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    化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    4.
    发明专利
    化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 有权
    用于形成化学放大膜的有机处理液的生产方法，用于形成化学放大膜的有机处理液，图案形成方法，制造电子器件的方法和电子器件

    公开(公告)号：JP2014202807A

    公开(公告)日：2014-10-27

    申请号：JP2013076735

    申请日：2013-04-02

    Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  KAWAMOTO TAKASHI ,  IGUCHI NAOYA

    IPC: G03F7/32 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/32 ,  C07C29/76 ,  C07C45/786 ,  C07C67/48 ,  C07C67/56 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/325 ,  C07C69/24 ,  C07C31/125 ,  C07C49/04

    Abstract: 【課題】特に、有機系現像液を用いて微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成技術において、パーティクルの発生を低減可能な、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の製造方法、並びに、これを用いた化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。【解決手段】液入口部と、液出口部と、前記液入口部と前記液出口部とを接続する流路内に設けられた濾過フィルター膜とを有する濾過装置に、有機溶剤を含有する液を通過させる工程を有する、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法であって、前記液入口部における前記液の温度(TI)と、前記液出口部における前記液の温度(To)との差の絶対値(|TI−To|)が、3℃以下であり、前記濾過装置における前記液の濾過速度が0.5L/分/m2以上であり、前記濾過装置における前記液による濾過圧力が0.1MPa以下である、化学増幅型レジスト膜のパターンニング用有機系処理液の製造方法、並びに、これを用いた化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液的制备方法，特别是在形成用于形成精细图案的负图案的技术中，能够减少颗粒的产生的液体（例如， 通过使用有机显影剂具有30nm节点或更小的图案的图案），并且使用上述方法提供用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液，图案形成方法，电子器件的制造方法和 电子器件。解决方案：用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理液的制备方法包括使包含有机溶剂的液体通过具有液体入口，液体出口和过滤膜的过滤装置的步骤 设置在连接液体入口和液体出口的流动通道中。 液体入口处的液体的温度（T）与液体出口处的液体的温度（T）之差的绝对值（| T-T |）为3℃以下; 过滤装置中的液体的过滤速度为0.5L / min / 并且过滤装置中的液体的过滤压力为0.1MPa以下。 还提供：用于图案化通过上述方法制备的化学放大抗蚀剂膜的有机处理液; 图案形成方法; 电子设备的制造方法; 和电子设备。

    Pattern forming method, method of manufacturing electronic device using the same, and electronic device
    5.
    发明专利
    Pattern forming method, method of manufacturing electronic device using the same, and electronic device 有权
    图案形成方法，使用其制造电子器件的方法和电子器件

    公开(公告)号：JP2014048397A

    公开(公告)日：2014-03-17

    申请号：JP2012190184

    申请日：2012-08-30

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  IGUCHI NAOYA ,  UEHA RYOSUKE ,  YAMAMOTO KEI

    IPC: G03F7/40 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/32 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/2022 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325 ,  G03F7/70466

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a pattern forming method in which an ultra fine line-and-space pattern (line-and-space pattern whose line width and space width are 40 nm or less, for example) can be easily formed, a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.SOLUTION: There is provided a pattern forming method which includes steps of, in this order: (a) forming a first film on a substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (I) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (b) exposing the first film; (c) developing the exposed first film by using developer containing organic solvent and forming a first negative pattern; (e) forming a second film on the substrate by using active ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition (II) containing resin whose polarity increases due to an action of acid and solubility to developer containing organic solvent decreases; (f) exposing the second film; and (g) developing the exposed second film by using developer containing organic solvent and forming a second negative pattern. There are also provided a method of manufacturing an electronic device, and an electronic device.

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种图案形成方法，其中可以容易地形成超细线间距图案（线间距图案，其线宽和空间宽度为40nm以下） 电子设备的制造方法和电子设备。解决方案：提供一种图案形成方法，其包括以下步骤：（a）通过使用主动射线敏感或辐射敏感的方式在衬底上形成第一膜 含有树脂的树脂组合物（I）由于酸的作用而极性增加，对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （b）曝光第一片; （c）通过使用含有机溶剂的显影剂并形成第一阴性图案来显影所述暴露的第一膜; （e）通过使用含有树脂的活性射线敏感性或辐射敏感性树脂组合物（II）在基材上形成第二膜，所述树脂由于酸的作用而极性增加，并且对含有机溶剂的显影剂的溶解度降低; （f）使第二膜曝光; 和（g）通过使用含有有机溶剂的显影剂并形成第二阴性图案来显影所暴露的第二膜。 还提供了一种制造电子设备的方法和电子设备。

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