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公开(公告)号：TWI635272B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104128217
申请日：2015-08-27
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 波夫 亞瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 瑪庸傑席恩 賽門 吉傑斯柏特 裘瑟胡斯 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 , EIKEMA, KJELD
IPC: G01N21/956 , G03F7/20 , G01B11/00
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公开(公告)号：TWI537690B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103116295
申请日：2014-05-07
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS
CPC classification number: G03F7/70141 , G01B11/272 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , G03F9/7092
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公开(公告)号：TW201416806A
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW102136624
申请日：2013-10-09
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V. , ASML控股公司 , ASML HOLDING N.V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 尼梅捷 捷瑞特 喬漢斯 , NIJMEIJER, GERRIT JOHANNES , 克魯瑟 賈斯汀 洛依德 , KREUZER, JUSTIN LLOYD , 卓斯奇衛茲 史坦利 , DRAZKIEWICZ, STANLEY
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70141 , G01B11/14 , G03F9/7069 , G03F9/7088
Abstract: 一種用以量測一標記之位置之裝置，該裝置包括：一照明配置，其用以引導輻射橫越該裝置之一光瞳，該照明配置包含一照明源以提供實質上相等偏振之多波長輻射，且包含一波片以相依於波長而變更該輻射之該偏振，使得供應不同偏振之輻射；一接物鏡，其用以使用由該照明配置供應之該輻射將輻射引導於該標記上，同時使該輻射在一掃描方向上橫越該標記進行掃描；一輻射處理元件，其用以處理由該標記繞射且由該接物鏡接收之輻射；及一偵測配置，其用以偵測在該掃描期間由該輻射處理元件輸出之輻射之一強度的變化且自該經偵測變化演算該標記在至少一第一量測方向上之一位置。
Abstract in simplified Chinese: 一种用以量测一标记之位置之设备，该设备包括：一照明配置，其用以引导辐射横越该设备之一光瞳，该照明配置包含一照明源以提供实质上相等偏振之多波长辐射，且包含一波片以相依于波长而变更该辐射之该偏振，使得供应不同偏振之辐射；一接物镜，其用以使用由该照明配置供应之该辐射将辐射引导于该标记上，同时使该辐射在一扫描方向上横越该标记进行扫描；一辐射处理组件，其用以处理由该标记绕射且由该接物镜接收之辐射；及一侦测配置，其用以侦测在该扫描期间由该辐射处理组件输出之辐射之一强度的变化且自该经侦测变化演算该标记在至少一第一量测方向上之一位置。
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公开(公告)号：TW201625935A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104128217
申请日：2015-08-27
Applicant: 荷蘭VU基金會 , STICHTING VU , 荷蘭阿姆斯特丹大學 , UNIVERSITEIT VAN AMSTERDAM , 物質基礎研究基金會 , STICHTING VOOR FUNDAMENTEEL ONDERZOEK DER MATERIE , ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 波夫 亞瑞 傑佛瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 瑪庸傑席恩 賽門 吉傑斯柏特 裘瑟胡斯 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 帕迪 尼特許 , PANDEY, NITESH , 懷特 史堤芬 密卻爾 , WITTE, STEFAN MICHIEL , 艾奇瑪 卡傑德 , EIKEMA, KJELD
IPC: G01N21/956 , G03F7/20 , G01B11/00
