特力特 葛來高瑞M , BARTLETT, GREGORY M.
IPC: C23C16/455 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67017 , C23C16/45561 , C23C16/52 , H01L21/67069 , Y10T137/0357
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Patent Agency Ranking6.发明专利使用激發氮－氧物種之金屬氧化物薄膜沉積之系統及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES 审中-公开使用激发氮－氧物种之金属氧化物薄膜沉积之系统及方法 SYSTEMS AND METHODS FOR THIN-FILM DEPOSITION OF METAL OXIDES USING EXCITED NITROGEN-OXYGEN SPECIES
公开(公告)号：TW201126009A
公开(公告)日：2011-08-01
申请号：TW099127063
申请日：2010-08-13
Applicant: ASM美國公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/40 , C01B13/11 , C01B2201/64 , C23C16/45553 , C23C16/52
Abstract: 描述了系統及方法,其係尤其用於在反應室內之基板上沉積薄膜。在一種示例性方法中,該方法可包括以下步驟:將原子層沉積循環應用於該基板,其中該循環可包括以下步驟:將該基板暴露於前驅氣體歷時前驅物脈衝間隔,然後移除該前驅氣體,及將該基板暴露於包括氧化劑氣體及含氮物種氣體之氧化劑歷時氧化脈衝間隔,然後移除該氧化劑。本發明之多個方面利用可能進一步與諸如臭氧之氧化劑組合之分子及激發氮-氧自由基/離子物種。本發明之具體表現亦包含電子構件及系統,該系統包含用與本發明一致之方法來製造之裝置。
Abstract in simplified Chinese: 描述了系统及方法,其系尤其用于在反应室内之基板上沉积薄膜。在一种示例性方法中,该方法可包括以下步骤:将原子层沉积循环应用于该基板,其中该循环可包括以下步骤:将该基板暴露于前驱气体历时前驱物脉冲间隔,然后移除该前驱气体,及将该基板暴露于包括氧化剂气体及含氮物种气体之氧化剂历时氧化脉冲间隔,然后移除该氧化剂。本发明之多个方面利用可能进一步与诸如臭氧之氧化剂组合之分子及激发氮-氧自由基/离子物种。本发明之具体表现亦包含电子构件及系统,该系统包含用与本发明一致之方法来制造之设备。
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7.发明专利半導體處理反應器及其零件 SEMICONDUCTOR PROCESSING REACTOR AND COMPONENTS THEREOF 审中-公开半导体处理反应器及其零件 SEMICONDUCTOR PROCESSING REACTOR AND COMPONENTS THEREOF
公开(公告)号：TW201107526A
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW099110511
申请日：2010-04-06
Applicant: ASM美國公司
IPC: C23C
CPC classification number: C23C16/45502 , C23C16/45504 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45561 , C23C16/45591 , H01L21/0228 , Y10T137/85938
Abstract: 一種反應器，具有圍出一氣體運送系統的外殼，此氣體運送系統操作性地連接至一反應室及一排氣組件，氣體運送系統包括多數氣體管線，用以供應至少一處理氣體至反應室；氣體運送系統另外包括用以容納至少一處理氣體的一混合器，此混合器操作性地連接到用於擴散該處理氣體的一擴散器，擴散器直接裝附於反應室的上表面，以便在二者之間形成一擴散器容積；擴散器包括至少一分配表面，用以在處理氣體通過擴散容積且被引進到反應室內之前對處理氣體產生流動限制；反應室界定出一反應空間，用以容納待處理的半導體基底；排氣組件操作性地連接到反應室，用以從反應空間中抽出尚未反應的處理氣體與流出物。
Abstract in simplified Chinese: 一种反应器，具有围出一气体运送系统的外壳，此气体运送系统操作性地连接至一反应室及一排气组件，气体运送系统包括多数气体管线，用以供应至少一处理气体至反应室；气体运送系统另外包括用以容纳至少一处理气体的一混合器，此混合器操作性地连接到用于扩散该处理气体的一扩散器，扩散器直接装附于反应室的上表面，以便在二者之间形成一扩散器容积；扩散器包括至少一分配表面，用以在处理气体通过扩散容积且被引进到反应室内之前对处理气体产生流动限制；反应室界定出一反应空间，用以容纳待处理的半导体基底；排气组件操作性地连接到反应室，用以从反应空间中抽出尚未反应的处理气体与流出物。
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8.发明专利利用化學氣相沉積法形成置換性含碳摻雜結晶矽材料的方法 METHODS OF MAKING SUBSTITUTIONALLY CARBON-DOPED CRYSTALLINE SI-CONTAINING MATERIALS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION 审中-公开利用化学气相沉积法形成置换性含碳掺杂结晶硅材料的方法 METHODS OF MAKING SUBSTITUTIONALLY CARBON-DOPED CRYSTALLINE SI-CONTAINING MATERIALS BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
公开(公告)号：TW200633021A
公开(公告)日：2006-09-16
申请号：TW095103699
申请日：2006-02-03
Applicant: ASM美國公司 ASM AMERICA, INC.
