公开(公告)号：KR20200128071A

公开(公告)日：2020-11-11

申请号：KR20207027692

申请日：2019-02-26

Applicant: FUJIFILM CORP

Inventor： NIHASHI WATARU ,  SHIRAKAWA MICHIHIRO ,  OGAWA MICHIHIRO

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/20 ,  G03F7/26

Abstract: 본발명은, 미싱결함의발생이억제되고, 또한패턴붕괴가억제된패턴을형성가능한 EUV광용네거티브형감광성조성물을제공한다. 패턴형성방법, 및전자디바이스의제조방법을제공한다. 본발명의 EUV광용네거티브형감광성조성물은, 산의작용에의하여탈리되는보호기로극성기가보호된산분해성기를갖는반복단위를갖는수지 A, 및광산발생제를포함하며, 수지 A로부터보호기가탈리된후의수지의 ClogP값이 1.4 이하이고, 식 (1)로계산되는값 x가 1.2 이상이며, 식 (1)로계산되는값 x와, 식 (2)로계산되는값 y가, 식 (3)의관계를충족시킨다.

公开(公告)号：KR20180039671A

公开(公告)日：2018-04-18

申请号：KR20187006615

申请日：2016-08-31

Applicant: FUJIFILM CORP

Inventor： NIHASHI WATARU ,  TSUBAKI HIDEAKI ,  TSUCHIHASHI TORU ,  YAMAMOTO KEI

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32 ,  G03F7/38

Abstract: 특히극미세의잔류패턴의형성에있어서, 막감소가적어, 높은해상력을얻을수 있는패턴형성방법, 상기패턴형성방법을포함하는전자디바이스의제조방법, 및상기패턴을형성하기위한적층체를제공한다. 패턴형성방법으로서, (a) 감활성광선성또는감방사선성조성물에의하여감활성광선성또는감방사선성막을형성하는공정, (b) 감활성광선성또는감방사선성막상에상층막형성용조성물에의하여상층막을형성하는공정, (c) 상층막이형성된감활성광선성또는감방사선성막을노광하는공정, 및 (d) 노광된감활성광선성또는감방사선성막을, 현상액으로현상하는공정을포함하고, 상층막형성용조성물이, 가교제를포함한다. 전자디바이스의제조방법은, 상기패턴형성방법을포함한다. 적층체는, 감활성광선성또는감방사선성막과, 가교제를포함하는상층막을갖는다.