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    Photoempfindliche Hartmaske für die Mikrolithographie
    2.
    发明专利
    Photoempfindliche Hartmaske für die Mikrolithographie 未知

    公开(公告)号：DE112009000979B4

    公开(公告)日：2014-12-11

    申请号：DE112009000979

    申请日：2009-04-21

    Applicant: BREWER SCIENCE INC

    Inventor： MERCADO RAMIL-MARCELO L ,  XU HAO ,  GUERRERO DOUGLAS J

    IPC: G03F7/20

    Abstract: Verfahren zum Bilden einer mikroelektronischen Struktur, bei dem (a) ein Substrat mit einer Oberfläche bereitgestellt wird, (b) gegebenenfalls eine oder mehrere Zwischenschichten auf der Oberfläche gebildet werden, (c) eine Hartmaskenzusammensetzung angrenzend an die Zwischenschichten, falls vorhanden, oder angrenzend an die Substratoberfläche, falls keine Zwischenschichten vorhanden sind, aufgebracht wird, wobei die Hartmaskenzusammensetzung nichtpolymere Nanopartikel enthält, die in einem Lösungsmittelsystem gelöst oder dispergiert sind, (d) die Hartmaskenzusammensetzung gebacken wird, um eine Hartmaskenschicht zu ergeben, (e) die Hartmaskenschicht Strahlung ausgesetzt wird, um einen bestrahlten Teil der Hartmaske zu erhalten und (f) die Hartmaskenschicht mit einem Entwickler in Kontakt gebracht wird, um so den bestrahlten Teil der Hartmaskenschicht zu entfernen.

    PHOTOIMAGEABLE BRANCHED POLYMER
    8.
    发明申请
    PHOTOIMAGEABLE BRANCHED POLYMER 审中-公开
    可光照分支聚合物

    公开(公告)号：WO2009059031A2

    公开(公告)日：2009-05-07

    申请号：PCT/US2008081831

    申请日：2008-10-30

    Applicant: BREWER SCIENCE INC ,  XU HAO ,  MERCADO RAMIL-MARCELO L ,  GUERRERO DOUGLAS J ,  MEADOR JIM D

    Inventor： XU HAO ,  MERCADO RAMIL-MARCELO L ,  GUERRERO DOUGLAS J ,  MEADOR JIM D

    IPC: C08G65/30 ,  C08G65/48 ,  C08J3/28 ,  G03F7/038 ,  G03F7/16

    CPC classification number: G03F7/091 ,  C08L25/18 ,  Y10S430/151

    Abstract: Novel, developer-soluble anti-reflective coating compositions and methods of using those compositions are provided. The compositions comprise a multi-functional acid reacted with a multi-functional vinyl ether to form a branched polymer or oligomer. In use, the compositions are applied to a substrate and thermally crosslinked. Upon exposure to light and post-exposure baking, the cured polymers/oligomers will decrosslink and depolymerize, rendering the layer soluble in typical photoresist developing solutions (e.g., alkaline developers).

    Abstract translation: 提供了新颖的显影剂可溶的抗反射涂层组合物和使用这些组合物的方法。 该组合物包含与多官能乙烯基醚反应形成支化聚合物或低聚物的多官能酸。 在使用中，将组合物施加到基材上并热交联。 在曝光和曝光后烘烤后，固化的聚合物/低聚物将发生解交联和解聚，使该层溶于典型的光致抗蚀剂显影溶液（例如碱性显影剂）中。

    SPIN-ON SPACER MATERIALS FOR DOUBLE- AND TRIPLE-PATTERNING LITHOGRAPHY
    9.
    发明申请
    SPIN-ON SPACER MATERIALS FOR DOUBLE- AND TRIPLE-PATTERNING LITHOGRAPHY 审中-公开
    用于双重和三维图案的旋转间隔材料

    公开(公告)号：WO2010080789A2

    公开(公告)日：2010-07-15

    申请号：PCT/US2010020199

    申请日：2010-01-06

    Applicant: BREWER SCIENCE INC ,  LIN QIN ,  PULIGADDA RAMA ,  CLAYPOOL JAMES ,  GUERRERO DOUGLAS J ,  SMITH BRIAN

    Inventor： LIN QIN ,  PULIGADDA RAMA ,  CLAYPOOL JAMES ,  GUERRERO DOUGLAS J ,  SMITH BRIAN

    IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

    CPC classification number: H01L21/0337 ,  C08G77/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3121

    Abstract: Novel double- and triple-patterning methods are provided. The methods involve applying a shrinkable composition to a patterned template structure (e.g., a structure having lines) and heating the composition. The shrinkable composition is selected to possess properties that will cause it to shrink during heating, thus forming a conformal layer over the patterned template structure. The layer is then etched to leave behind pre-spacer structures, which comprise the features from the pattern with remnants of the shrinkable composition adjacent the feature sidewalls. The features are removed, leaving behind a doubled pattern. In an alternative embodiment, an extra etch step can be carried out prior to formation of the features on the template structure, thus allowing the pattern to be tripled rather than doubled.

    Abstract translation: 提供了新的双重和三重图案化方法。 所述方法包括将可收缩的组合物应用于图案化的模板结构（例如，具有线的结构）并加热组合物。 可收缩组合物被选择为具有使其在加热期间收缩的性质，从而在图案化模板结构上形成共形层。 然后蚀刻该层以留下预间隔结构，其包含来自图案的特征，其中可收缩组合物的残余物邻近特征侧壁。 功能被删除，留下了一倍的模式。 在替代实施例中，可以在模板结构上形成特征之前执行额外蚀刻步骤，从而允许图案增加三倍而不是加倍。

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