Abstract:
A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1
Abstract:
A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1 = x
Abstract translation:一种用于制造半导体器件的方法,其包括在化学机械抛光(CMP)组合物存在下,在pH值范围为0.1至1.0的范围内,元素锗和/或Si1-xGex材料的化学机械抛光为0.1 = x < 3.0至5.5,并且包括:(A)无机颗粒,有机颗粒或其混合物或复合物,(B)至少一种类型的氧化剂,和(C)水性介质。
Abstract:
1 xxA process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or SiGe material with 0.1 = x
Abstract:
Wässrige, Ceroxid und Siliciumdioxid enthaltende Dispersion, erhältlich, indem man eine Ceroxid-Ausgangsdispersion und eine Siliciumdioxid-Ausgangsdispersion zunächst unter Rühren vermischt und nachfolgend bei einer Scherrate von 10000 bis 30000 sdispergiert, wobei a) die Ceroxid-Ausgangsdispersion - als feste Phase 0,5 bis 30 Gew.-% Ceroxidpartikel enthält, - einen d-Wert der Teilchengrößenverteilung von 10 bis 100 nm - und einen pH-Wert von 1 bis 7 aufweist und - b) die Siliciumdioxid-Ausgangsdispersion - als feste Phase 0,1 bis 30 Gew.-% kolloidale Siliciumdioxidpartikel enthält, - einen d-Wert der Teilchengrößenverteilung von 3 bis 50 nm und - einen pH-Wert von 6 bis 11,5 aufweist, d) unter der Maßgabe, dass - der d-Wert der Teilchengrößenverteilung der Ceroxidpartikel größer ist als der der Siliciumdioxidpartikel, - das Gewichtsverhältnis Ceroxid/Siliciumdioxid > 1 ist und - die Menge an Ceroxid-Ausgangsdispersion so bemessen ist, dass das Zetapotential der Dispersion negativ ist.
Abstract:
A chemical mechanical polishing (CMP) composition Abstract Use of a chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture thereof, (B) a heteropolyacid or a salt thereof, (C) a salt comprising chloride, fluoride, bromide, or a mixture thereof as anion, and (D) an aqueous medium, for polishing a substrate comprising a self-passivating metal, germanium, nickel phosphorous (NiP), or a mixture thereof.