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    ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, CONTAINER FOR ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, AND PATTERN FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
    1.
    发明专利
    ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, CONTAINER FOR ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, AND PATTERN FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME 未知

    公开(公告)号：SG10201908623UA

    公开(公告)日：2019-11-28

    申请号：SG10201908623U

    申请日：2013-10-17

    Applicant: FUJIFILM CORP

    Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  KAWAMOTO TAKASHI

    Abstract: ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, CONTAINER FOR ORGANIC PROCESSING LIQUID FOR PATTERNING CHEMICAL AMPLIFICATION RESIST FILM, AND PATTERN FORMING METHOD, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME Provided are: an organic treatment solution for patterning chemically amplified resist films, which can reduce the generation of particles, particularly when using an organic developing solution in a negative pattern formation method for forming a fine (e.g. 30 nm node or less) pattern; a container for the organic treatment solution for patterning chemically amplified resist films; and a pattern formation method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device using the same. The organic treatment solution for patterning chemically amplified resist films contains 1ppm or less of an alkyl olefin having a carbon number of 22 or less, and has a metal element concentration of 5ppm or less for each of Na, K, Ca, Fe, Cu, Mg, Mn, Li, Al, Cr, Ni and Zn. The pattern formation method, the electronic device manufacturing method, and the electronic device use the same. (No Suitable Figures)

    化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
    8.
    发明专利
    化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 有权
    用于形成化学放大电阻膜的有机处理溶液和用于形成化学放大膜的有机处理溶液的壳体和形成方法，用于制造电子器件的方法和使用处理溶液和容器的电子器件

    公开(公告)号：JP2015007807A

    公开(公告)日：2015-01-15

    申请号：JP2014187686

    申请日：2014-09-16

    Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  KAWAMOTO TAKASHI

    IPC: G03F7/32 ,  G03F7/30 ,  H01L21/027

    Abstract: 【課題】特に、有機系現像液を用いて、微細化(例えば、30nmノード以下)パターンを形成するネガ型パターン形成方法において、パーティクルの発生を低減可能な化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、及び、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供できる。【解決手段】化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液であって、炭素数22以下のアルキルオレフィン含有量が1ppm以下、かつ、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mg、Mn、Li、Al、Cr、Ni、及び、Znの金属元素濃度がいずれも5ppm以下である、化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液、並びに、これらを使用したパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液，其可以减少颗粒的产生，特别是在用于形成精细图案（例如，30nm节点或更少）的负图案形成方法中，使用 有机显影液和用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液的容纳容器，以及提供图案形成方法，电子装置的制造方法和使用上述溶液和容器的电子装置。 ：用于图案化化学放大抗蚀剂膜的有机处理溶液含有碳原子数为22以下的碳原子数为1ppm以下的烷基烯烃，并且对于Na，K，Ca，Fe，Cu中的每一种，金属元素浓度为5ppm以下 ，Mg，Mn，Li，Al，Cr，Ni和Zn。 该解决方案用于图案形成方法，电子装置的制造方法和电子装置。

    パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
    9.
    发明专利
    パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス 审中-公开
    图案形成方法，制造电子装置的方法和电子装置

    公开(公告)号：JP2014211490A

    公开(公告)日：2014-11-13

    申请号：JP2013086755

    申请日：2013-04-17

    Applicant: 富士フイルム株式会社 ,  Fujifilm Corp

    Inventor： NAKAMURA TAKAYUKI ,  YAMANAKA TSUKASA

    IPC: G03F7/38 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/38 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/16 ,  G03F7/168 ,  G03F7/2041 ,  G03F7/325

    Abstract: 【課題】有機溶剤系現像液を用いたパターン形成方法において、液浸露光を適用する場合に、液浸露光後にレジスト膜上に残存した液浸液に起因する微細な水残り欠陥のないパターンを形成することが可能なパターン形成方法、そのパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】酸の作用により1種類以上の有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、及び、溶剤を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、液浸液を介して感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、感活性光線性又は感放射線性膜を加熱する工程、及び、感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含む現像液で現像する工程をこの順序で含み、更に、感活性光線性又は感放射線性膜を洗浄する工程を、前記膜形成工程後且つ前記露光工程前、および/または、前記露光工程後且つ前記加熱工程前に含むパターン形成方法。【選択図】なし

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供使用有机溶剂型显影液的图案形成方法，当浸渍曝光时，可以形成不具有微小缺水缺陷的图案，由残留在抗蚀剂上的浸渍液引起的缺陷 并且提供一种制造包括上述图案形成方法的电子设备的方法和电子设备。解决方案：图案形成方法包括以下顺序的步骤：形成光化学敏感或 辐射敏感膜，其通过在基材上施加光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物，所述树脂组合物包含通过酸的作用显示出与含有至少一种有机溶剂的显影溶液的溶解度降低的树脂， 通过用光化射线或辐射照射的酸和溶剂; 通过浸没液体曝光光化射线敏感或辐射敏感膜; 加热光化射线敏感或辐射敏感膜; 并用含有机溶剂的显影溶液显影光化射线敏感或辐射敏感膜。 该方法还包括在成膜步骤之后和曝光步骤之前和/或在曝光步骤之后和加热步骤之前清洁光化射线敏感或辐射敏感膜的步骤。

    Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device using the same
    10.
    发明专利
    Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device using the same 审中-公开
    光敏性树脂组合物及使用其制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：JP2007240976A

    公开(公告)日：2007-09-20

    申请号：JP2006064606

    申请日：2006-03-09

    Applicant: Fujifilm Corp ,  富士フイルム株式会社

    Inventor： YAMANAKA TSUKASA ,  SATO KENICHIRO

    IPC: G03F7/037 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive resin composition capable of producing a heat resistant relief structure, having high sensitivity, ensuring small reduction in film thickness, and excellent in film thickness uniformity in a wafer after development and in film thickness uniformity after curing, and a method for manufacturing a semiconductor device using the composition.
    SOLUTION: The photosensitive resin composition is characterized by containing a polybenzoxazole precursor having a naphthoquinonediazido group, a naphthoquinonediazide photosensitizer, and a specific compound containing phenolic hydroxyl groups. The method for manufacturing a semiconductor device using the composition is also provided.
    COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 解决问题的方案为了提供一种能够制造耐热浮雕结构的感光性树脂组合物，其具有高灵敏度，确保薄膜厚度的降低和显影后的晶片的膜厚均匀性以及膜厚均匀性 固化后，以及使用该组合物的半导体装置的制造方法。 光敏树脂组合物的特征在于含有具有萘醌二叠氮基的聚苯并恶唑前体，萘醌二叠氮化物光敏剂和含有酚羟基的特定化合物。 还提供了使用该组合物制造半导体器件的方法。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

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