公开(公告)号：WO2015004567A3

公开(公告)日：2015-05-14

申请号：PCT/IB2014062747

申请日：2014-07-01

Applicant: BASF SE ,  BASF CHINA CO LTD

Inventor： REICHARDT ROBERT ,  KALLER MARTIN ,  LAUTER MICHAEL ,  LI YUZHUO ,  KLIPP ANDREAS

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

CPC classification number: C09K3/1463 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: A chemical-mechanical polishing (CMP) composition is provided comprising (A) one or more compounds selected from the group of benzotriazole derivatives which act as corrosion inhibitors and (B) inorganic particles, organic particles, or a composite or mixture thereof. The invention also relates to the use of certain compounds selected from the group of benzotriazole derivatives as corrosion inhibitors, especially for increasing the selectivity of a chemical mechanical polishing (CMP) composition for the removal of tantalum or tantalum nitride from a substrate for the manufacture of a semiconductor device in the presence of copper on said substrate.

Abstract translation: 提供化学机械抛光（CMP）组合物，其包含（A）一种或多种选自作为防腐剂的苯并三唑衍生物的化合物和（B）无机颗粒，有机颗粒或其复合物或混合物。 本发明还涉及使用选自苯并三唑衍生物的某些化合物作为缓蚀剂，特别是用于提高化学机械抛光（CMP）组合物从用于制造钽酸铅的基材中除去钽或氮化钽的选择性 在所述衬底上存在铜的半导体器件。

公开(公告)号：WO2014006526A3

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/IB2013055102

申请日：2013-06-21

Applicant: BASF SE ,  BASF SCHWEIZ AG ,  BASF CHINA CO LTD

Inventor： REICHARDT ROBERT ,  LAUTER MICHAEL ,  CHIU WEI LAN WILLIAM ,  LI YUZHUO

IPC: C09G1/02 ,  C09K3/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: A chemical mechanical polishing composition comprising: (A) Inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, wherein the particles are cocoon-shaped, (B) a non-ionic surfactant, (C) a carbonate or hydrogen carbonate salt, (D) an alcohol, and (M) an aqueous medium. A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of a substrate used in the semiconductor industry in the presence of a CMP composition and the use of CMP composition thereof are also provided.

Abstract translation: 一种化学机械抛光组合物，其包含：（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒为茧形，（B）非离子表面活性剂，（C）碳酸盐或碳酸氢盐， （D）醇，和（M）水性介质。 还提供了一种制造半导体器件的方法，其包括在CMP组合物存在下用于半导体工业中的衬底的化学机械抛光以及其CMP组成的用途。

公开(公告)号：WO2013018015A3

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/IB2012053877

申请日：2012-07-30

Applicant: BASF SE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO ,  BASF CHINA CO LTD

Inventor： NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO

IPC: C09G1/02

CPC classification number: H01L21/30625 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C23F3/00 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212

Abstract: A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1

Abstract translation: 在化学机械抛光（CMP）组合物的存在下，包括化学机械抛光元素锗和/或Si1-xGex材料，其中0.1≤x≤1的半导体器件的制造方法，包括：（A）无机颗粒， 有机颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，（C）至少一种类型的有机化合物，其包含至少{k}部分（Z），但不包括阴离子的盐 是无机的，其唯一的有机阳离子是[NR11R12R13R14] +，其中{k}是1,2或3，（Z）是羟基（-OH），烷氧基（-OR1），杂环烷氧基（-OR1， 杂环结构），羧酸（-COOH），羧酸酯（-COOR 2），氨基（-NR 3 R 4），杂环氨基（作为杂环结构的一部分的-NR 3 R 4），亚氨基（= N-R 5或-N = （= N-R5或-N = R6作为杂环结构的一部分），膦酸酯（-P（= O）（OR 7）（OR 8）），磷酸酯（-O-P（= O） ）），膦酸（-P（= 0）（OH）2），磷酸（-O-P（= O）（OH）2）部分，或其质子化或去质子化形式，R 1，R 2，R 7，R 9彼此独立地是烷基，芳基 ，烷基芳基或芳基烷基，R 3，R 4，R 5，R 8，R 10彼此独立地为H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 6为亚烷基或芳基亚烷基，R 11，R 12，R 13独立地为 其中，H，烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R11，R12，R13不包含任何部分（Z），R 14是烷基，芳基，烷基芳基或芳基烷基，R 14不包含任何部分（Z） 和（D）水性介质。

