EUV광용 네거티브형 감광성 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법

    公开(公告)号:KR20200128071A

    公开(公告)日:2020-11-11

    申请号:KR20207027692

    申请日:2019-02-26

    Applicant: FUJIFILM CORP

    Abstract: 본발명은, 미싱결함의발생이억제되고, 또한패턴붕괴가억제된패턴을형성가능한 EUV광용네거티브형감광성조성물을제공한다. 패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공한다. 본발명의 EUV광용네거티브형감광성조성물은, 산의작용에의하여탈리되는보호기로극성기가보호된산분해성기를갖는반복단위를갖는수지 A, 및광산발생제를포함하며, 수지 A로부터보호기가탈리된후의수지의 ClogP값이 1.4 이하이고, 식 (1)로계산되는값 x가 1.2 이상이며, 식 (1)로계산되는값 x와, 식 (2)로계산되는값 y가, 식 (3)의관계를충족시킨다.

    EUV광용 감광성 조성물, 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법

    公开(公告)号:KR20200132973A

    公开(公告)日:2020-11-25

    申请号:KR20207029889

    申请日:2019-04-12

    Applicant: FUJIFILM CORP

    Abstract: Z-factor가양호하고, 또한브리지결함이억제된패턴을형성가능한 EUV광용감광성조성물, 패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공한다. EUV광용감광성조성물은, 소정의수지, 및광산발생제를포함하거나, 또는광산발생기를갖는반복단위를갖는, 소정의수지를포함하며, 요건 1~요건 3을충족시킨다. 요건 1: 식 (1)로구해지는 A값이 0.14 이상이다. 식 (1): A=([H]×0.04+[C]×1.0+[N]×2.1+[O]×3.6+[F]×5.6+[S]×1.5+[I]×39.5)/([H]×1+[C]×12+[N]×14+[O]×16+[F]×19+[S]×32+[I]×127) 요건 2: EUV광용감광성조성물중의고형분농도가 5.0질량% 이하이다. 요건 3: 광산발생제의함유량이, EUV광용감광성조성물중의전고형분에대하여, 5~50질량%이다.

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