Abstract:
The invention relates to a component which functions with the aid of acoustic waves, and which combines various measures in order to lower the temperature path, in particular the resonance frequency. Said component comprises a piezoelectric substrate (PS) having a relatively thin thickness (dp) in the region of 5 50 times the wave length capable of expanding in the material. Electrically conductive component structures (BES) are provided on the top surface and on the lower side, a compensation layer (Ks) is mechanically connected to the substrate such that mechanical deformation occurs, or that a deformation is produced in the event of a change in temperature. A Si0 2 layer having a thickness of 5 20 % of the acoustic waves capable of expanding therein is arranged over the component structures (BES).
Abstract:
Elektroakustischer Wandler für ein mit Oberflächenwellen arbeitendes Bauelement, enthaltend – eine erste Elektrode, die an einer ersten Stromschiene (3) angeschlossene Finger (3b) aufweist, – eine zweite Elektrode, die an einer zweiten Stromschiene (13) angeschlossene Finger (13b) aufweist, – wobei die Finger der ersten und der zweiten Elektrode ineinander greifen, – wobei freie Enden der Finger jeweils an ein Gap (4, 14) grenzen, – wobei eine akustische Welle der Wellenlänge λ anregbar ist, die einerseits ein longitudinales und ein transversales Anregungsprofil und andererseits ein longitudinales und ein transversales Energiedichteprofil aufweist, – wobei die transversale Position der in der Nähe der jeweiligen Stromschiene (3, 13) angeordneten Gaps (4, 14) zur Einstellung des transversalen Anregungsprofils über die verschiedenen Gaps variiert, – wobei das longitudinale Anregungsprofil konstant ist und nach außen hin vom longitudinalen Energiedichteprofil abweicht, – wobei die Finger in longitudinaler Richtung in mehrere Fingergruppen (G1, G2) aufgeteilt sind, die jeweils ein Muster bezüglich der Anordnung der transversalen Positionen ihrer Gaps aufweisen, – wobei die relative transversale Position der Mitten der in der Nähe der jeweiligen Stromschiene (3, 13) angeordneten Gaps (4, 14) in einer Fingergruppe (G1, G2) eine Anzahl M von unterschiedlichen Werten aufweist, wobei gilt: M ≥ 3, – wobei das transversale Anregungsprofil und das transversale Energiedichteprofil übereinstimmen – wobei zur Reduktion der Anregungsstärke zur Einstellung des transversalen Anregungsprofils in den Gaps (4, 14) jeweils zumindest eine floatende Metallstruktur (2, 2a, 2b) angeordnet ist.
Abstract:
SAW structure comprises a serial signal path arranged between an input gate and an output gate, a serial resonator (R) arranged in a serial branch and having a converter with partial electrodes (TE1, TE2) having regularly arranged electrode fingers (EF). A stub finger (SF) is assigned to each electrode finger of a partial electrode on opposite-lying electrodes. The stub fingers are separated by a gap (G). Preferred Features: A parallel resonator is arranged in the path which branches from the signal path. Neighboring stub fingers are short circuited using a short circuit structure.
Abstract:
A SAW component comprises a piezoelectric substrate (S), a converter electrode arranged on the substrate and having a metallization (M) consisting of one or more metals having an average specific density of at least 50 % above that of aluminum, and a thin compensation layer (K) of a material with a temperature dependency of the elastic coefficient which interacts with the temperature path of the substrate. The compensation layer partially or completely reduces the temperature path over the metallization.
Abstract:
Component has a substrate, which has a piezoelectric layer and has a electrically conducting structure for generating, guiding or reflecting of acoustic waves in the piezoelectric layer. The relative geometrical arrangement of the electrically conductive structure is alterable opposite to the piezoelectric layer. An independent claim is also included for the method for frequency adjustment of a SAW, BAW or GBAW components.
Abstract:
Es wird eine SAW-Filterschaltung mit verbesserter ESD-Festigkeit angegeben, in der eine Serienverschaltung aus SAW-Resonatoren zwischen einem ersten Signalport und einem DMS-Port verschaltet ist, wobei die statische Kapazität der Serienverschaltung maximal das Vierfache der statischen Kapazität der damit verschalteten DMS-Wandler beträgt.
Abstract:
A component working with guided bulk acoustic waves is disclosed with at least one substrate and a layer system that is connected to this substrate and suitable for wave propagation. The layer system includes a metallization layer, a first dielectric layer, and a second dielectric layer. The velocity of the acoustic wave is greater in the second dielectric layer than in the first dielectric layer. At least one of the dielectric layers contains TeO2.