公开(公告)号：WO2013018016A2

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：PCT/IB2012053878

申请日：2012-07-30

Applicant: BASF SE ,  NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO ,  BASF CHINA CO LTD

Inventor： NOLLER BASTIAN MARTEN ,  DRESCHER BETTINA ,  GILLOT CHRISTOPHE ,  LI YUZHUO

CPC classification number: H01L21/30625 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/02024

Abstract: A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of elemental germanium and/or Si1-xGex material with 0.1 = x

Abstract translation: 一种用于制造半导体器件的方法，其包括在化学机械抛光（CMP）组合物存在下，在pH值范围为0.1至1.0的范围内，元素锗和/或Si1-xGex材料的化学机械抛光为0.1 = x < 3.0至5.5，并且包括：（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物或复合物，（B）至少一种类型的氧化剂，和（C）水性介质。

公开(公告)号：WO2014006546A3

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/IB2013055273

申请日：2013-06-27

Applicant: BASF SE ,  BASF SCHWEIZ AG ,  BASF CHINA CO LTD

Inventor： REICHARDT ROBERT ,  LAUTER MICHAEL ,  LI YUZHUO

IPC: G09G1/02 ,  C09K3/14 ,  G09G1/14

CPC classification number: C09G1/02 ,  H01L21/3212

Abstract: A chemical mechanical polishing composition comprising: (A) inorganic particles, organic particles, or a mixture or composite thereof, wherein the particles are cocoon-shaped, (B) a non-ionic surfactant, (C) an aromatic compound comprising at least one acid group, or a salt thereof, and (M) an aqueous medium. A process for the manufacture of semiconductor devices comprising the chemical mechanical polishing of a substrate in the presence of a CMP composition and the use of CMP composition in the semiconductor industry are also provided.

Abstract translation: 一种化学机械抛光组合物，其包含：（A）无机颗粒，有机颗粒或其混合物或复合物，其中所述颗粒是茧形的，（B）非离子表面活性剂，（C）包含至少一种 酸基或其盐，和（M）水性介质。 还提供了一种用于制造半导体器件的方法，其包括在CMP组合物存在下对衬底的化学机械抛光以及在半导体工业中使用CMP组合物。

公开(公告)号：RU2643541C2

公开(公告)日：2018-02-02

申请号：RU2015103813

申请日：2013-06-21

Applicant: BASF SE

Inventor： RAJKHARDT ROBERT ,  LI YUZHUO ,  LAUTER MIKHAEL ,  CHIU VEJ LAN UILYAM

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/04 ,  C09K3/14

Abstract: Изобретениеотноситсяк композициидляхимико-механическойполировки (СМР). Композициясодержит (А) неорганическиечастицы, органическиечастицыилиихсмесь, илиихкомпозит, гдечастицынаходятсяв формекокона, (В) амфифильноенеионноеповерхностно-активноевеществонаосновеполиоксиэтилен-полиоксипропиленовогоалкиловогопростогоэфирав видесмесимолекул, содержащихв среднемалкильнуюгруппу, имеющуюот 10 до 16 атомовуглерода, от 5 до 20 оксиэтиленовыхмономерныхзвеньев (b21) иот 2 до 8 оксипропиленовыхмономерныхзвеньев (b22) вслучайномраспределении, (C) карбонатнуюилигидрокарбонатнуюсоль, (D) спирти (М) воднуюсреду. Такжеописаныспособполученияполупроводниковыхустройств, включающийхимико-механическуюполировкуподложки, применяемойв полупроводниковойпромышленности, вприсутствииСМРкомпозициии применениеСМРкомпозиции. 6 н. и 10 з.п. ф-лы, 4 ил., 2 табл., 2 пр.