Inventor： 波爾 麥特喜愛斯 BAUER, MATTHIAS , 威克斯 基斯 多倫 WEEKS, KEITH DORAN , 托馬西尼 皮爾瑞 TOMASINI, PIERRE , 寇帝 奈爾 CODY, NYLES
IPC: H01L
CPC classification number: H01L29/7848 , C23C16/04 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/32 , C23C16/325 , C23C16/45512 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/32056 , H01L21/3215 , H01L29/165 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7834
Abstract: 製造含有相對高含量的置換性摻雜劑之含矽薄膜之方法包括使用三矽烷及摻雜劑前驅體進行之化學氣相 積法。可獲得極高含量之置換性併入，包括含有2.4原子％或更多置換性碳之結晶矽薄膜。置換性摻雜之含矽薄膜可藉由在 積過程中引入蝕刻劑氣體而選擇性地 積於混合基板之結晶表面上。
Abstract in simplified Chinese: 制造含有相对高含量的置换性掺杂剂之含硅薄膜之方法包括使用三硅烷及掺杂剂前驱体进行之化学气相 积法。可获得极高含量之置换性并入，包括含有2.4原子％或更多置换性碳之结晶硅薄膜。置换性掺杂之含硅薄膜可借由在 积过程中引入蚀刻剂气体而选择性地 积于混合基板之结晶表面上。
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公开(公告)号：TW527224B
公开(公告)日：2003-04-11
申请号：TW089118222
申请日：2000-09-06
Applicant: ASM美國公司
Inventor： 伊佛 拉傑馬克斯
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/452 , C23C16/45521 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C30B25/14 , C30B29/38 , H01J37/3244 , Y10T117/10
Abstract: 一種改良之裝置和方法，用於基板鍍層沈積，該基板鍍層係由輸送氣體送連續之反應物脈波至基板表面將而生成。至少有一反應物含有激發物質，例如，自由基；在一特定具體實施例中，本發明之裝置以輸送氣流提供連續且重複的反應物脈波以在基板表面產生反應，反應物脈波的送達會有足夠的中間延遲時間，以儘量減少非期望之氣態中鄰近脈波中的反應物之間的反應；或非期望之基板表面上非控制內的反應。
Abstract in simplified Chinese: 一种改良之设备和方法，用于基板镀层沉积，该基板镀层系由输送气体送连续之反应物脉波至基板表面将而生成。至少有一反应物含有激发物质，例如，自由基；在一特定具体实施例中，本发明之设备以输送气流提供连续且重复的反应物脉波以在基板表面产生反应，反应物脉波的送达会有足够的中间延迟时间，以尽量减少非期望之气态中邻近脉波中的反应物之间的反应；或非期望之基板表面上非控制内的反应。
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公开(公告)号：TW445304B
公开(公告)日：2001-07-11
申请号：TW088111373
申请日：1999-07-08
Applicant: ASM美國公司
CPC classification number: C30B29/14 , C23C16/4401 , C23C16/4408 , C30B25/08 , Y10S414/139
Abstract: 一種用於在反應器中減少粒子之裝置及方法。該裝置含有一室，用於處理半導體晶圓。該室具有一晶圓操縱室，由隔離閘閥連接於處理室。此外，該裝置含有管路，用於輸送淨化氣體至該晶圓操縱室。該淨化氣體係被用來自該室排除粒子。同時，該裝置亦含有一引導操作式逆壓調整器，用於調節輸送及自該室去除該淨化氣體。該裝置以一受控制之速率來致動該隔離閘閥以降低來自進入於該室內之淨化氣體之擾動。同時，該裝置亦含有一伯努利棒管，用於提起及保持一單一之半導體晶圓。一圓罩裝載式調整器係使用來控制該氣體至該伯努利棒管之速率。該圓罩裝載式調整器係由一引導氣體所致動。該伯努利棒管之上升及下降速率可藉許多限制及在該引導氣體管線中之止回閥予以控制。同時，該裝置亦使用游離器於進入於該晶圓操縱室及裝載閂鎖之淨化氣體管線中。透過在裝載門鎖及晶圓操縱室之前使用在淨化氣體管線中的阿爾法粒子放射源之下，被淨化之氣體分子係被游離化。該游離之氣體係導電性的，且因而放電所有在該半導體裝置內之靜電。藉由靜電電荷之可去除，粒子與晶圓不再相互藉靜電力來吸引。此外，該裝置含有用於當在反應器內切換諸閥時會減少氣體流之擾動的機構。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于在反应器中减少粒子之设备及方法。该设备含有一室，用于处理半导体晶圆。该室具有一晶圆操纵室，由隔离闸阀连接于处理室。此外，该设备含有管路，用于输送净化气体至该晶圆操纵室。该净化气体系被用来自该室排除粒子。同时，该设备亦含有一引导操作式逆压调整器，用于调节输送及自该室去除该净化气体。该设备以一受控制之速率来致动该隔离闸阀以降低来自进入于该室内之净化气体之扰动。同时，该设备亦含有一伯努利棒管，用于提起及保持一单一之半导体晶圆。一圆罩装载式调整器系使用来控制该气体至该伯努利棒管之速率。该圆罩装载式调整器系由一引导气体所致动。该伯努利棒管之上升及下降速率可藉许多限制及在该引导气体管线中之止回阀予以控制。同时，该设备亦使用游离器于进入于该晶圆操纵室及装载闩锁之净化气体管线中。透过在装载门锁及晶圆操纵室之前使用在净化气体管线中的阿尔法粒子放射源之下，被净化之气体分子系被游离化。该游离之气体系导电性的，且因而放电所有在该半导体设备内之静电。借由静电电荷之可去除，粒子与晶圆不再相互藉静电力来吸引。此外，该设备含有用于当在反应器内切换诸阀时会减少气体流之扰动的机构。
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