公开(公告)号：NL2011761A

公开(公告)日：2014-01-13

申请号：NL2011761

申请日：2013-11-08

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： KUZNETSOV ALEXEY ,  BOOGAARD ARJEN ,  HUIJBREGTSE JEROEN ,  NIKIPELOV ANDREY ,  KAMPEN MAARTEN

IPC: G03F7/20 ,  H05G2/00

公开(公告)号：NL2013557A

公开(公告)日：2014-12-01

申请号：NL2013557

申请日：2014-10-02

Applicant: ASML NETHERLANDS BV

Inventor： NIKIPELOV ANDREY ,  BOOGAARD ARJEN ,  KUZNETSOV ALEXEY ,  YAKUNIN ANDREI

IPC: G03F7/20

公开(公告)号：DE102013102670A1

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：DE102013102670

申请日：2013-03-15

Applicant: ASML NETHERLANDS BV ,  ZEISS CARL SMT GMBH

Inventor： BEKMAN HERMANUS ,  EHM DIRK ,  HUIJBREGSTE JEROEN ,  STORM ARNOLDUS JAN ,  GRABER TINA ,  AMENT IRENE ,  SMEETS DRIES ,  TE SLIGTE EDWIN ,  KUZNETSOV ALEXEY

IPC: G02B1/10 ,  C03C21/00 ,  G02B1/02 ,  G02B5/08 ,  G02B5/10 ,  G03F7/20 ,  G21K1/06

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optisches Element (50), umfassend: ein Substrat (52), ein auf das Substrat (52) aufgebrachtes, EUV-Strahlung reflektierendes Mehrlagensystem (51), sowie ein auf das Mehrlagensystem (51) aufgebrachtes Schutzlagensystem (60), das mindestens eine erste und eine zweite Lage (57, 58) aufweist, wobei die erste Lage (57) näher an dem Mehrlagensystem (51) angeordnet ist als die zweite Lage (58). Die erste Lage (57) dient als Diffusionsbarriere für Wasserstoff und weist eine kleinere Löslichkeit für Wasserstoff auf als die zweite Lage (58), die zur Absorption von Wasserstoff dient. Die Erfindung betrifft auch ein optisches System für die EUV-Lithographie, welche mindestens ein solches optisches Element (50) aufweist, sowie ein Verfahren zum Behandeln eines optischen Elements (50), um in mindestens einer Lage (57, 58, 59) des Schutzlagensystems (60) und/oder in mindestens einer Lage (53, 54) des Mehrlagensystems (51) eingelagerten Wasserstoff zu entfernen.