公开(公告)号：SG189327A1

公开(公告)日：2013-05-31

申请号：SG2013026414

申请日：2011-10-04

Applicant: BASF SE

Inventor： RAMAN VIJAY IMMANUEL ,  RITTIG FRANK ,  LI YUZHUO ,  CHIU WEI LAN WILLIAM

Abstract: An aqueous polishing composition comprising (A) abrasive particles and (B) an amphiphilic nonionic surfactant selected from the group consisting of water-soluble or water-dispersible surfactants having (b1) hydrophobic groups selected from the group consisting of branched alkyl groups having 10 to 18 carbon atoms; and (b2) hydrophilic groups selected from the group consisting of polyoxyalkylene groups comprising (b21 ) oxyethylene monomer units and (b22) substituted oxyalkylene monomer units wherein the substituents are selected from the group consisting of alkyl, cycloalkyl, or aryl, alkyl-cycloalkyl, alkyl-aryl, cycloalkyl-aryl and alkyl-cycloalkyl-aryl groups, the said polyoxyalkylene group containing the monomer units (b21 ) and (b22) in random, alternating, gradient and/or blocklike distribution; a CMP process for substrates having patterned or unpatterned low-k or ultra-low-k dielectric layers making use of the said aqueous polishing composition; and the use of the said aqueous polishing composition for manufacturing electrical, mechanical and optical devices.

公开(公告)号：MY170196A

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：MYPI2013000777

申请日：2011-09-06

Applicant: BASF SE

Inventor： CHU JEA-JU ,  LI YUZHUO ,  VENKATARAMAN SHYAM SUNDAR ,  USMAN IBRAHIM SHEIK ANSAR ,  PINDER HARVEY WAYNE

Abstract: An aqueous polishing composition having a pH of 3 to 11 and comprising (A) abrasive particles which are positively charged when dispersed in an aqueous medium free from component (8) and of a pH of 3 to 9 as evidenced by the electrophoretic mobility; (B) anionic phosphate dispersing agents; and (C) a polyhydric alcohol component selected from the group consisting of (c1) water-soluble and water-dispersible, aliphatic and cycloaliphatic, monomeric, dimeric and oligomeric polyols having at least 4 hydroxy groups; (c2) a mixture consisting of (c21) water-soluble and water-dispersible, aliphatic and cycloaliphatic polyols having at least 2 hydroxy groups; and (c22) water-soluble or water-dispersible polymers selected from linear and branched alkylene oxide homopolymers and copolymers (c221); and linear and branched, aliphatic and cycloaliphatic poly (N-vinylamide) homopolymers and copolymers (c222); and (c3) mixtures of (c1) and (c2); and a process for polishing substrates for electrical, mechanical and optical devices.

公开(公告)号：RU2669598C2

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：RU2016104422

申请日：2014-07-01

Applicant: BASF SE

Inventor： RAJKHARDT ROBERT ,  KALLER MARTIN ,  LAUTER MIKHAEL ,  LI YUZHUO ,  KLIPP ANDREAS

IPC: C09G1/02 ,  C09G1/00 ,  C09G1/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/321