CPC classification number: G01N21/956 , G01B11/00 , G01N2201/12 , G03F7/70141 , G03F7/70625 , G03F7/70633 , G03F7/70641 , G03H1/0443 , G03H2001/0033 , G03H2001/0204 , G03H2001/0458
Abstract: 藉由一微影程序在一基板(W)上形成度量目標。在不同條件下，使用空間同調輻射來照射包括一或多個光柵結構之一目標(T)。由該目標區域繞射之輻射(650)干涉參考輻射(652)以在一影像偵測器(623)處形成一干涉圖案。擷取該干涉圖案之一或多個影像。自該(等)擷取影像及自該參考輻射之知識計算該偵測器處之該收集散射輻射之一複合場。自該複合場計算由各光柵繞射之輻射之一合成輻射量測影像(814)。自該光柵之一繞射光譜之相反部分之該等合成輻射量測影像(814、814')獲得該光柵之一不對稱性量測。使用適合目標，可自該量測不對稱性計算該微影程序之重疊及其他效能參數。
Abstract in simplified Chinese: 借由一微影进程在一基板(W)上形成度量目标。在不同条件下，使用空间同调辐射来照射包括一或多个光栅结构之一目标(T)。由该目标区域绕射之辐射(650)干涉参考辐射(652)以在一影像侦测器(623)处形成一干涉图案。截取该干涉图案之一或多个影像。自该(等)截取影像及自该参考辐射之知识计算该侦测器处之该收集散射辐射之一复合场。自该复合场计算由各光栅绕射之辐射之一合成辐射量测影像(814)。自该光栅之一绕射光谱之相反部分之该等合成辐射量测影像(814、814')获得该光栅之一不对称性量测。使用适合目标，可自该量测不对称性计算该微影进程之重叠及其他性能参数。
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5.发明专利
公开(公告)号：TWI524154B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW102140163
申请日：2013-11-05
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F9/7069 , G03F9/7088
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：TWI515518B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103110545
申请日：2014-03-20
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS
CPC classification number: G03F7/70141 , G01B11/14 , G03F9/7046 , G03F9/7076 , G03F9/7088 , G03F9/7092
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公开(公告)号：TW201312299A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101130525
申请日：2012-08-22
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G01B9/02007 , G01B9/02015 , G01B11/0675 , G03F9/7034
Abstract: 本發明揭示一種量測一微影裝置中之一基板上之至少一實質上反射層表面之一位置的方法，以及關聯位階感測器及微影裝置。該方法包含使用一寬頻帶光源來執行至少兩次干涉量測。在每一量測之間，寬頻帶源光束之分量波長及/或遍及該等分量波長之強度位準變化，使得在僅該等強度位準變化之情況下，該強度變化針對該光束之分量波長中至少一些不同。或者，亦可應用一單一量測及用以獲得量測資料的該量測之後續處理以獲得該位置，藉以，該等分量波長及/或遍及該等分量波長之該等強度位準不同。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种量测一微影设备中之一基板上之至少一实质上反射层表面之一位置的方法，以及关联位阶传感器及微影设备。该方法包含使用一宽带带光源来运行至少两次干涉量测。在每一量测之间，宽带带源光束之分量波长及/或遍及该等分量波长之强度位准变化，使得在仅该等强度位准变化之情况下，该强度变化针对该光束之分量波长中至少一些不同。或者，亦可应用一单一量测及用以获得量测数据的该量测之后续处理以获得该位置，借以，该等分量波长及/或遍及该等分量波长之该等强度位准不同。
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公开(公告)号：TW201708984A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105109907
申请日：2016-03-29
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 保羅 亞歷山卓 , POLO, ALESSANDRO , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS , 謝萊肯思 安卓那斯 裘漢斯 漢德利克斯 , SCHELLEKENS, ADRIANUS JOHANNES HENDRIKUS , 亞甘尼基 達斯特蓋瑞迪 艾歐兒 , YEGANEGI DASTGERDI, ELAHE , 蔻妮 威樂 馬力 朱立亞 麻索 , COENE, WILLEM MARIE JULIA MARCEL , 寶賈特 艾瑞克 威廉 , BOGAART, ERIK WILLEM , 休斯曼 賽門 雷納德 , HUISMAN, SIMON REINALD