Abstract: Изобретениеотноситсяк композициидляхимико-механическойполировки. Описанакомпозициядляхимико-механичекойполировки, содержащая(А) одноилиболеесоединенийформулы (1)гдепарыпунктирныхлинийв формуле (1) либокаждаяобозначаетдвойнуюсвязь, либообозначаетодинарнуюсвязь, где (i) когдакаждаяпарапунктирныхлинийв формуле (1) обозначаетдвойнуюсвязь, одиниз Rи Rпредставляетсобойводороди другойиз Rи Rвыбираетсяизгруппы, включающейхлор, бром, алкил, содержащийоттрехдошестиатомовуглерода, бензоили -COOR, где Rвыбираетсяизгруппы, включающейалкилы, содержащиеоттрехдошестиатомовуглерода, или Rпредставляетсобойзаместитель, содержащийструктурнуюединицу, выбраннуюизгруппы, включающей -(СН-СН-O)-Ни -(CH-CH-O)-CH, где n, вкаждомслучае, представляетсобойцелоечислов интервалеот 1 до 15, или Rи Rобанезависимовыбираютсяизгруппы, включающейброми хлор, и (ii) когдакаждаяпарапунктирныхлинийв формуле (1) обозначаетодинарнуюсвязь, Rи Rпредставляютсобойводород, илиодиниз Rи Rпредставляетсобойводород, идругойиз Rи Rвыбираетсяизгруппы, включающейхлор, бром, алкил, содержащийоттрехдошестиатомовуглерода, бензоили -COOR, где Rвыбираетсяизгруппы, включающейалкилы, содержащиеоттрехдошестиатомовуглерода, или Rпредставляетсобойзаместитель, содержащийструктурнуюединицу, выбраннуюизгруппы, включающей -(СН-СН-O)-Ни -(СН-СН-O)-СН, где n, вкаждомслучае, представляетсобойцелоечислов интервалеот 1 до 15, или Rи Rобанезависимовыбираютсяизгруппы, включающейброми хлор, причемобщееколичествоодногоилинесколькихсоединенийформулы (1) лежитв диапазонеот 0,0001 до 1 мас.% наосновеобщеймассысоответствующейкомпозициидляхимико-механическойполировки,(В) неорганическиечастицы, органическиечастицы, илиихкомпозит, илисмесь, которыенаходятсяв формекокона, гдеобщееколичествокатионов, выбранныхизгруппы, включающеймагнийи кальций, составляетменее 1 частинамиллионнаосновеобщеймассысоответствующейкомпозиции. Такжеописаныспособполученияполупроводниковогоустройства, применениесоединенияформулы (1). Техническийрезультат: предложенакомпозициядляхимико-техническойполировки, представляющаясобойстабильнуюдисперсию, вкоторойнепроисходитразделениефаз. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.

公开(公告)号：RU2661571C2

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：RU2016105297

申请日：2014-07-08

Applicant: BASF SE

Inventor： LAUTER MIKHAEL ,  LI YUZHUO ,  NOLLER BASTIAN MARTEN ,  LANGE ROLAND ,  RAJKHARDT ROBERT ,  LAN JONGKING ,  BOJKO VOLODIMIR ,  KRAUS ALEKSANDER ,  SEJERL JOAKHIM VON ,  USMAN IBRAKHIM SHEJK ANSAR ,  ZIBERT MAKS ,  KHARTNAGEL KRISTIN ,  DENGLER JOAKHIM ,  KHILLESKHAJM NINA SYUZANN

IPC: C09G1/18 ,  C09G1/02 ,  C09K3/14

Abstract: Группаизобретенийотноситсяк полимернойхимиии можетбытьиспользованав полупроводниковойпромышленности. Композициядляхимико-механическойполировкисодержит (А) абразивныечастицыдиоксидацерия; (В) одинилиболееполимеров. Каждаямакромолекулаполимеровсодержит (i) однуилиболееанионныхфункциональныхгруппи (ii) однуилиболееструктурныхединиц -(AO)-R. Апредставляетсобой CH, x = 2-4; а = 5-200. R представляетсобойводородилиразветвленнуюилилинейнуюалкильнуюгруппу, имеющуюот 1 до 4 атомовуглерода. Вполимересуммамолярныхмассвсехструктурныхединиц (ii) составляетпоменьшеймере 50% отмолярноймассыуказанногополимера (В). Дляполученияполупроводниковогоустройстваосуществляютхимико-механическуюполировкуподложкив присутствиикомпозициидляхимико-механическойполировки. Полимер (В) применяютдляподавленияагломерациичастиц, содержащихдиоксидцерия, и/илидляустановлениядзета-потенциалачастиц, содержащихдиоксидцерия. Обеспечиваютсяповышениеэффективностиполировки, высокаяскоростьудалениядиоксидакремнияи регулируемаяселективность. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 1 ил., 13 табл.