IPC: G03F9/00
CPC classification number: G03F9/7088 , G03F7/70141
Abstract: 本發明提供一種用於判定一對準標記之位置之對準系統、方法及微影裝置，該對準系統包含：一第一系統，其經組態以產生該對準標記之相對於彼此旋轉大約180度的兩個重疊影像；及一第二系統，其經組態以自該兩個重疊影像之一強度之一空間分佈判定該對準標記之該位置。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种用于判定一对准标记之位置之对准系统、方法及微影设备，该对准系统包含：一第一系统，其经组态以产生该对准标记之相对于彼此旋转大约180度的两个重叠影像；及一第二系统，其经组态以自该两个重叠影像之一强度之一空间分布判定该对准标记之该位置。
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公开(公告)号：TW201520698A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：TW103137484
申请日：2014-10-29
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 亨奇 史蒂芬 , HUNSCHE, STEFAN , 凡 可拉吉 馬可斯 傑拉度 馬堤司 瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
CPC classification number: G03F7/70683 , G03F7/213 , G03F7/22 , G03F7/70466 , G03F7/70616 , G03F7/70633
Abstract: 本發明揭示一種供微影中使用之檢測裝置。該檢測裝置包含：用於一基板之一支撐件，該基板攜載複數個度量衡目標；一光學系統，其用於在預定照明條件下照明該等目標且用於偵測在該等照明條件下由該等目標繞射之輻射之預定部分；一處理器，其經配置以自繞射輻射之該等經偵測部分計算用於一特定目標之不對稱性之一量測；及一控制器，其用於使該光學系統及該處理器量測在該基板上之一層內之結構與較小子結構之間具有位置偏移之不同已知分量的該等目標中之至少兩者中之不對稱性，且自該等不對稱性量測之結果計算用於該較小大小之結構的微影程序之一效能參數的一量測。本發明亦揭示具備複數個新穎度量衡目標之基板，該複數個新穎度量衡目標係藉由一微影程序而形成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种供微影中使用之检测设备。该检测设备包含：用于一基板之一支撑件，该基板携载复数个度量衡目标；一光学系统，其用于在预定照明条件下照明该等目标且用于侦测在该等照明条件下由该等目标绕射之辐射之预定部分；一处理器，其经配置以自绕射辐射之该等经侦测部分计算用于一特定目标之不对称性之一量测；及一控制器，其用于使该光学系统及该处理器量测在该基板上之一层内之结构与较小子结构之间具有位置偏移之不同已知分量的该等目标中之至少两者中之不对称性，且自该等不对称性量测之结果计算用于该较小大小之结构的微影进程之一性能参数的一量测。本发明亦揭示具备复数个新颖度量衡目标之基板，该复数个新颖度量衡目标系借由一微影进程而形成。
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公开(公告)号：TW201506551A
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：TW103116295
申请日：2014-05-07
Applicant: ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B. V.
Inventor： 丹 包伊夫 亞歷 傑福瑞 , DEN BOEF, ARIE JEFFREY , 麥提森 賽門 吉司伯 喬瑟佛思 , MATHIJSSEN, SIMON GIJSBERT JOSEPHUS , 提那曼斯 派翠西斯 阿若瑟斯 約克伯 , TINNEMANS, PATRICIUS ALOYSIUS JACOBUS
CPC classification number: G03F7/70141 , G01B11/272 , G03F9/7069 , G03F9/7088 , G03F9/7092
Abstract: 本發明揭示一種對準感測器及關聯方法，該對準感測器及該關聯方法包含：一照明源，諸如，一白光源，其具有可操作而以取決於波長之一角度來繞射高階輻射之一照明光柵；及照明光學件，其用以將該繞射輻射自至少兩個相對方向上遞送至一對準光柵上。對於入射於該對準光柵上之每一分量波長且對於每一方向，自該兩個相對方向中之一者入射的輻射之零繞射階與自另一方向入射的輻射之一高繞射階重疊。此情形用該等重疊零階來光學地放大該等高繞射階。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种对准传感器及关联方法，该对准传感器及该关联方法包含：一照明源，诸如，一白光源，其具有可操作而以取决于波长之一角度来绕射高级辐射之一照明光栅；及照明光学件，其用以将该绕射辐射自至少两个相对方向上递送至一对准光栅上。对于入射于该对准光栅上之每一分量波长且对于每一方向，自该两个相对方向中之一者入射的辐射之零绕射阶与自另一方向入射的辐射之一高绕射阶重叠。此情形用该等重叠零阶来光学地放大该等高绕射阶。
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